Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
monocristal de SiC |
Tipo: |
Tipo 4H-N |
El grosor: |
350 mm y 500 mm |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Superficie: |
CMP de cara de Si; cara C Mp; |
Orientación de la oblea: |
Fuera del eje: 4o hacia <1120> +/- 0,5o |
El material: |
monocristal de SiC |
Tipo: |
Tipo 4H-N |
El grosor: |
350 mm y 500 mm |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Superficie: |
CMP de cara de Si; cara C Mp; |
Orientación de la oblea: |
Fuera del eje: 4o hacia <1120> +/- 0,5o |
- el usoSIC Monocristalinohacer
- apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones
- alto rendimiento, amplio intervalo de banda, alta movilidad de electrones
- alta dureza, alrededor de 9,2 Mohs
- ampliamente utilizados en áreas de alta tecnología, como la electrónica de potencia, los LED y los sensores
Las obleas de carburo de silicio (SiC), compuestas de silicio y carbono, son un material semiconductor crucial utilizado en varias aplicaciones.
Conocidas por sus características eléctricas y térmicas, las obleas de SiC desempeñan un papel esencial en la industria de semiconductores.
Son especialmente ventajosas en ambientes de alta temperatura y ofrecen varias ventajas sobre las obleas de silicio convencionales.
*La hoja de especificaciones del producto se encuentra a continuación.
| Propiedad | Grado P | Grado D |
| Forma de cristal | 4H-N | |
| Polítipo | Ninguno permitido | Área ≤ 5% |
| (MPD) a | ≤ 1/cm2 | ≤ 5 / cm2 |
| Placas hexagonales | Ninguno permitido | Área ≤ 5% |
| Polícristal hexagonal | Ninguno permitido | |
| Las inclusiones | Área ≤ 0,05% | No incluido |
| Resistencia | 0.015Ω•cm 0.028Ω•cm | 0.014Ω•cm 0.028Ω•cm |
| (EPD) a | ≤ 8000/cm2 | No incluido |
| (TED) a | Se trata de un producto que se utiliza para la fabricación de productos químicos. | No incluido |
| (BPD) a | ≤ 2000/cm2 | No incluido |
| (TDS) a | ≤ 1000/cm2 | No incluido |
| Fallo de apilamiento | ≤ 1% Área | No incluido |
| Contaminación por metales de la superficie | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11cm-2 | |
La cadena industrial de carburo de silicio (SiC) consta de varias etapas clave: preparación del material del sustrato, crecimiento de la capa epitaxial, fabricación de dispositivos y aplicaciones aguas abajo.
Los monocristales de SiC se producen típicamente mediante el método de transmisión física de vapor (PVT).
Estos cristales sirven entonces como sustratos para el proceso de deposición de vapor químico (CVD), que crea capas epitaxiales.
Estas capas se utilizan posteriormente para fabricar varios dispositivos.
En la industria de los dispositivos de SiC, la mayor parte del valor se concentra en la fase de fabricación de sustratos en la cadena anterior debido a su complejidad técnica.
La compañía ZMSH ofrece obleas de SiC en tamaños de 2 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas, 8 pulgadas y 12 pulgadas.
Si tiene otros requisitos de tamaño, podemos personalizarlos. (por favor, díganos los parámetros específicos)
Debido a su excepcional dureza (SiC es el segundo material más duro del mundo) y estabilidad bajo altas temperaturas y tensión,
El SiC se utiliza ampliamente en múltiples industrias.
*Podemos personalizarlo si tiene más requisitos.
Tenemos un equipo de ingeniería experimentado, experiencia en gestión, equipo de procesamiento de precisión e instrumentos de prueba,que nos proporciona capacidades extremadamente fuertes en el procesamiento de productos no estándar.
Podemos investigar, desarrollar y diseñar varios productos nuevos de acuerdo con las necesidades del cliente.
La empresa se adherirá al principio de "centrada en el cliente, basada en la calidad" y se esforzará por convertirse en una empresa de alta tecnología de primer nivel en el campo de los materiales optoelectrónicos.
*cuando fabricamos el SiC
1. 2 pulgadas de Sic Substrato 6H-N Tipo de espesor 350um, 650um Sic Wafer
1P: ¿Cómo se compara el 4H-N SiC con el silicio?
R: 4H-N SiC tiene una banda ancha más amplia, mayor conductividad térmica y mejor voltaje de descomposición en comparación con el silicio.
2P: ¿Cuáles son las perspectivas futuras para la tecnología 4H-N SiC?
R: Las perspectivas futuras para la tecnología 4H-N SiC son prometedoras, con una creciente demanda en electrónica de potencia, energía renovable y sistemas electrónicos avanzados.
