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Detalles de los productos

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Equipo del semiconductor
Created with Pixso. ​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​

​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​

Nombre De La Marca: ZMSH
Número De Modelo: ​​High-Precision Single-Side Polishing Equipment
MOQ: 3
Precio: by case
Tiempo De Entrega: 3-6 months
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Place of Origin:
CHINA
Certificación:
rohs
Ability:
50mm/100mm/150mm/200mm
Power voltage:
3×16+2*10 (㎜²)
Compressed air source:
0.5-0.6MPa
Optimum Machining Size:
50-100 (mm)/50-150 (mm)/150-200 (mm)/200 (mm)
Materials​​:
Si Wafers/SiC/Sapphire
Packaging Details:
package in 100-grade cleaning room
Resaltar:

Equipo de pulido de una sola cara para obleas de Si

,

Máquina de pulido de obleas de SiC

,

Equipo de pulido de material de zafiro

Descripción de producto

Resumen de los equipos de pulido de alta precisión de una sola cara

 

 

Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas Si/SiC/safiros

 

 

 

El equipo de pulido de una sola cara de alta precisión es una herramienta de mecanizado de precisión especializada diseñada para materiales duros y frágiles (por ejemplo, obleas de silicio semiconductores, carburo de silicio, arseniuro de galio,El proceso de molienda de rotación unidireccional y la sinergia química permiten lograr un acabado de superficie ultra alto con una planitud ≤ 0,01 mm y una rugosidad de superficie Ra ≤ 0,4 nm.Este equipo se utiliza ampliamente en el adelgazamiento de obleas de semiconductores, el pulido de lentes ópticas, el procesamiento de componentes de sellado cerámico y admite tanto el procesamiento de piezas individuales como de lotes, mejorando significativamente la eficiencia y la consistencia.

 

 

 

​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​ 0​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​ 1

 

 


 

Parámetros técnicos de los equipos de pulido unilateral de alta precisión

 

 

Categorías Punto de trabajo
Disco contaminante Diámetro 820 mm 914 (mm) 1282 mm) Las demás:
Placas de cerámica Diámetro 305 mm) 360 mm) 485 mm Las demás:
  Tamaño óptimo de mecanizado 50-100 (mm) 50 a 150 mm 150-200 (mm) 200 mm)
El poder Disco contaminante 11 11 18.5 30
  Herramienta contaminante / 0.75×4 2.2×4 2.2
Tasa de rotación Disco contaminante 80 65 65 50
  Herramienta contaminante / 65 65 50
Capacidad 50 mm 72 / / /
  100 mm 20 28 56 /
  150 mm / 12 24 /
  200 mm / 4 12 20
Válvula de potencia 3 × 16 + 2 * 10 (mm2)
Fuente de aire comprimido 0.5-0.6MPa
Tamaño / Las medidas de ensayo se aplicarán en el caso de las máquinas de ensayo. Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2. Las medidas de ensayo se aplicarán en el caso de los vehículos de la categoría M1 y M2. Se aplicarán las siguientes medidas:
Peso / 2 000 kg Por ejemplo: 7500 kg 11826 kg

 

 


 

Principios de funcionamiento de los equipos de pulido unilateral de alta precisión


​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​ 2

1. molienda mecánica:

  • El disco de pulido superior gira a 0 ̊90 RPM (ajustable), combinado con abrasivos (diamante, carburo de silicio) para pulir la superficie de la pieza de trabajo por fricción, eliminando capas de oxidación y microdefectos.

 

2Control de presión:

  • Las válvulas y cilindros proporcionales electro-pneumáticos permiten un ajuste preciso de la presión (15 ‰ 1500 kg), adaptándose a la dureza variable del material.

 

3. Refrigeración y lubricación:

  • Un sistema de agua de refrigeración recirculadora (0,1 ∼0,2 MPa) mantiene una temperatura constante (10 ∼25 °C) para suprimir la deformación térmica al tiempo que suministra una suspensión de pulido para una mejor eliminación del material.

- ¿ Qué?

4Control de movimiento:

  • El motor de frecuencia variable impulsa la rotación del disco inferior. El PLC y el HMI permiten el control de circuito cerrado de los parámetros de velocidad, presión y tiempo, con recetas de proceso preestablecidas y conmutación de un solo clic.

 

 


 

Características del equipo de pulido de una sola cara de alta precisión

 
 

- ¿ Qué?Categoría de características

 

Detalles técnicos

 

Cuadro de alta rigidez

- ¿ Qué?

Estructura integrada de fundición y forja, capacidad de antideformación superior al 50%; sistema de soporte hidráulico de cuatro puntos garantiza vibraciones < 0,01 mm a altas velocidades.

 

Componentes internacionales

 

Las piezas centrales (por ejemplo, cajas de cambios, rodamientos) utilizan Alemania SEW, Japón THK, Suiza SKF, logrando una precisión de transmisión de <0,005 mm; Siemens PLC + inversor Schneider para regulación de velocidad sin pasos de 0?? 180 RPM.

 

Interfaz inteligente

 

La pantalla táctil industrial de 10 pulgadas admite recetas preestablecidas (polido bruto, pulido fino, reparación de discos), monitoreo en tiempo real (presión/temperatura/velocidad) y alarmas automáticas de apagado (tasa de defectos < 0)..05%).

 

Configuración flexible

 

Tamaños de los discos de pulido de φ300 mm a φ1900 mm, con capacidad para piezas de trabajo de 3~1850 mm; opciones de potencia de un solo motor (7,5 kW) a varios motores (total de 30 kW),con una altura de más de 0,01 mm,.

 

 

 


 

Aplicaciones de equipos de pulido de una sola cara de alta precisión

​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​ 3

 

1Industria de semiconductores:

  • El adelgazamiento de las obleas:Disminución de obleas de carburo de silicio con tolerancia de espesor de ± 0,5 μm para obleas de 8 pulgadas.
  • Polishing de arseniuro de galio y zafiro azul:La rugosidad de la superficie Ra < 0,4 nm para LED y dispositivos láser.

 

2. Óptica y dispositivos de precisión:

  • - ¿ Qué?Las lentes de cristal óptico o de cuarzo:Finalización especular (λ/20 para λ=632.8 nm) para lentes de cámara y objetivos de microscopio.
  • Anillos de sellado de cerámica:Para las bombas hidráulicas de alta presión y las válvulas nucleares, la superficie plana < 0,035 mm.

- ¿ Qué?

3. Electrónica y Nueva Energía:

  • Los substratos cerámicos/módulos IGBT:Consistencia de espesor < 3 μm para mejorar la disipación térmica.
  • Los electrodos de las baterías de litio:Roughness Ra < 10 nm para reducir la resistencia interna y la generación de calor.

- ¿ Qué?

4Aeroespacial y Defensa:

  • Los demás materiales de acero y acero:Paralelo < 2 μm para entornos de temperatura/presión extrema.
  • Vidrio de ventana infrarrojo:Propiedades de baja dispersión para telescopios y sistemas de guía de misiles.

 

 

​​Equipo de pulido de una sola cara de alta precisión para obleas de Si/SiC/zafiro​​ 4

 

 


 

Equipo de pulido de una sola cara de alta precisiónPreguntas frecuentes

 

 

- ¿ Qué?1. P: ¿Cuáles son las principales ventajas de su equipo de pulido de una sola cara de alta precisión?

R: Alcanza una precisión submicrónica con una alta eficiencia, ideal para obleas de silicio, SiC y zafiro en la fabricación de semiconductores.

 

 

2¿Qué materiales semiconductores puede procesar esta máquina de pulido de un solo lado?

R: Específicamente diseñado para obleas de silicio, carburo de silicio (SiC) y sustratos de zafiro.

 

 


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