Wafer epitaxial de SiC tipo 4H-N de 2 pulgadas de diámetro (50,8 mm) para sensores de alta temperatura

2 pulgadas de diámetro 50,8 mm 4H-N tipo SiC Wafer epitaxial para sensores de alta temperatura

ZMSH es un proveedor líder a nivel mundial de soluciones de materiales semiconductores de carburo de silicio, con más de 10 años de experiencia en I + D y producción en sustratos SiC y obleas epitaxiales. Hemos establecido una cadena de suministro vertical totalmente integrada, desde el crecimiento de cristales hasta el procesamiento de obleas y la deposición epitaxial, logrando una completa autonomía del proceso. Nuestra cartera de productos cubre especificaciones de tamaño completo de 2 pulgadas a 12 pulgadas, incluyendo varios politipos como el tipo 4H/6H-N, el tipo 4H/6H-P y el tipo 3C-N SiC,así como obleas estándar HPSI (High Purity Semi-Insulating) y SEMI para diversos escenarios de aplicación. Aprovechando tecnologías avanzadas de crecimiento de cristales y sistemas estrictos de control de calidad, entregamos soluciones de materiales SiC de alta calidad a más de 200 clientes globales,con productos ampliamente aplicados en industrias estratégicas emergentes, incluida la nueva energía, comunicaciones 5G y transporte ferroviario.

Parámetros clave de una oblea epitaxial de SiC de 2 pulgadas 4H

(Nota: Todos los parámetros pueden ser personalizados de acuerdo con los requisitos del cliente, con informes de prueba completos y certificados de calidad proporcionados.)

Principales características deWafer epitaxial de SiC de 2 pulgadas 4H

- ¿ Qué?

1Propiedades eléctricas excepcionales

· El 4H-SiC presenta una banda ancha de 3,2 eV y una intensidad de campo de degradación superior a 2MV/cm, diez veces mayor que la de los materiales de silicio.Estas características lo hacen particularmente adecuado para la fabricación de alta tensión, dispositivos electrónicos de alta potencia, reduciendo significativamente las pérdidas de conducción y mejorando la eficiencia del sistema.

· La velocidad de deriva de saturación de electrones alcanza los 2 × 10^7 cm/s, lo que le da distintas ventajas en aplicaciones de alta frecuencia.

2Excelentes capacidades de gestión térmica

· Conductividad térmica de hasta 4,9 W/cm·K, tres veces superior a la de los materiales de silicio, que aborda eficazmente los desafíos de disipación de calor en dispositivos de alta densidad de potencia.

· Bajo coeficiente de expansión térmica de 4×10^-6/K mantiene una excelente estabilidad dimensional en entornos de funcionamiento de alta temperatura.

3Calidad superior del material

· La tecnología epitaxial avanzada controlada por pasos logra una densidad de dislocación de la capa epitaxial líder en la industria por debajo de 1×10^3 cm^-2.

· El pulido químico-mecánico de precisión garantiza una rugosidad superficial controlada dentro de los 0,2 nm (Ra), cumpliendo con los requisitos más estrictos de fabricación del dispositivo.

4Consistencia del proceso excepcional

· Control de la uniformidad del espesor dentro del ± 2% y desviación de la concentración de dopante inferior al 5%, garantizando una producción en masa estable y fiable.

· Los sistemas avanzados de seguimiento en línea permiten un control de procesos en tiempo real y una regulación precisa.

Las aplicaciones principales deWafer epitaxial de SiC de 2 pulgadas 4H

1Sector de los vehículos de nueva energía

• Como material básico para los inversores de vehículos eléctricos, mejorando la eficiencia del sistema en más del 15% y ampliando significativamente el rango de conducción.

· Aplicado en los sistemas de carga a bordo para soportar los requisitos de carga rápida de mayor potencia.

2Electrónica de energía industrial

· Utilizado en redes inteligentes, en el sector industrialLa conversión de la energía en energía se realiza a través de convertidores de equidad, etc., mejorando drásticamente la eficiencia de la conversión de energía.

· Particularmente adecuado para entornos exigentes como el transporte ferroviario y los sistemas de energía marítima.

3. Infraestructura de comunicación 5G

· Material de sustrato ideal para los amplificadores de potencia de la estación base 5G, que soporta un procesamiento de señales RF de mayor frecuencia y mayor potencia.

· Demuestra un rendimiento excepcional en los sistemas de comunicación por satélite.

4Aeroespacial y Defensa

· Material crítico para sistemas de radar y equipos de guerra electrónica.

· Cumple con los requisitos de fiabilidad y estabilidad en entornos extremos.

5. Generación de energía renovable

· Optimalidad de los inversores fotovoltaicos para mejorar la eficiencia de la generación de energía.

· Materiales clave para los sistemas de generación de energía eólica.

Servicio de ZMSH de oblea epitaxial de SiC

Como proveedor de soluciones completas en el campo de los materiales SiC, ZMSH ofrece soluciones integrales para sustratos de SiC y obleas epitaxiales de tamaños de 2 pulgadas a 12 pulgadas,que cubren varios politipos, incluido el tipo 4H/6H-N, tipo 4H/6H-P, tipo 3C-N y obleas HPSI, con opciones de personalización para la orientación del cristal, la concentración de dopaje y el grosor de la capa epitaxial. Con nuestra cadena industrial completa y autosuficiente, estamos equipados con equipos epitaxiales CVD líderes a nivel internacional y líneas de procesamiento de precisión,proporcionar una gama completa de servicios desde el crecimiento de cristales, el corte en trozos de obleas, el pulido de dos lados hasta la escritura con láser, complementados por pruebas y certificaciones profesionales que incluyen mediciones XRD, AFM y Hall. Con una capacidad de producción mensual superior a 5.000 obleas, podemos responder rápidamente a las necesidades de los clientes, desde muestras de I + D hasta pedidos de producción en masa. Nuestro equipo de soporte técnico dedicado ofrece servicios de valor añadido incluyendo orientación de selección de productos, desarrollo de aplicaciones y soporte postventa, comprometidos a ofrecer de alta calidad,soluciones de materiales de carburo de silicio altamente consistentes para clientes globales.