| Nombre De La Marca: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tiempo De Entrega: | 2-4 semanas |
| Condiciones De Pago: | T/T |
Substrato de zafiro SSP de 4 pulgadas para aplicaciones ópticas y LED
Resumen general
Nuestros sustratos de zafiro de 4 pulgadas de plano C SSP (polido de lado único) son obleas monocristalinas de Al2O3 de alta pureza diseñadas para aplicaciones avanzadas de semiconductores, optoelectrónica y óptica.Con una resistencia mecánica excepcional, estabilidad térmica y transparencia óptica, estas obleas son ideales para el crecimiento epitaxial de GaN, AlN y otros compuestos III-V o II-VI utilizados en LED, diodos láser,y componentes ópticos de alta precisión.
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Características clave
Zafiro monocristalino de alta pureza (Al2O3)
Orientación del plano C (0001) con una tolerancia de ±0,3°
Superficie pulida de un solo lado (SSP), frente Ra < 0,2 nm
Excelente planitud y baja inclinación (< 15 μm)
Alta estabilidad térmica y química para ambientes adversos
Disponible eje, diámetro y grosor personalizables
Especificaciones
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| Diámetro | Se aplicarán las siguientes medidas: |
| Orientación | Se aplicará el método siguiente: |
| El grosor | 650 μm ± 15 μm |
| - ¿ Por qué? | < 15 μm |
| Superficie delantera | Polido de una sola cara (Ra < 0,2 nm) |
| Superficie trasera | Se utilizará para la obtención de la siguiente información: |
| TTV (variación del grosor total) | ≤ 20 μm |
| Variación de espesor local (LTV) | ≤ 20 μm |
| La velocidad warp. | ≤ 20 μm |
| El material | > 99,99% de alta pureza Al2O3 |
Propiedades mecánicas y térmicas
Dureza de Mohs: 9 (sólo superada por el diamante)
Conductividad térmica: 25 W/m·K
Punto de fusión: 2045°C
La baja expansión térmica garantiza la estabilidad dimensional
Propiedades ópticas y electrónicas
Transparencia óptica: 190 nm 5500 nm
Indice de refracción: ~ 1.76
Resistividad intrínseca: 1E16 Ω·cm
Excelente aislante con baja pérdida dieléctrica
Aplicaciones
Substrato para GaN, AlN y crecimiento epitaxial III-V o II-VI
Producción de LED azul, verde y blanco
Substratos de diodos láser (LD)
Componentes y ventanas ópticas infrarrojas (IR)
Óptica de alta precisión y microelectrónica
Dispositivos SOS (Silicon-on-Sapphire) y RFIC
¿Por qué elegir C-Plane Sapphire?
El zafiro de plano C presenta una alta anisotropía, una excelente resistencia a los arañazos y una baja pérdida dieléctrica, lo que lo hace ideal para aplicaciones semiconductoras, ópticas y microelectrónicas.Su estructura cristalina permite un crecimiento epitaxial de alta calidad con un desajuste de red mínimo para los LED basados en GaN y otros dispositivos de película delgada.
Embalaje y envío
Embalaje estándar para salas limpias (clase 100), oblea única o caja de casetes
Sellado al vacío para la entrega libre de contaminación
Embalaje personalizado disponible bajo petición
Preguntas frecuentes
- ¿ Qué?¿Cuál es la diferencia entre las obleas de zafiro SSP y DSP?
A: ¿Qué quieres decir?El SSP está pulido de un solo lado, adecuado para el crecimiento epitaxial en el lado pulido; el DSP está pulido de doble lado, proporcionando superficies ultra planas en ambos lados para aplicaciones ópticas de gama alta.
- ¿ Qué?¿Se puede personalizar la oblea?
A: ¿Qué quieres decir?Sí, aceptamos diámetros personalizados, espesores y orientación del eje según las especificaciones del cliente.
- ¿ Qué?¿Cuáles son las aplicaciones comunes de las obleas de zafiro de plano C de 4 pulgadas?
A: ¿Qué quieres decir?Se utilizan ampliamente para sustratos de LED GaN, sustratos de diodos láser, ventanas IR, dispositivos SOS y otras aplicaciones optoelectrónicas o semiconductoras de alta precisión.
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