Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
monocristal de SiC |
Tipo: |
Tipo 4H-N |
Es el día.: |
100 mm |
El grosor: |
350 mm |
orientación: |
Fuera del eje: 4° hacia <1120> |
Grado: |
Grado P o Grado D |
El material: |
monocristal de SiC |
Tipo: |
Tipo 4H-N |
Es el día.: |
100 mm |
El grosor: |
350 mm |
orientación: |
Fuera del eje: 4° hacia <1120> |
Grado: |
Grado P o Grado D |
- El usoMonocristales de SiCpara la fabricación
- Apoyar a los personalizados con diseño de obras de arte
- Rendimiento excepcional, amplio intervalo de banda y alta movilidad de electrones
- Dureza superior, 9.2 en la escala de Mohs para la resistencia a los arañazos
- Ampliamente utilizado enSe trata de un proyecto de investigación y desarrollo que se ha desarrollado en el ámbito de la tecnología.
Sobre el 4H-N SiC
El sustrato SiC se refiere a una oblea hecha de carburo de silicio (SiC), que es un material semiconductor de banda ancha que tiene excelentes propiedades eléctricas y térmicas.
Los sustratos de SiC se utilizan comúnmente como plataforma para el crecimiento de capas epitaxiales de SiC u otros materiales, que pueden utilizarse para fabricar diversos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.con una capacidad de transmisión superior a 300 W, diodos Schottky, fotodetectores UV y LED.
Los sustratos de SiC se prefieren a otros materiales semiconductores, como el silicio, para aplicaciones electrónicas de alta potencia y alta temperatura debido a sus propiedades superiores.incluido el mayor voltaje de ruptura, mayor conductividad térmica y temperatura máxima de funcionamiento más alta.
Los dispositivos SiC pueden funcionar a temperaturas mucho más altas que los dispositivos basados en silicio, lo que los hace adecuados para su uso en entornos extremos, como en aplicaciones automotrices, aeroespaciales y energéticas.
* Se incluyen los siguientes detalles:
| Grado | Grado de producción | Grado de imitación | |
| Diámetro | 150.0 mm +/- 0,2 mm | ||
| El grosor | 500 um +/- 25 um para el 4H-SI350 um +/- 25 um para el 4H-N | ||
| Orientación de la oblea | En el eje: <0001> +/- 0,5 grados para el eje 4H-SIOff: 4,0 grados hacia <11-20> +/- 0,5 grados para 4H-N | ||
| Densidad de micropipo (MPD) | 5 cm-2 | 30 cm-2 | |
| Concentración de dopaje | Tipo N: ~ 1E18/cm3Tipo SI (dopado en V): ~ 5E18/cm3 | ||
| El número de unidades de la serie N es el número de unidades de la serie N. | {10-10} +/- 5,0 grados | ||
| Duración plana primaria (tipo N) | 47.5 mm +/- 2,0 mm | ||
| Noche (tipo semi-aislante) | Noche | ||
| Exclusión de los bordes | 3 mm | ||
| TTV /Bow /Warp | 15um /40um /60um | ||
| La rugosidad de la superficie | Polish Ra 1 nm | ||
| CMP Ra 0,5 nm en la cara de Si | |||
Más muestras
Otros productos de SiC recomiendan
2. 2sp 4H-SEMI 4H-N SIC Wafer de carburo de silicio 10 X 10 X 0,5 mm
Preguntas frecuentes sobre el 4H-N SiC
1P: ¿Cuál es la diferencia entre 4H-N SiC y 4H-Semi SiC
R: 4H-N SiC es un carburo de silicio sin dopar de alta pureza con un rendimiento eléctrico superior adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Mientras que el 4H-Semi SiC es semi-isolante con niveles de doping variables, diseñado para aplicaciones que requieren aislamiento eléctrico.
2P: ¿Cómo se compara la conductividad térmica de 4H-N SiC con otros semiconductores?
R: El 4H-N SiC tiene una conductividad térmica más alta que muchos otros semiconductores, lo que ayuda a una mejor disipación de calor y gestión térmica.
