Wafer de zafiro fuera del eje C hacia el plano M 20° Al2O3 Dia 2"3"4"6"8" Personalizar la orientación

Wafer de zafiro fuera del eje C hacia el plano M20°- ¿ Qué?2O3 Diámetro 2"/3"/4"/6"/8", Orientación personalizada

Esta oblea de zafiro de ultra-alta pureza se caracteriza por el eje C hacia el plano M.20°orientación con pureza de 99,999% (5N) Al2O3, diseñado para crecimiento epitaxial avanzado y aplicaciones especializadas de semiconductores.Disponible en diámetros estándar (2" a 8") con orientaciones y espesores personalizables, ofrece una precisión cristalográfica excepcional, una densidad de defectos ultrabaja y una estabilidad térmica/química superior.,y dispositivos basados en ZnO, lo que lo hace ideal para LEDs de alto rendimiento, diodos láser, electrónica de potencia y filtros SAW / BAW.

Características clave de las obleas de zafiro

Orientación del corte de precisión:

20° desde el eje C hacia el plano M , reduciendo los defectos de agrupación de pasos y mejorando la uniformidad de la capa epitaxial.

Los ángulos de corte fuera de medida (0,2° ∼5°) están disponibles para aplicaciones especializadas.

Las partículas que se encuentran en el interior de los tubos de acero o de acero son las siguientes:

99Purificación de 0,999% con trazas de impurezas (Fe, Ti, Si) < 5 ppm, asegurando pérdidas eléctricas u ópticas mínimas.

Dimensiones y orientaciones personalizables:

Diámetros: 2", 3", 4", 6", 8"

Espesor: de 100 μm a 1.000 μm (tolerancia de ± 5 μm).

Orientaciones alternativas: plano A (1120), plano R (1102) o cortes mixtos bajo petición.

Calidad superior de la superficie:

Polvo preparado para epi: Ra < 0,5 nm (lado delantero) para deposición de película delgada libre de defectos.

Polido de doble cara (DSP): Ra < 0,3 nm para aplicaciones ópticas.

Propiedades excepcionales del material:

Estabilidad térmica: punto de fusión ~ 2,050°C, adecuado para procesos MOCVD/MBE.

Transparencia óptica: > 85% de transmisión (UV a infrarrojo medio: 250 ∼ 5000 nm).

Robustez mecánica: dureza de 9 Mohs, resistente al desgaste químico/abrasivo.

Las aplicaciones deWafer de zafiro

Optomecánica:

LED/diodos láser basados en GaN: LEDs azules/UV, micro-LED y láseres emisores de borde.

Ventanas láser: CO2 de alta potencia y componentes láser excimer.

Energía y electrónica de RF:

HEMT (transistores de alta movilidad de electrones): amplificadores de potencia 5G/6G y sistemas de radar.

Filtros SAW/BAW: la orientación del plano M mejora el rendimiento piezoeléctrico.

Industria y Defensa:

Ventanas infrarrojas y cúpulas de misiles: Alta transparencia en entornos extremos.

Sensores de zafiro: cubiertas resistentes a la corrosión para condiciones adversas.

Tecnologías cuánticas y de investigación:

Substratos para qubits superconductores (computación cuántica).

Óptica no lineal: cristales SPDC para estudios de entrelazamiento cuántico.

Semiconductores y MEMS:

Wafers SOI (Silicon-on-Insulator) para circuitos integrados avanzados.

Resonadores MEMS: Estabilidad de alta frecuencia con cortes en el plano M.

Especificaciones

Pregunta y respuesta

Pregunta 1:¿Por qué elegir un20° desde el eje C hacia el plano M ¿Para la epitaxia?
A1: ¿Qué es esto?El corte fuera del eje M mejora la movilidad de los átomos durante el crecimiento, reduciendo los defectos y mejorando la uniformidad en las películas de GaN para dispositivos de alta potencia.

Pregunta 2:¿Puedo solicitar otras direcciones fuera de corte (por ejemplo, eje A)?
A2: ¿Qué es esto?Sí, las orientaciones personalizadas (plano A, plano R o cortes mixtos) están disponibles con una tolerancia de ± 0,1°.

Pregunta 3: ¿Cuál es la ventaja del DSP para las aplicaciones láser?

A3: ¿Qué es eso?DSP proporciona una rugosidad < 0,3 nm en ambos lados, reduciendo las pérdidas de dispersión para las ópticas láser de alta potencia.