substratos de 2inch GaAs, oblea del GaAs para llevado, obleas cristalinas del arseniuro de galio, oblea del GaAs del dopante de Si/Zn (compuesto de A de los elementos galio y arsénico. Es un semiconductor directo del bandgap de III-V con una estructura cristalina de la blenda de cinc)
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Uso:
1. Utilizado principalmente en electrónica, aleaciones de baja temperatura, arseniuro de galio.
2. El compuesto químico primario del galio en electrónica, se utiliza en circuitos de la microonda, circuitos de alta velocidad de la transferencia, y circuitos infrarrojos.
3. El nitruro del galio y el nitruro del galio del indio, porque las aplicaciones del semiconductor, producen los diodos electroluminosos azules y violetas (LEDs) y los lasers del diodo.
Especificación
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Parámetro |
Valores garantizados/reales | UOM | |
| Método del crecimiento: | VGF | ||
| Tipo de la conducta: | PECADO | ||
| Dopante: | Sin impurificar | ||
| Diámetro: | 50.8± 0,1 | milímetro | |
| Orientación: | ± 0,50 (de 100) | ||
| De la ubicación/de la longitud: | ± 0,50/16±1 de EJ [0-1-1] | ||
| SI ubicación/longitud: | ± 0,50/7±1 de EJ [0-1 1] | ||
| Resistencia: | Minuto: 1,0 E8 | Máximo: 2,2 E8 | Ω·cm |
| Movilidad: | >2000 | cm2s/v.s | |
| EPD: | <1500 | / cm2s | |
| Grueso: | 350± 20 | µm | |
| Redondeo del borde: | 0,25 | mmR | |
| Marca del laser: | N/A | ||
| TTV/TIR: | Máximo: 10 | µm | |
| ARCO: | Máximo: 10 | µm | |
| Deformación: | Máximo: 10 | µm | |
| Cuenta de Partical: | <50/wafer(paralapartícula >0.3um) | ||
| Frente superficial del final: | Pulido | ||
| Final superficial – trasero: | Grabado al agua fuerte | ||
| Epi-listo: |
Sí |
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| Parámetro | Los requisitos de cliente | Valores garantizados/reales | UOM | ||
| Método del crecimiento: | VGF | VGF | |||
| Tipo de la conducta: | S-C-P | S-C-P | |||
| Dopante: | GaAs-Zn | GaAs-Zn | |||
| Diámetro: | 50.8± 0,4 | 50.8± 0,4 | milímetro | ||
| Orientación: | ± 0,50 (de 100) | ± 0,50 (de 100) | |||
| De la ubicación/de la longitud: | ± 0,50/16±1 de EJ [0-1-1] | ± 0,50/16±1 de EJ [0-1-1] | |||
| SI ubicación/longitud: | ± 0,50/7±1 de EJ [0-1 1] | ± 0,50/7±1 de EJ [0-1 1] | |||
| Lingote cc: | Minuto: 1 E19 | Máximo: 5 E19 | Minuto: 1,4 E19 | Máximo: 1,9 E19 | /cm 3 |
| Resistencia: | Minuto: N/A | Máximo: N/A | Minuto: N/A | Máximo: N/A | Ω·cm |
| Movilidad: | Minuto: N/A | Máximo: N/A | Minuto: N/A | Máximo: N/A | cm2s/v.s |
| EPD: | Máximo: 5000 | Minuto: 600 | Máximo: 700 | / cm2s | |
| Grueso: | 350±25 | 350±25 | µm | ||
| Frente superficial del final: | Pulido | Pulido | |||
| Final superficial – trasero: | Grabado al agua fuerte | Grabado al agua fuerte | |||
| Epi-listo: |
Sí |
Sí |
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FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y el etc.
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(1) para los productos estándar tales como lente de la bola, lente de powell y lente del colimador:
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Depende de cantidad y de técnicas
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
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Empaquetado – Logistcs
Worldhawk se refiere a cada uno los detalles del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
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