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Substrato de carburo de silicio dopante de tipo N de politipo 4H de 300 mm de diámetro para dispositivos de alta potencia

Nombre De La Marca:	ZMSH
MOQ:	50
Tiempo De Entrega:	2-4 SEMANAS
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shangai, China

Politito:

Tipo de dopaje:

Tipo N

Diámetro:

300 ± 0,5 mm

Espesor:

Verde: 600 ± 100 μm / Transparente: 700 ± 100 μm

Orientación superficial:

4° hacia <11-20> ± 0,5°

Piso primario:

Muesca / Ronda completa

Profundidad de muesca:

1 – 1,5 milímetros

Variación total del grosor (TTV):

≤ 10 μm

Densidad de microtubos (MPD):

≤ 5 unidades/cm²

Resaltar:

Sustrato de SiC de 300 mm de diámetro

Sustrato de carburo de silicio politipo 4H

Oblea de SiC de 12 pulgadas con dopaje tipo N

Descripción de producto

Soluciones de sustrato de carburo de silicio (SiC) de alta calidad de 12 pulgadas (300 mm)

Substratos de carburo de silicio 4H-N de alta calidad (12-inch/300mm) para dispositivos de alta potencia

Introducción completa del producto

El sustrato de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas (300 mm) representa la frontera actual en la tecnología de semiconductores de banda ancha (WBG).A medida que la industria mundial se mueve hacia una mayor eficiencia y mayor densidad de energía, esta plataforma cristalina de gran diámetro proporciona la base esencial para la próxima generación de electrónica de potencia y sistemas de RF.

Ventajas estratégicas clave

Producción masiva:En comparación con las obleas convencionales de 150 mm (6 pulgadas) y 200 mm (8 pulgadas), el formato de 300 mm ofrece más de 2.2x y 1.5x el área de superficie utilizable, respectivamente.
Optimización de los costes:Reduce drásticamente el "costo por pieza" al maximizar el número de chips producidos por ciclo de fabricación.
Compatibilidad avanzada:Compatible con las líneas de fabricación de semiconductores de 300 mm (Fabs) modernas y totalmente automatizadas, mejorando la eficiencia operativa general.

Ofertas de productos de grado

4H SiC de tipo N, grado de producción:Diseñado para la fabricación de dispositivos de energía de alto rendimiento de grado comercial.
4H SiC de tipo N de calidad de simulacro:Una solución rentable para pruebas mecánicas, calibración de equipos y validación de procesos térmicos.
4H SiC semieisolante (SI) de grado de producción:Diseñado específicamente para aplicaciones de RF, radar y microondas que requieren una resistencia extrema.

Características profundas del material

Carburo de silicio 4H-N (tipo conductor)

El politipo 4H-N es una estructura cristalina hexagonal dopada con nitrógeno conocida por sus robustas propiedades físicas.

Campo eléctrico de alta degradación:Permite el diseño de dispositivos de alto voltaje más delgados y eficientes.
Conductividad térmica superior:Permite que los módulos de alta potencia funcionen con sistemas de refrigeración simplificados.
Estabilidad térmica extrema:Mantiene parámetros eléctricos estables incluso en ambientes hostiles superiores a 200 °C.
Baja resistencia:Optimizado para estructuras de potencia verticales como los MOSFET SiC y los SBD.

Carburo de silicio 4H-SI (tipo semi-aislante)

Nuestros sustratos SI se caracterizan por una resistencia excepcionalmente alta y mínimos defectos cristalinos.

Excelente aislamiento eléctrico:Elimina la conducción parasitaria del sustrato.
Integridad de la señal:Ideal para aplicaciones de microondas de alta frecuencia donde la baja pérdida de señal es crítica.

Proceso avanzado de crecimiento y fabricación de cristales

Nuestro proceso de fabricación está integrado verticalmente para garantizar un control de calidad total desde la materia prima hasta la obletera terminada.

Crecimiento por sublimación (método PVT):Los cristales de 12 pulgadas se cultivan utilizando el método de transporte de vapor físico (PVT).El polvo de SiC de alta pureza se sublima a temperaturas superiores a 2000 °C bajo un vacío y un gradiente térmico controlados con precisión, recristalizando en un cristal de semilla de alta calidad.
Se trata de un sistema de calibración de la calidad de los materiales.Después del crecimiento, los lingotes de cristal se cortan en obleas utilizando una avanzada sierra de diamantes de varios alambres.El procesamiento de bordes implica un chanfrado de precisión para evitar las astillas y mejorar la robustez mecánica durante la manipulación.
Ingeniería de superficies (CMP):Dependiendo de la aplicación, empleamos el pulido químico mecánico (CMP) en la superficie de Si. Este proceso logra una superficie "Epi-Ready" con suavidad a escala atómica,eliminación de todo daño subterráneo para facilitar el crecimiento epitaxial de alta calidad.

Especificaciones técnicas y matriz de tolerancias

Punto de trabajo	Producción del tipo N	El tipo N	Producción del tipo SI
Polítipo	4 horas	4 horas	4 horas
Tipo de dopaje	El nitrógeno (tipo N)	El nitrógeno (tipo N)	Las demás:
Diámetro	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm	300 ± 0,5 mm
Espesor (verde/trans)	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm	600/700 ± 100 μm
Orientación de la superficie	4.0° hacia <11-20>	4.0° hacia <11-20>	4.0° hacia <11-20>
Precisión de la orientación	± 0,5°	± 0,5°	± 0,5°
Piso primario	Noche / Ronda completa	Noche / Ronda completa	Noche / Ronda completa
Profundidad de muesca	1.0 - 1,5 mm	1.0 - 1,5 mm	1.0 - 1,5 mm
Planabilidad (TTV)	≤ 10 μm	No incluido	≤ 10 μm
Densidad de micropipo (MPD)	≤ 5 EE/cm2	No incluido	≤ 5 EE/cm2
Finalización de la superficie	Preparado para epi (CMP)	Mejora de la precisión	Preparado para epi (CMP)
Procesamiento de bordes	Camarones redondeados	No hay Chamfer.	Camarones redondeados
Inspección de las grietas	Ninguno (excepto 3 mm)	Ninguno (excepto 3 mm)	Ninguno (excepto 3 mm)

Substrato de carburo de silicio dopante de tipo N de politipo 4H de 300 mm de diámetro para dispositivos de alta potencia 1

Aseguramiento de la calidad y metrología

Utilizamos un protocolo de inspección de varios pasos para garantizar un rendimiento constante en su línea de producción:

Metrología óptica:Medición automática de geometría de superficie para TTV, arco y curvatura.
Evaluación cristalina:Inspección de luz polarizada para inclusiones de politipo y análisis de tensión.
Escaneo de defectos de superficie:Luz de alta intensidad y dispersión láser para detectar arañazos, hoyos y chips de borde.
Características eléctricas:Mapeo de resistividad sin contacto a través de las zonas centrales de 8 pulgadas y 12 pulgadas completas.

Aplicaciones líderes en la industria

Vehículos eléctricos (VE):Es crítico para los inversores de tracción, pilas de carga rápida de 800 V y cargadores a bordo (OBC).
Energía renovable:Inversores fotovoltaicos de alta eficiencia, convertidores de energía eólica y sistemas de almacenamiento de energía (ESS).
Red inteligente:Transmisión de corriente continua de alto voltaje (HVDC) y motores industriales.
Las telecomunicaciones:Estaciones macro 5G/6G, amplificadores de potencia de RF y enlaces satelitales.
Aeroespacial y Defensa:Fuentes de alimentación de alta fiabilidad para entornos aeroespaciales extremos.

Preguntas frecuentes (FAQ)

P1: ¿Cómo el sustrato de SiC de 12 pulgadas mejora mi ROI?

R: Al proporcionar un área de superficie mucho más grande, se pueden fabricar significativamente más chips por oblea.hacer que sus productos finales de semiconductores sean más competitivos en el mercado.

P2: ¿Cuál es el beneficio de la orientación de 4 grados fuera del eje?

R: La orientación de 4° hacia el plano <11-20> está optimizada para un crecimiento epitaxial de alta calidad, lo que ayuda a prevenir la formación de politipos no deseados y reduce las dislocaciones del plano basal (BPD).

P3: ¿Puede proporcionar marcado láser personalizado para la trazabilidad?

R: Sí. Ofrecemos el marcado con láser personalizado en el lado C (cara de carbono) de acuerdo con los estándares SEMI o los requisitos específicos del cliente para garantizar la trazabilidad completa del lote.

P4: ¿Es adecuado el calibre Dummy para el recocido a altas temperaturas?

R: Sí, el N-type Dummy Grade comparte las mismas propiedades térmicas que el Production Grade, lo que lo hace perfecto para probar ciclos térmicos, calibración del horno y sistemas de manipulación.

Etiquetas:

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Sic substrato

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