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Oblea negra del fosfuro de indio, oblea de semiconductor para el uso del LD

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Oblea negra del fosfuro de indio, oblea de semiconductor para el uso del LD

Black Indium Phosphide Wafer , Semiconductor Wafer For LD Application
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Ampliación de imagen :  Oblea negra del fosfuro de indio, oblea de semiconductor para el uso del LD

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: InP-001
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 5pcs
Precio: by case
Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Capacidad de la fuente: 1000pcs/month
Descripción detallada del producto
Materiales: Solo cristal del INP industria: substratos del semiconductor, dispositivo,
color: Negro Tamaño: 2-4inch
Tipo: N-tipo, P-tipo, Si-tipo Espesor: 350um, 500um, 625um
Resaltar:

substrato del mgo

,

Oblea de Gap

substratos para el uso del LD, oblea de semiconductor, oblea del INP, sola oblea cristalina del INP de 2inch 3inch 4inch

El INP introduce

Solo cristal del INP
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El crecimiento del tCZ (método modificado de Czochralski) se utiliza para tirar de un solo cristal con un encapsulant líquido del óxido bórico a partir de una semilla. El dopante (FE, S, Sn o Zn) se añade al crisol junto con el polycrystal. La alta presión se aplica dentro de la cámara para prevenir la descomposición del fosfuro de indio. hemos desarrollado un proceso para rendir pureza completamente stoechiometric, elevada y cristal bajo del INP de la densidad de dislocación el solo.

La técnica del tCZ mejora sobre los gracias del método de LEC a una tecnología termal del bafle con respecto a un modelado numérico de las condiciones termales del crecimiento. el tCZ es una tecnología madura rentable con la reproductibilidad de alta calidad del boule al boule.

Especificación

Artículo Diámetro Tipo concentración que lleva Movilidad Resistencia MPD
S-INP 2 N (0.8-6) X10^18 (1.5-3.5) x10^3   <500
3 <500
4 <1x10^3
FE-INP 2/3/4 SI   >1000 >0.5x10^7 >5x10^3
Zn-INP 2/3/4 P (0.6-6) X10^18 50-70   <1x10^3
Ningún INP de la droga 2 N <3x10^16 (3.5-4) x10^3   <5x10^3
  Otro
Orientación (100)/(111) ±0.5° Llanura
TTV Arco Deformación
<12um <12um ≤15um
1r del plano 16±2m m 22±2m m 32.5±2.5m m
2o del plano 8±1m m 11±2m m 32.5±2.5m m
Superficie: 1sp o 2sp, 2inch 350±25um, 3inch 600±25um, 4inch 625±25um, o por modificado para requisitos particulares

2. Paso del proceso de la oblea del INP

Proceso de la oblea del INP
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Cada lingote se corta en las obleas se traslapan que, pulido y superficial preparado para la epitaxia. El proceso total se detalla abajo.

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Especificación e identificación planas La orientación es indicada en las obleas por dos planos (de largo completamente para la orientación, el pequeño plano para la identificación). El estándar de E.J. (europeo japonés) se utiliza generalmente. La configuración plana alterna (los E.E.U.U.) se utiliza sobre todo para Ø 4" las obleas.
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Orientación del boule Se ofrecen cualquier obleas exactas (100) o misoriented.
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Exactitud de la orientación de DE En respuesta a las necesidades de la industria optoelectrónica, ofrecemos las obleas con la exactitud excelente de la orientación: < 0="">
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Perfil del borde Hay dos espec. comunes: borde químico que procesa o que procesa mecánico del borde (con una amoladora del borde).
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Polaco Las obleas se pulen mediante un proceso sustancia-mecánico dando por resultado un plano, surface.we libre de daños proporciona las obleas pulidas y solo-lado pulidas del doble-lado (con el lado trasero traslapado y grabado al agua fuerte).
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Preparación superficial y empaquetado finales Las obleas pasan con muchos pasos químicos quitar el óxido producido durante el pulido y crear una superficie limpia con la capa del óxido del establo y del uniforme que está lista para el crecimiento epitaxial - superficie epiready y que reduce los oligoelementos a extremadamente - los niveles bajos. Después de la inspección final, las obleas se empaquetan de una manera que mantenga la limpieza superficial.
Las instrucciones específicas para el retiro del óxido están disponibles para todos los tipos de las tecnologías epitaxiales (MOCVD, MBE).
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Base de datos Como parte de nuestro programa del control de proceso estadístico/de la gestión de calidad total, la base de datos extensa que registra las propiedades eléctricas y mecánicas para cada análisis del lingote así como de la calidad y de la superficie del cristal de obleas está disponible. En cada etapa de la fabricación, el producto se examina antes de pasar a la etapa siguiente para mantener un de alto nivel de la consistencia de la calidad de la oblea a la oblea y del boule al boule.

Muestra

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Control de calidad. estándar

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Paquete y entrega

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FAQ:

Q: ¿Cuál es su MOQ?

A: (1) para el inventario, el MOQ es 5 PC.

(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10-30 PC para arriba.

Q: ¿Cuál es la manera de envío y de coste?

A: (1) aceptamos DHL, Fedex, el ccsme etc.

(2) si usted tiene su propia cuenta expresa, es grande. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.

La carga está de acuerdo con el acuerdo real.

Q: ¿Cómo pagar?

A: T/T, Paypal, pago seguro y pago de la garantía.

Q: ¿Cuál es plazo de expedición?

A: (1) para los productos estándar

Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de que usted pone la orden.

Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 semanas después de que usted pone la orden.

(2) para los productos especial-formados, la entrega es 4 workweeks después de que usted ponga la orden.

Q: ¿Usted tiene productos estándar?

A: Nuestros productos estándar en existencia.

Q: ¿Puedo modificar los productos para requisitos particulares basados en mi necesidad?

A: Sí, podemos modificar el material para requisitos particulares, especificaciones para sus componentes ópticos basados en sus necesidades.

Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

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