Sustrato de carburo de silicio 4H para electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV

Substrato de carburo de silicio 4H para electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV

Resumen del producto

El...Substrato de 4H-SiCes un material de carburo de silicio de cristal único de alta pureza diseñado para electrónica de potencia avanzada, dispositivos de RF y aplicaciones optoelectrónicas.Producido mediante el método PVT y acabado con pulido de precisión CMP, cada sustrato presenta una densidad de defectos muy baja, una excelente conductividad térmica y características eléctricas estables.

Su tamaño compacto es ideal para I + D, prototipos de dispositivos, pruebas de laboratorio y producción a pequeña escala.

Características clave

✔ Calidad de cristal de primer nivel

• Polítipo:4H-SiC

• Conductividad:Dopaje de tipo N

• Densidad de micropipos (MPD):< 1 cm−2

• Densidad de dislocación:< 104 cm−2

✔ Superficies pulidas muy lisas

• Sección de Si (CMP):Ra ≤ 0,5 nm

• Caracterización de las piezas:Ra ≤ 1 nm

• Finalización lista para la epitaxia para un crecimiento epitaxial de alta calidad

✔ Propiedades eléctricas estables

• Resistencia:0.01 ¥0.1 Ω·cm

• Concentración del portador:1 × 1018 5 × 1019 cm−3

• Ideal para estructuras de dispositivos de alta tensión y alta frecuencia

✔ Excelente rendimiento térmico

• Conductividad térmica:490 W/m·K

• Capacidad de temperatura de funcionamiento:hasta 600°C

• Bajo coeficiente de expansión térmica:4.0×10−6 /K

✔ Alta resistencia mecánica

• Dureza de Vickers:28 ∼ 32 GPa

• Resistencia a la flexión:> 400 MPa

• Larga vida útil y excelente resistencia al desgaste

Especificaciones técnicas

Personalización disponible

• Tamaños no estándares: 5×5 mm, 5×10 mm, sustratos redondos de Ø2?? 8 pulgadas

• El espesor:100 ‰ 500 μm o a medida

• Orientación: 4°, 8° o en el eje

• Finalización de la superficie: Polido de una sola cara / polido de dos caras

• Doping: tipo N, tipo P, semi-aislante

• Metalización de la parte posterior

Áreas de aplicación

1Electrónica de energía

Ideal para MOSFETs SiC, SBDs, diodos y prototipos de dispositivos de alto voltaje.

2Infraestructuras de RF y 5G

Se utiliza para amplificadores de potencia de RF (PA), interruptores y dispositivos de onda milimétrica.

3. Vehículos de nueva energía

Apoya el desarrollo de inversores EV, I + D de módulos de potencia y pruebas de banda ancha.

4Aeroespacial y Defensa

Componentes electrónicos resistentes a altas temperaturas y radiación.

5. Optoelectrónica

LEDs UV, fotodiodos, diodos láser y estructuras de GaN en SiC.

6Investigación y desarrollo de universidades y laboratorios

Investigación de materiales, experimentos de epitaxia, fabricación de dispositivos.

Preguntas frecuentes

1¿Cuál es la principal ventaja de 4H-SiC en comparación con 6H-SiC?

El 4H-SiC ofrece una mayor movilidad de electrones, una menor resistencia y un rendimiento superior en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.y módulos de potencia avanzados.

2¿Proporciona sustratos de SiC conductores o semi-aislantes?

Sí, ofrecemos 4H-SiC conductor tipo N para electrónica de potencia y 4H-SiC semi-isolante para aplicaciones de detectores de RF, microondas y UV.

3¿Se puede utilizar el sustrato directamente para la epitaxia?

Sí, nuestros sustratos de 4H-SiC preparados para epi presentan superficies de Si pulidas con CMP con baja densidad de defectos, adecuadas para el crecimiento epitaxial de las capas de GaN, AlN y SiC.