Sustratos de SiC de grado industrial 6H para electrónica de alta temperatura, UV y de precisión

Substratos de SiC 6H de grado industrial para electrónica de alta temperatura, UV y de precisión

Resumen del producto

Los sustratos de carburo de silicio 6H (SiC) son obleas de cristal único de alta calidad diseñadas para aplicaciones optoelectrónicas de alta temperatura, alto voltaje y especializadas.6H ofrece un politipo hexagonal diferente con movilidad electrónica ligeramente menor pero excelente estabilidad térmica, resistencia mecánica y rentabilidad para usos de nicho como LEDs UV, sensores de alta temperatura y electrónica industrial.

Características clave

• Estructura de cristal hexagonal de 6H:Asegura la estabilidad dimensional y la robustez mecánica durante el procesamiento de las obleas.

• Propiedades eléctricas:Movilidad de electrones moderada adecuada para dispositivos de alta temperatura y alto voltaje; admite huellas de dispositivos más pequeñas.

• Conductividad térmica (~ 390 ∼ 450 W/m·K):Difusión de calor eficiente en módulos de potencia y ambientes hostiles.

• Resistencia mecánica y química:Alta dureza y resistencia a la corrosión para una fiabilidad a largo plazo.

• Opciones de superficies preparadas para epi:Compatible con el crecimiento epitaxial, incluyendo el recocido de hidrógeno y el pulido de CMP.

• Tamaños y espesor personalizables:Disponible en diámetros estándar o adaptado a necesidades de producción específicas.

Aplicaciones

• Dispositivos y sensores de semiconductores de alta temperatura

• LED UV y optoelectrónica especializada

• Electrónica aeroespacial y automotriz expuesta a condiciones extremas

• Electrónica industrial que requiere componentes compactos y robustos

• Investigación y desarrollo en semiconductores de banda ancha

Las especificaciones técnicas (típicas y personalizables)

Ventajas del sustrato cuadrado

• Sensores de alta temperatura y LEDs UV:Los sustratos cuadrados proporcionan una alineación precisa para los electrodos y las bases del paquete.

• Electrónica industrial:Permite un diseño compacto con una alta integración, reduciendo los huecos entre el paquete y el sustrato.

• Circuitos de RF y microondas (opción SI):Reducción de la pérdida de señal para aplicaciones de alta frecuencia.

Proceso de fabricación

1. Síntesis de polvo: materia prima de SiC de alta pureza.

2. Instalación de semillas: semillas de 6H colocadas en una ampolla de crecimiento.

3. Crecimiento a altas temperaturas: la sublimación a 2300-2500 °C forma una bola de SiC.

4. Cortar: la sierra de alambre de diamante corta las obleas.

5. Polish & Inspection: CMP o limpieza de diamantes para superficies preparadas para epi; se proporciona la metrología y el certificado de análisis (CoA).

Principales aplicaciones y casos de uso

• Electrónica de alta temperatura y sensores industriales

• Optoelectrónica UV

• Electrónica aeroespacial y de defensa en condiciones extremas

• Dispositivos de alimentación compactos de alta fiabilidad para mercados de nicho

• Investigación y desarrollo y producción piloto de dispositivos semiconductores de banda ancha

Preguntas frecuentes

1¿Qué hace que los sustratos de 6H SiC sean diferentes de 4H?

6H SiC tiene un politipo hexagonal diferente, menor movilidad de electrones y ventajas rentables para aplicaciones de alta temperatura y especializadas, mientras que 4H es estándar para alta velocidad,dispositivos de alimentación de alta eficiencia.

2¿Puede el SiC 6H soportar altas temperaturas?

Sí, mantiene la estabilidad mecánica y eléctrica en ambientes térmicos extremos.

3¿Los sustratos de SiC 6H son personalizables?

Sí, el diámetro, el grosor, el acabado de la superficie y la conductividad pueden adaptarse a las necesidades de I + D o producción.

4¿Qué industrias utilizan sustratos de 6H SiC?

Sensores de alta temperatura, LEDs UV, electrónica aeroespacial, automotriz e industrial que requieren un rendimiento robusto en condiciones extremas.