4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia

Solución de semiconductores de alto rendimiento para electrónica avanzada

El...Substrato de carburo de silicio (SiC) de tipo 4H-N de 10 × 10 mmes un material semiconductor de alto rendimiento basado en la tecnología SiC de tercera generación.Transporte físico de vapor (PVT)o bienDeposición química de vapor a altas temperaturas (HTCVD), ofrece propiedades térmicas, eléctricas y mecánicas excepcionales.± 0,05 mmy rugosidad de la superficieRa < 0,5 nm, es ideal para prototipos de dispositivos de potencia, componentes de RF y sistemas optoelectrónicos.4H-SiCo bien6H-SiClos politipos, con opciones de dopado de tipo N o tipo P, y se someten a rigurosas inspecciones de calidad (por ejemplo, XRD, microscopía óptica) para garantizar la fiabilidad de los semiconductores.

Cuadro 1: Parámetros clave del sustrato SiC de tipo 4H-N de 10 × 10 mm

• Gestión térmica superior: con una conductividad térmica de490 W/m·K(3 veces mayor que el silicio), el sustrato permite una disipación de calor eficiente, reduciendo las temperaturas de funcionamiento del dispositivo y mejorando la longevidad del sistema.

• Tolerancia a la alta tensión: una intensidad de campo de ruptura de2 ̊4 MV/cm(más de 10 veces superior al silicio) soporta aplicaciones de alta potencia, mientras que una alta velocidad de deriva de saturación de electrones (2 × 107 cm/s) beneficia a los diseños de alta frecuencia.

• Robustez mecánica: dureza de Vickers de28 ∼ 32 GPay resistencia a la flexión >400 MPaproporcionan 5×10 veces más vida útil que los materiales convencionales.

• Estabilidad del medio ambiente: Temperaturas de funcionamiento de hasta600 °Cy un bajo coeficiente de expansión térmica (4.0×10−6/K) para garantizar el rendimiento en condiciones extremas.

Cuadro 2: Áreas de aplicación principales de los sustratos de SiC de 10 × 10 mm

• Geometría: formas redondas, rectangulares o definidas por el usuario.

• El dopaje: tipo N o tipo P con concentraciones de1015 a 1019 cm−3.

• El grosor: 100×500 μm, con metallización posterior opcional para una mejor integración.

El sustrato SiC tipo 10×10mm 4H-N combina propiedades avanzadas de materiales con flexibilidad en el diseño, lo que lo convierte en un facilitador crítico para la electrónica de próxima generación en automoción, comunicación,y sistemas energéticosSu compatibilidad con aplicaciones de alta temperatura, alta frecuencia y alta potencia lo posiciona como una piedra angular de la innovación en semiconductores.

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