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Detalles de los productos

Created with Pixso. Hogar Created with Pixso. PRODUCTOS Created with Pixso.
Oblea del nitruro del galio
Created with Pixso. los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea

los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea

Nombre De La Marca: ZMSH
Número De Modelo: el azul del GaN-EN-zafiro 2inch llevó la epi-oblea
MOQ: 5pcs
Precio: usd150.00
Tiempo De Entrega: 1-4week;
Condiciones De Pago: T/T, Western Union
Información detallada
Lugar de origen:
China
Certificación:
rohs
Material:
epi-obleas del GaN-EN-zafiro
Substrato:
Zafiro
Tamaño:
2-6inch
Superficie:
SSP/DSP
Cantidad mínima de OEM:
20pcs
Grueso:
430um para 2inch
grueso del epi:
1-5um
Uso:
LED
Detalles de empaquetado:
solo envase de la oblea o caja del casete 25pcs bajo sitio 100cleaning
Capacidad de la fuente:
1000PCS/Month
Resaltar:

Oblea de GaN LED Epi

,

Oblea del zafiro LED Epi

,

Oblea del arseniuro de galio de 6 pulgadas

Descripción de producto

el azul del GaN-EN-zafiro de 2inch 4inch 6inch llevó la epi-oblea PSS para el HEMT

Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en las obleas del epi del zafiro para los usos de la electrónica de la microonda con un grueso de 2 en la pulgada de los substratos 430um del zafiro del C-avión, 4 pulgadas 520um, 650um y 6 pulgadas 1000-1300um, el valor normal de la capa del almacenador intermediario de GaN son 2-4um; podemos también proporcionar las estructuras y los parámetros modificados para requisitos particulares según requisitos de cliente.

GaN en Sapphire Templates

GaN en plantillas del zafiro está disponible en diámetros a partir de la 2" hasta 6" y consiste en una capa delgada de GaN cristalino crecida por HVPE en un substrato del zafiro. plantillas Epi-listas ahora disponibles

Como un fabricante y proveedor principales de las obleas del epi de GaN (nitruro del galio), ofrecemos 2-6inch GaN en las obleas del epi del zafiro para los usos de la electrónica de la microonda con un grueso de 2 en la pulgada de los substratos 430um del zafiro del C-avión, 4 pulgadas 520um, 650um y 6 pulgadas 1000-1300um, el valor normal de la capa del almacenador intermediario de GaN son 2-4um; podemos también proporcionar las estructuras y los parámetros modificados para requisitos particulares según requisitos de cliente.

ZMSH está confiado para producir las epi-obleas azules de alta calidad del LED en planar
substratos y modelo Sapphire Substrates (PSS) del zafiro con tamaño de la oblea a partir de 2 pulgadas a 6 pulgadas.
La calidad de la oblea resuelve espec. siguientes:

los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea 0

los substratos del orSapphire del GaN-en-zafiro 6Inch basaron el HEMT llevado azul de la Epi-oblea 1

Características de tubería (azules/estructura verde del LED):
buena calidad cristalina
Dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento

Para más información, visite por favor nuestra página web la otra página;
envíenos el correo electrónico en eric-wang@galliumnitridewafer.com

ZMSH es fabricante principal de material del semiconductor en China. ZMSH desarrolla tecnologías avanzadas del crecimiento cristalino y de la epitaxia, procesos de fabricación, los substratos dirigidos y los dispositivos de semiconductor. Nuestras tecnologías permiten un rendimiento más alto y una fabricación más barata de la oblea de semiconductor.

Usted puede conseguir nuestro servicio libre de la tecnología de la investigación después del servicio basado en nuestras experiencias 10+ en línea del semiconductor.