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Detalles de los productos

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Sic substrato
Created with Pixso. bandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmica

bandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmica

Nombre De La Marca: ZMSH
Número De Modelo: Bandeja de SiC personalizada
MOQ: 25
Precio: Fluctuates with market
Tiempo De Entrega: 2-4 semanas
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shangai, China
Material:
Carburo de Silicio
tipo de producto:
Bandeja Sic
Forma:
Redondo, Placa, Personalizado
Tamaño:
Personalizado
Espesor:
Personalizado
Acabado superficial:
de trituración o pulido
Temperatura de funcionamiento:
≤1600°C
Solicitud:
Procesamiento de obleas semiconductoras, CVD/PECVD, procesamiento de alta temperatura
Resaltar:

En el caso de las placas con ranuras de CVD SiC

,

Alta conductividad térmica de la bandeja SSiC

,

Substrato de SiC de baja expansión térmica

Descripción de producto

Información del Producto

      Una bandeja de carburo de silicio (SiC) es un portador cerámico de precisión de alto rendimiento diseñado para el procesamiento de obleas de semiconductores, procesamiento térmico a alta temperatura, sistemas CVD/PECVD, hornos de vacío y otros entornos industriales exigentes.

Sus funciones principales incluyen:

  • Soportar obleas y componentes de proceso
  • Posicionar obleas durante el procesamiento
  • Transferencia y manipulación de obleas
  • Soportar componentes durante procesos a alta temperatura
  • Servir como componente cerámico de precisión en equipos de semiconductores

      Nuestra bandeja de obleas de SiC disponible públicamente está diseñada para el procesamiento de obleas de semiconductores, sistemas CVD/PECVD, hornos de vacío y aplicaciones industriales a alta temperatura. Dependiendo de la aplicación, se puede utilizar SiC CVD de alta pureza o SSiC.   





Proceso de Fabricación
 

      El proceso de fabricación real varía según el sistema de materiales SiC y los requisitos de la aplicación. Una ruta de fabricación típica incluye:
 

1. Selección y preparación de materias primas
      Se selecciona SiC CVD, SSiC u otro material SiC adecuado según los requisitos de pureza y aplicación.

↓

2. Preparación de la formación / preforma

↓

3. Sinterización / Densificación

↓

4. Mecanizado de precisión
      Se utiliza mecanizado y rectificado CNC para lograr las dimensiones, orificios de montaje, ranuras y características estructurales requeridas.

↓

5. Rectificado / Pulido
      Las superficies funcionales se pueden rectificar, lapear o pulir con precisión según los requisitos de la aplicación.

↓

6. Limpieza e inspección

↓

7. Embalaje protector y envío
      Nuestra información pública del producto identifica la formación, sinterización y mecanizado CNC de precisión como parte de la ruta de fabricación y también enumera el rectificado/pulido de precisión como métodos de acabado disponibles.                                       bandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmica



Características Clave


1. Excelente estabilidad a alta temperatura
      Las bandejas de SiC son adecuadas para entornos de procesamiento a alta temperatura y pueden mantener la estabilidad estructural en condiciones térmicas exigentes. Los datos de su producto publicado especifican una temperatura de funcionamiento de ≤1600°C, aunque la capacidad de temperatura real depende del grado de SiC específico y del entorno del proceso.

 

2. Excelente conductividad térmica
      El SiC ofrece alta conductividad térmica, lo que ayuda a promover una transferencia de calor eficiente y una distribución de temperatura más uniforme.     
                                                                                                                       
bandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmicabandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmica

 


















3. Excelente resistencia al choque térmico
      Es muy adecuado para aplicaciones que implican ciclos repetidos de calentamiento y enfriamiento.
 

4. Alta resistencia mecánica
      Las cerámicas de SiC proporcionan alta resistencia mecánica y rigidez, lo que ayuda a mantener la estabilidad dimensional durante la operación a alta temperatura a largo plazo.
 

5. Resistencia química y al plasma
      El SiC proporciona buena estabilidad química y resistencia en entornos de semiconductores exigentes que involucran gases corrosivos y plasma.
 

6. Mecanizado de precisión
      La bandeja se puede mecanizar según los dibujos del cliente, incluidas las dimensiones, ranuras, orificios y estructuras complejas, con rectificado o pulido disponibles según los requisitos de la aplicación.

 7. Totalmente personalizable

  • Diámetro

  • Espesor

  • Ranuras

  • Agujeros de montaje

  • Estructura

  • Acabado superficial

      Su página de producto público admite explícitamente la personalización OEM/ODM basada en dibujos del cliente o requisitos de la aplicación.


​
Especificaciones Clave

 Parámetro  Especificación Verificada
 Nombre del Producto  Bandeja de SiC / Bandeja de Carburo de Silicio Personalizada
 Material SiC CVD / SSiC / RBSiC*
 Pureza Hasta 99.9%
 Temperatura de funcionamiento ≤1600°C
 Densidad 2.3–3.9 g/cm³
 Resistencia al choque térmico Excelente
 Acabado superficial Rectificado / Pulido de precisión
 Forma Redonda / Anillo / Placa / Personalizada
 Tamaño Personalizado
 Espesor Personalizado
 Geometría de la ranura Personalizado
 Agujeros de montaje Personalizado
 Estructura Plana / Ranurada / Perforada / Personalizada compleja
 Personalización OEM / ODM
 Aplicaciones Semiconductor / CVD / Horno

     

      Podemos seleccionar materiales según los requisitos del cliente en cuanto a temperatura, atmósfera, pureza y control de contaminación.


Aplicaciones
1.Fabricación de semiconductores:
      Se utiliza para soporte, transporte, transferencia y procesamiento de semiconductores a alta temperatura de obleas.

2. Procesamiento CVD / PECVD:
      Adecuado para sistemas de procesamiento CVD y PECVD.

3. Difusión, oxidación y recocido:
      Se utiliza en procesos de difusión, oxidación y recocido a alta temperatura de obleas.

4. Procesamiento RTP / Epitaxial
      Aplicable a sistemas seleccionados de procesamiento RTP y epitaxial.
bandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmica


5. LED y Optoelectrónica
      Las aplicaciones incluyen el procesamiento de obleas de zafiro, sistemas portadores de epitaxia de LED y soporte de sustratos a alta temperatura.

6. Horno de vacío y térmico
      Se utiliza como bandejas de sinterización a alta temperatura, portadores de hornos de vacío y accesorios de procesamiento térmico.

7. Metalurgia de polvos y materiales avanzados
      Más allá de las aplicaciones de semiconductores, las bandejas de SiC también se pueden utilizar en metalurgia de polvos, sinterización de cerámicas avanzadas y procesamiento térmico de materiales de baterías.


 

Preguntas Frecuentes
P1. ¿Para qué se utiliza una bandeja de SiC?
      Se utiliza principalmente para soportar, transportar, posicionar y procesar obleas u otros componentes en procesos de semiconductores a alta temperatura como CVD, PECVD, difusión, oxidación, recocido y RTP.

P2. ¿Se puede personalizar la bandeja de SiC?
      Sí. Las dimensiones, el espesor, la forma, la geometría de la ranura, los orificios de montaje y las estructuras complejas se pueden personalizar según los dibujos del cliente y los requisitos de la aplicación.

P3. ¿Qué opciones de materiales están disponibles?
      La gama de productos publicada incluye SiC CVD, SSiC y RBSiC. El material apropiado debe seleccionarse según la pureza, la temperatura de funcionamiento, la atmósfera del proceso, los requisitos de contaminación y los objetivos de costo.

bandeja SiC personalizada:CVD SiC SSiC con ranuras planas Alta conductividad térmica Bajo coeficiente de expansión térmica

 


P4. ¿Qué información se requiere para una cotización?
      Material + Tamaño + Espesor + Estructura + Detalles de ranura/agujero + Acabado superficial + Tolerancia + Cantidad + Aplicación + Temperatura de funcionamiento
      Para productos no estándar, se recomienda encarecidamente un dibujo 2D o archivo CAD 3D.


P5. ¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento?
      Su página de producto actual de bandejas de SiC disponible públicamente especifica una temperatura de funcionamiento de ≤1600°C. La temperatura utilizable real debe confirmarse según el grado del material y el entorno del proceso.

P6. ¿Se puede pulir la superficie?
      Sí. Se puede proporcionar rectificado o pulido de precisión según los requisitos de la aplicación.

P7. ¿Puede proporcionar OEM/ODM?
      Sí. Se admite la personalización OEM/ODM basada en los dibujos del cliente y los requisitos de la aplicación.

P8. ¿Por qué elegir SiC en lugar de cuarzo o grafito?
      El SiC ofrece ventajas en estabilidad a alta temperatura, resistencia mecánica, rendimiento térmico y estabilidad química. Sin embargo, la selección del material siempre debe basarse en el proceso real en lugar de asumir que el SiC es universalmente superior al cuarzo o al grafito.

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