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Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Nombre De La Marca:	ZMSH
Número De Modelo:	Bandeja de SiC personalizada
MOQ:	25
Precio:	Fluctuates with market
Tiempo De Entrega:	2-4 semanas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shangai, China

Material:

Carburo de Silicio

Tipo de producto:

Bandeja Sic

Forma:

Redondo, Placa, Personalizado

Tamaño:

Personalizado

Espesor:

Personalizado

Acabado superficial:

de trituración o pulido

Temperatura de funcionamiento:

≤1600°C

Solicitud:

Procesamiento de obleas semiconductoras, CVD/PECVD, procesamiento de alta temperatura

Descripción de producto

Product Information A Silicon Carbide (SiC) Tray is a high-performance precision ceramic carrier designed for semiconductor wafer processing, high-temperature thermal processing, CVD/PECVD systems, vacuum furnaces, and other demanding industrial environments. Its main functions include: Supporting wafers and process components Positioning wafers during processing Wafer transfer and handling Supporting components during high-temperature processes Serving as a precision ceramic

Etiquetas:

Oblea del zafiro

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