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Oblea del zafiro

Sustrato de zafiro cuadrado monocristalino (plano C, SSP) 10x10 mm pulido por una cara

Sustrato de zafiro cuadrado monocristalino (plano C, SSP) 10x10 mm pulido por una cara

Sustrato de zafiro cuadrado monocristalino (plano C, SSP) 10x10 mm pulido por una cara

Nombre De La Marca:	ZMSH
MOQ:	10
Tiempo De Entrega:	2-4 semanas
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Llevar a la fuerza

Material:

Alta pureza >99,99%, monocristal Al₂O₃

Dimensión:

10 × 10 mm

Espesor:

1 mm (otros espesores disponibles bajo pedido)

Orientación:

Plano C (0001) a M (1-100) 0,2° ± 0,1° de descuento

Parámetro del enrejado:

a = 4,785 Å, c = 12,991 Å

Densidad:

30,98 g/cm3

Coeficiente de expansión térmica:

6,66×10⁻⁶ /°C (‖eje C), 5×10⁻⁶ /°C (⊥eje C)

Resistencia dieléctrica:

4,8×10⁵ V/cm

Constante dieléctrica:

11,5 (‖eje C), 9,3 (⊥eje C) a 1 MHz

Tangente de la pérdida dieléctrica:

< 1×10⁻⁴

Conductividad térmica:

40 W/(m·K) a 20°C

Pulido:

Pulido por una cara (SSP), Ra < 0,3 nm (AFM); parte trasera molida fina Ra = 0,8–1,2 μm

Resaltar:

Sustrato de zafiro SSP

,

Sustrato de zafiro cuadrado monocristalino

,

Sustrato de zafiro plano C

Descripción de producto

Sustrato de zafiro cuadrado monocristalino (plano C, SSP) 10x10 mm pulido por una cara

Sustrato de zafiro cuadrado (SSP) Descripción del producto

El sustrato de zafiro cuadrado (SSP) está hecho de Al₂O₃ monocristalino de alta pureza (>99.99%), que ofrece una excelente resistencia mecánica, estabilidad térmica y transparencia óptica. Con orientación de plano C (0001) y superficie pulida por una cara (SSP), es ideal para el crecimiento epitaxial, la producción de LED basados en GaN, componentes ópticos y aplicaciones de alta temperatura o vacío.

Especificaciones clave del sustrato de zafiro cuadrado (SSP)

Parámetro	Especificación
Material	Alta pureza >99.99%, Al₂O₃ monocristalino
Dimensión	10 × 10 mm
Grosor	1 mm (otros grosores disponibles bajo pedido)
Orientación	Plano C (0001) a M (1-100) 0.2° ± 0.1° off
Parámetro de red	a = 4.785 Å, c = 12.991 Å
Densidad	3.98 g/cm³
Coeficiente de expansión térmica	6.66×10⁻⁶ /°C (\|\|Eje C), 5×10⁻⁶ /°C (⊥Eje C)
Resistencia dieléctrica	4.8×10⁵ V/cm
Constante dieléctrica	11.5 (\|\|Eje C), 9.3 (⊥Eje C) @ 1 MHz
Tangente de pérdida dieléctrica	< 1×10⁻⁴
Conductividad térmica	40 W/(m·K) a 20°C
Pulido	Pulido por una cara (SSP), Ra< 0.3 nm (AFM); dorso finamente rectificado Ra = 0.8–1.2 µm

Sustrato de zafiro cuadrado (SSP) Características y beneficios

Excepcional estabilidad química y térmica
Alta transparencia óptica y planitud superficial
Baja pérdida dieléctrica y alta conductividad térmica
Excelente dureza mecánica y resistencia al rayado
Disponible en tamaños, orientaciones y grosores personalizados

Sustrato de zafiro cuadrado (SSP) Aplicaciones

Crecimiento epitaxial de GaN y AlN
Fabricación de LED y diodos láser
Ventanas ópticas e infrarrojas
Dispositivos de RF y microondas de alta potencia
Investigación y pruebas de semiconductores

Etiquetas:

vidrio de encargo del zafiro

substrato del zafiro

la óptica del zafiro

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