Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
monocristal de SiC |
Tipo: |
tipo de n |
Grado: |
Grado primario / de calidad inferior |
Densidad: |
3,2 g/cm3 |
Tamaño: |
5 mm*5 mm |
orientación: |
Se trata de: |
El material: |
monocristal de SiC |
Tipo: |
tipo de n |
Grado: |
Grado primario / de calidad inferior |
Densidad: |
3,2 g/cm3 |
Tamaño: |
5 mm*5 mm |
orientación: |
Se trata de: |
Semi-aislante SiC en una oblea compuesta de Si, una oblea de SiC, una oblea de carburo de silicio, una oblea compuesta, SiC en un sustrato compuesto de Si, un sustrato de carburo de silicio, grado primario, grado falso, SiC cuadrado, 2 pulgadas, 4 pulgadas,6 pulgadas, 8 pulgadas, 12 pulgadas 4H-N, 6H-N, 4H-SEMI
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- el usoMonocristales de SiCpara hacer (Carburo de silicio monocristalino)
- alto rendimiento, alta dureza 9.2, resistente al desgaste
-Amplia banda y alta movilidad de electrones
-Ampliamente utilizado ensectores tecnológicos como la electrónica de potencia, los LED, los sensores, etc.
El sustrato SiC se refiere a una oblea hecha de carburo de silicio (SiC), que es un material semiconductor de banda ancha que tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas.
El 4H-N SiC es un material de carburo de silicio que pertenece a la estructura cristalina 4H en el politipo de carburo de silicio.
Su "N" representa que es un material semiconductor de tipo N con conductividad electrónica.
La estructura 4H es un arreglo de cristal hexagonal apilado de cuatro capas.
Con esta estructura cristalina única, su aplicación en dispositivos electrónicos de alta potencia y alta frecuencia es muy prominente.
El 4H-N SiC tiene una banda ancha (alrededor de 3,26 eV) y aún puede funcionar de manera estable a altas temperaturas, lo que lo hace adecuado para dispositivos electrónicos en entornos extremos.
Su amplia banda proporciona una buena estabilidad térmica y una excelente resistencia a la radiación.especialmente adecuado para ocasiones como la aeroespacial y la energía nuclear que requieren una estabilidad de material extremadamente alta.
Además, el 4H-N SiC tiene una mayor movilidad de electrones y una mayor intensidad de campo eléctrico de descomposición, por lo que se utiliza ampliamente en semiconductores de potencia, dispositivos de radiofrecuencia,y dispositivos electrónicos y energéticos de alta eficiencia, como los vehículos eléctricos.
Sus excelentes propiedades físicas lo convierten en un material clave para futuros sistemas electrónicos de alta eficiencia, que pueden mejorar significativamente la eficiencia y el rendimiento.
| Grado | Grado de producción | Grado de imitación | |
| Diámetro | 150.0 mm +/- 0,2 mm | ||
| El grosor | 500 um +/- 25 um para el 4H-SI350 um +/- 25 um para el 4H-N | ||
| Orientación de la oblea | En el eje: <0001> +/- 0,5 grados para el eje 4H-SIOff: 4,0 grados hacia <11-20> +/- 0,5 grados para 4H-N | ||
| Densidad de micropipo (MPD) | 5 cm-2 | 30 cm-2 | |
| Concentración de dopaje | Tipo N: ~ 1E18/cm3Tipo SI (dopado en V): ~ 5E18/cm3 | ||
| El número de unidades de la serie N es el número de unidades de la serie N. | {10-10} +/- 5,0 grados | ||
| Duración plana primaria (tipo N) | 47.5 mm +/- 2,0 mm | ||
| Noche (tipo semi-aislante) | Noche | ||
| Exclusión de los bordes | 3 mm | ||
| TTV /Bow /Warp | 15um /40um /60um | ||
| La rugosidad de la superficie | Polish Ra 1 nm | ||
| CMP Ra 0,5 nm en la cara de Si | |||
Este es el de 2 pulgadas.
Preguntas frecuentes
1. Q:¿Puedo usar 4H-N SiC personalmente?
R: Sí, usted puede usar 4H-N SiC personalmente, pero asegúrese de tener el conocimiento, el equipo y el presupuesto necesarios para manejarlo y aplicarlo de manera segura.
2.P: ¿Cuáles son las perspectivas futuras de 4H-N SiC
R: Las perspectivas futuras del 4H-N SiC son prometedoras, con una creciente demanda en electrónica de alta potencia, vehículos eléctricos,y tecnologías de semiconductores de próxima generación debido a sus propiedades eléctricas y térmicas superiores.
