Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm

Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm

Descripción del producto

ZMSH se ha convertido en el principal fabricante y proveedor de obleas de sustrato de SiC (carburo de silicio).Nos enorgullecemos de ofrecer los precios más competitivos en el mercado para 2 pulgadas y 3 pulgadas de investigación grado de Wafers de sustrato SiC, ofreciendo a los clientes un valor excepcional.

Las obleas de sustrato de SiC encuentran aplicaciones en una amplia gama de diseños de dispositivos electrónicos, particularmente en productos que requieren capacidades de alta potencia y alta frecuencia.Estas obleas desempeñan un papel crucial en el desarrollo de sistemas electrónicos avanzados y eficientes.

Además, las obleas de sustrato de SiC se utilizan ampliamente en el campo de la tecnología LED (diodo emisor de luz).Los LED son dispositivos semiconductores que generan luz de bajo calor y eficiencia energética mediante la combinación de electrones y agujerosLas obleas de sustrato de SiC contribuyen significativamente al rendimiento y la fiabilidad de los LED, convirtiéndolos en un componente esencial en la industria de los LED.

En ZMSH, estamos comprometidos a proporcionar obleas de sustrato SiC de alta calidad a los mejores precios, satisfaciendo las diversas necesidades de nuestros clientes en varias industrias.

Parámetro del producto

Aplicación del producto

Las obleas de carburo de silicio (oleas de SiC) son muy buscadas por su idoneidad en la electrónica automotriz, dispositivos optoelectrónicos y aplicaciones industriales.Estas obleas abarcan tanto sustratos de SiC tipo 4H-N como sustratos de SiC semi-aislantes, que sirven como componentes cruciales en una amplia gama de dispositivos.

Los sustratos de SiC de tipo 4H-N poseen propiedades excepcionales, incluida una amplia banda que permite una conmutación de potencia eficiente en la electrónica.Muestran una notable resistencia al desgaste mecánico y la oxidación química, por lo que son ideales para aplicaciones que requieren un funcionamiento a altas temperaturas y una baja pérdida de potencia.

Los sustratos de SiC semi-aislantes ofrecen una excelente estabilidad y resistencia térmica, lo que los hace adecuados para diversas aplicaciones optoelectrónicas.Su capacidad para mantener la estabilidad en dispositivos de alta potencia es particularmente valiosaAdemás, los sustratos de SiC semi-aislantes pueden utilizarse como obleas unidas, desempeñando un papel vital en el desarrollo de dispositivos microelectrónicos de alto rendimiento.

Las características únicas de las obleas de SiC las hacen altamente versátiles para una amplia gama de aplicaciones, con particular prominencia en los sectores automotriz, optoelectrónica e industrial.Las obleas de SiC son componentes indispensables en el panorama tecnológico actual y siguen ganando popularidad en diversas industrias.

Preguntas frecuentes

¿Qué es un sustrato de SiC?

¿Qué son las obleas y sustratos de carburo de silicio (SiC)?

Las obleas y sustratos de carburo de silicio (SiC) son materiales especializados utilizados en tecnología de semiconductores hechos de carburo de silicio, un compuesto conocido por su alta conductividad térmica,excelente resistencia mecánica, y una banda ancha.

Un sustrato de SiC, o sustrato de carburo de silicio, es un material cristalino utilizado como base o base sobre la cual se fabrican dispositivos semiconductores.Está compuesto de átomos de silicio y carbono dispuestos en una estructura de red cristalinaLos sustratos de SiC están diseñados para tener características eléctricas, térmicas,y propiedades mecánicas que los hacen muy adecuados para una amplia gama de aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas.

Los sustratos de SiC ofrecen varias ventajas sobre los materiales semiconductores tradicionales como el silicio (Si), incluyendo:

Amplio intervalo de banda: SiC tiene un amplio intervalo de banda, generalmente alrededor de 2,9 a 3,3 electrón voltios (eV), lo que permite la fabricación de dispositivos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.Este amplio intervalo de banda permite que los dispositivos funcionen de manera eficiente a temperaturas y voltajes más altos mientras se minimiza la corriente de fuga.
Alta conductividad térmica: Los sustratos de SiC tienen una excelente conductividad térmica, lo que permite una disipación eficiente del calor generado durante el funcionamiento del dispositivo.Esta propiedad es crítica para mantener la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
Estabilidad química: El SiC es químicamente estable y resistente a la corrosión, por lo que es adecuado para su uso en ambientes hostiles y procesos químicos reactivos.Esta estabilidad garantiza la fiabilidad y estabilidad a largo plazo del dispositivo en diversas condiciones de funcionamiento.
Dureza mecánica: Los sustratos de SiC presentan una alta dureza mecánica y rigidez, junto con resistencia al desgaste mecánico y la deformación.Estas propiedades contribuyen a la durabilidad y longevidad de los dispositivos fabricados en sustratos de SiC.
Alta tensión de ruptura: los dispositivos SiC pueden soportar tensiones de ruptura más altas en comparación con los dispositivos basados en silicio,que permite el diseño de dispositivos electrónicos de potencia y de alta tensión más robustos y fiables.
Alta movilidad de electrones: Los sustratos de SiC tienen una alta movilidad de electrones, lo que resulta en un transporte de electrones más rápido y velocidades de conmutación más altas en dispositivos electrónicos.Esta propiedad es ventajosa para aplicaciones que requieren un funcionamiento de alta frecuencia y velocidades de conmutación rápidas.

En general, los sustratos de SiC desempeñan un papel crucial en el desarrollo de dispositivos semiconductores avanzados para aplicaciones en electrónica de potencia, comunicaciones de radiofrecuencia (RF), optoelectrónica,electrónica de alta temperaturaSu combinación única de energía eléctrica, térmica,Las propiedades mecánicas y de la energía los hacen indispensables para permitir la próxima generación de sistemas electrónicos y fotónicos en varias industrias..