Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Packaging Details: customzied plastic box
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Payment Terms: T/T
Superficie: |
CMP de cara de Si; cara C Mp; |
Tensión de ruptura: |
5,5 milivoltios/cm |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Conductividad térmica: |
4,9 W/mK |
Constante dieléctrica: |
9,7 |
Resistencia: |
0,015 ~ 0,028 ohmios cm; O >1E7ohm.cm; |
Dureza de la superficie: |
HV0.3>2500 |
dopante: |
No incluido |
Superficie: |
CMP de cara de Si; cara C Mp; |
Tensión de ruptura: |
5,5 milivoltios/cm |
Densidad: |
3.21 G/cm3 |
Conductividad térmica: |
4,9 W/mK |
Constante dieléctrica: |
9,7 |
Resistencia: |
0,015 ~ 0,028 ohmios cm; O >1E7ohm.cm; |
Dureza de la superficie: |
HV0.3>2500 |
dopante: |
No incluido |
Las ofertas completas de Coherent en obleas epitaxiales de SiC no solo aceleran el desarrollo de productos, sino que también reducen sustancialmente los costos de producción y mejoran el rendimiento general de los dispositivos.De diámetros de hasta 200 mmLa flexibilidad en la personalización incluye opciones tales como capas gruesas de epilación,con o sin capas amortiguadorasAdemás, la tecnología de Coherent permite la integración de estructuras complejas como configuraciones multicapa,las uniones p-nEste nivel de personalización garantiza que los clientes puedan afinar las propiedades del sustrato para que se ajusten a sus requisitos exactos,optimizando así la funcionalidad y la eficiencia del dispositivoAdemás, el compromiso de Coherent de apoyar a los clientes desde la fase de investigación hasta la producción en serie demuestra un sólido enfoque de asociación.facilitar una transición más fluida del prototipo a productos listos para el mercadoEsta solución holística permite a los fabricantes de semiconductores mantenerse a la vanguardia en los mercados competitivos mediante el aprovechamiento de materiales de alto rendimiento diseñados para tecnologías futuras.
| Pecificación | Valor |
| Nombre del producto | Substrato de SiC |
| Tensión de ruptura | 5.5 MV/cm |
| Resistencia a la tracción | > 400 MPa |
| Coeficiente de expansión térmica | 4.5 X 10-6/K |
| Constante dieléctrica | 9.7 |
| Superficie | Si-face CMP; C-face Mp. Se trata de una combinación de las siguientes características: |
Aplicaciones:
Los sustratos de carburo de silicio (SiC), particularmente los de diámetros más grandes como 6 pulgadas y 8 pulgadas, son cada vez más fundamentales en la industria de semiconductores,especialmente para aplicaciones que requieren capas epitaxialesEstos sustratos son conocidos por sus sobresalientes propiedades materiales que incluyen una alta conductividad térmica, un excelente aislamiento eléctrico y una resistencia mecánica superior.Los sustratos de SiC de mayor diámetro facilitan mayores rendimientos en la fabricación de dispositivos, lo que las hace altamente eficientes para la producción a gran escala.
La preparación epitaxial en SiC consiste en depositar una capa cristalina de carburo de silicio en el sustrato de SiC para formar un único cristal estructural y químicamente consistente.Este proceso es crítico para aplicaciones en electrónica de potencia y optoelectrónica, donde el rendimiento del dispositivo se ve significativamente mejorado por la calidad de la capa epitaxial.El uso de la tecnología de corte por láser en la preparación de estos sustratos garantiza dimensiones precisas y un mínimo desperdicio de material, mejorando la eficiencia general del proceso de fabricación.
Cada sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas y 8 pulgadas está empaquetado individualmente con el máximo cuidado para garantizar la máxima protección.El proceso comienza con una limpieza y inspección minuciosas para garantizar que solo se empaquen sustratos libres de defectos.Cada sustrato es entonces envuelto en un material antiestático para protegerse contra arañazos y daños estáticos.Contenedor rígido diseñado para minimizar el movimiento y evitar cualquier daño físicoEste recipiente se amortigua con espuma o envoltura de burbujas dentro de una caja secundaria, que está bien sellada y claramente etiquetada con información esencial sobre el manejo y el contenido.Para sustratos sensibles a las condiciones ambientales, se agregan medidas como paquetes de gel de sílice para controlar la humedad, asegurando que los sustratos de SiC lleguen en condiciones óptimas, listos para aplicaciones de alta precisión en la fabricación de semiconductores.
El producto de sustrato de SiC se enviará a través de un servicio de mensajería de buena reputación. El método de envío dependerá de la ubicación y preferencias del cliente.Se proporcionará a los clientes un número de seguimiento para monitorear el progreso de su envíoLos tiempos de entrega variarán según el destino, pero los clientes pueden esperar que su pedido llegue dentro de 7-10 días hábiles.
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