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Características del 4H-N SiC
- El usoMonocristales de SiCpara la fabricación
- Apoyar a los personalizados con diseño de obras de arte
- Rendimiento excepcional, amplio intervalo de banda y alta movilidad de electrones
- Dureza superior, 9.2 en la escala de Mohs para la resistencia a los arañazos
- Ampliamente utilizado enSe trata de un proyecto de investigación y desarrollo que se ha desarrollado en el ámbito de la tecnología.
Sobre el 4H-N SiC
El sustrato SiC se refiere a una oblea hecha de carburo de silicio (SiC), que es un material semiconductor de banda ancha que tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas.
Los sustratos de SiC se utilizan comúnmente como plataforma para el crecimiento de capas epitaxiales de SiC u otros materiales, que pueden utilizarse para fabricar diversos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.con una capacidad de transmisión superior a 300 W, diodos Schottky, fotodetectores UV y LED.
Los sustratos de SiC se prefieren a otros materiales semiconductores, como el silicio, para aplicaciones electrónicas de alta potencia y alta temperatura debido a sus propiedades superiores.incluido el mayor voltaje de ruptura, mayor conductividad térmica y temperatura máxima de funcionamiento más alta.
Los dispositivos SiC pueden funcionar a temperaturas mucho más altas que los dispositivos basados en silicio, lo que los hace adecuados para su uso en entornos extremos, como en aplicaciones automotrices, aeroespaciales y energéticas.
* Se incluyen los siguientes detalles:
| Grado |
Grado de producción |
Grado de imitación |
| Diámetro |
150.0 mm +/- 0,2 mm |
| El grosor |
500 um +/- 25 um para el 4H-SI350 um +/- 25 um para el 4H-N |
| Orientación de la oblea |
En el eje: <0001> +/- 0,5 grados para el eje 4H-SIOff: 4,0 grados hacia <11-20> +/- 0,5 grados para 4H-N |
| Densidad de micropipo (MPD) |
5 cm-2 |
30 cm-2 |
| Concentración de dopaje |
Tipo N: ~ 1E18/cm3Tipo SI (dopado en V): ~ 5E18/cm3 |
| El número de unidades de la serie N es el número de unidades de la serie N. |
{10-10} +/- 5,0 grados |
| Duración plana primaria (tipo N) |
47.5 mm +/- 2,0 mm |
| Noche (tipo semi-aislante) |
Noche |
| Exclusión de los bordes |
3 mm |
| TTV /Bow /Warp |
15um /40um /60um |
| La rugosidad de la superficie |
Polish Ra 1 nm |
| CMP Ra 0,5 nm en la cara de Si |
Más muestras
* También aceptamos la personalización si tiene necesidades adicionales.
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Preguntas frecuentes sobre el 4H-N SiC
1P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H-N SiC y 4H-Semi SiC
R: 4H-N SiC es un carburo de silicio sin dopar de alta pureza con un rendimiento eléctrico superior adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Mientras que el 4H-Semi SiC es semi-isolante con niveles de doping variables, diseñado para aplicaciones que requieren aislamiento eléctrico.
2P: ¿Cómo se compara la conductividad térmica de 4H-N SiC con otros semiconductores?
R: El 4H-N SiC tiene una conductividad térmica más alta que muchos otros semiconductores, lo que ayuda a una mejor disipación de calor y gestión térmica.
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