los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea

el azul del GaN-EN-zafiro de 2inch 4inch 6inch llevó la epi-oblea PSS para el HEMT

Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en las obleas del epi del zafiro para los usos de la electrónica de la microonda con un grueso de 2 en la pulgada de los substratos 430um del zafiro del C-avión, 4 pulgadas 520um, 650um y 6 pulgadas 1000-1300um, el valor normal de la capa del almacenador intermediario de GaN son 2-4um; podemos también proporcionar las estructuras y los parámetros modificados para requisitos particulares según requisitos de cliente.

GaN en Sapphire Templates

GaN en plantillas del zafiro está disponible en diámetros a partir de la 2" hasta 6" y consiste en una capa delgada de GaN cristalino crecida por HVPE en un substrato del zafiro. plantillas Epi-listas ahora disponibles

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Características de tubería (azules/estructura verde del LED):
buena calidad cristalina
Dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento

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envíenos el correo electrónico en eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH es fabricante principal de material del semiconductor en China. ZMSH desarrolla tecnologías avanzadas del crecimiento cristalino y de la epitaxia, procesos de fabricación, los substratos dirigidos y los dispositivos de semiconductor. Nuestras tecnologías permiten un rendimiento más alto y una fabricación más barata de la oblea de semiconductor.

Usted puede conseguir nuestro servicio libre de la tecnología de la investigación después del servicio basado en nuestras experiencias 10+ en línea del semiconductor.