Wafer de arseniuro de galio (GaAs) dopado con Zn de 2 pulgadas para aplicaciones de LED y diodo láser

Resumen del producto

La oblea de arseniuro de galio (GaAs) dopada con Zn de 2 pulgadas es una oblea de semiconductores tipo p de alta calidad fabricada utilizando el método de crecimiento de cristal de congelación de gradiente vertical (VGF).El dopaje con zinc proporciona características eléctricas p-tipo estables y uniformes, lo que permite un rendimiento fiable en la fabricación de dispositivos LED, diodo láser, optoelectrónicos y microelectrónicos.

Como semiconductor de banda directa III V, GaAs ofrece una alta movilidad de portadores, una respuesta electrónica rápida y una excelente eficiencia óptica.concentración controlada del portador, baja densidad de pozo de grabado y acabados de superficie pulida, lo que garantiza un rendimiento de proceso constante y un alto rendimiento del dispositivo.y la contaminación por partículas apoya el procesamiento avanzado de obleas y el crecimiento epitaxial utilizando técnicas MBE o MOCVD.

Con planos de orientación opcionales, configuraciones de muescas y marcado con láser en la parte posterior, la oblea de GaAs dopada con Zn de 2 pulgadas proporciona flexibilidad para diferentes flujos de proceso y requisitos de identificación.Sus propiedades eléctricas estables y su calidad de superficie fiable lo hacen adecuado tanto para la investigación como para la producción en volumen en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos y de alta frecuencia.

Especificaciones técnicas 2 pulgadas de Zn-Doped GaAs Wafer

Aplicaciones

• Procesamiento de obleas LED

• Fabricación de hojas de diodos láser

• Otros dispositivos de alta calidad

• Waferas electrónicas de RF y de alta frecuencia

Preguntas frecuentes

¿Es esta oblea de GaAs adecuada para la fabricación de LED y diodos láser?
Las características eléctricas del tipo p, combinadas con la orientación (100) y la concentración controlada del portador,apoyar la emisión de luz estable y el rendimiento constante del dispositivo en la fabricación de LED y diodos láser.

¿Se puede usar esta oblea directamente para el crecimiento epitaxial?
La oblea está provista de superficies pulidas, baja contaminación de partículas y estricto control de la planitud, lo que permite su uso directo en procesos de crecimiento epitaxial MBE o MOCVD.

¿Se pueden personalizar las especificaciones de las obleas para los diferentes requisitos del proceso?
Opciones como planos de orientación, configuración de muescas, marcado con láser en la parte trasera, acabado de la superficie,y los parámetros eléctricos seleccionados pueden ajustarse a petición para satisfacer las necesidades específicas de equipos y procesos.

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