Disco de corte de sustrato 4H-SEMI SiC Diámetro 10 mm espesor 5 mm <0001> Alta dureza

SiC Wafer, Silicon Carbide Wafer, SiC Substrate, Silicon Carbide Substrate, Prime Grade, Dummy Grade, SiC de 2 pulgadas, SiC de 4 pulgadas, SiC de 6 pulgadas, SiC de 8 pulgadas, SiC de 12 pulgadas, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI,Personalización de sustrato de SiC

Aproximadamente 4H-SEMI SiC

- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones

- un cristal hexagonal (4H SiC), hecho de monocristal SiC

- Alta dureza, hasta 9.2 Mohs, sólo superada por el diamante.

- excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.

- características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.

Descripción del SiC 4H-SEMI

Las obleas 4H-Semi SiC se refieren a las obleas de carburo de silicio (SiC) 4H-Semi aislante.

Tales obleas generalmente se fabrican cortando y procesando cristales de 4H-SiC de alta pureza.

El 4H-SiC es un cristal de SiC con una estructura cristalina específica, en la que los átomos de silicio (Si) y átomos de carbono (C) están dispuestos de una manera específica para formar una estructura de red.

Las obleas 4H-SiC han atraído mucha atención debido a su importancia en la industria de semiconductores.

El 4H-SiC tiene una amplia gama de aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de RF y microondas, dispositivos optoelectrónicos y aplicaciones de alta temperatura y alta presión.

Las obleas de 4H-SiC semi-aislantes generalmente exhiben bajas concentraciones de portadores y altas propiedades aislantes, y son adecuadas para muchas aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura.

Estas obleas 4H-Semi SiC se utilizan a menudo para fabricar varios tipos de dispositivos, como MOSFET de potencia, diodos de potencia, amplificadores de potencia de RF, sensores fotoeléctricos, etc.

Su excelente rendimiento, resistencia al alto voltaje, alta conductividad térmica,y estabilidad a altas temperaturas y altas presiones hacen que estas obleas jueguen un papel clave en diversas aplicaciones industriales y de investigación científica.

Detalles del 4H-SiC

Cada tipo de oblea de SiC tiene sus propios detalles físicos.

Otras muestras de 4H SiC

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