Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: Equipo de unión de obleas
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 2
Precio: by case
Tiempo de entrega: Entre 5 y 10 meses
Condiciones de pago: T/T
Métodos de unión:: |
Enlace a temperatura ambiente |
Tamaños de obleas compatibles:: |
≤ 12 pulgadas, compatibles con muestras de forma irregular |
Materiales compatibles: |
Zafiro, InP, SiC, GaAs, GaN, diamante, vidrio, etc. |
Presión máxima del sistema de prensa:: |
100 KN |
Método de alineación y precisión:: |
Precisión de alineación de los bordes: ≤ ± 50 μm; precisión de alineación de la marca: ≤ ± 2 μm |
Fuerza de unión:: |
≥ 2,0 J/m2 @ temperatura ambiente (para la unión directa Si-Si) |
Métodos de unión:: |
Enlace a temperatura ambiente |
Tamaños de obleas compatibles:: |
≤ 12 pulgadas, compatibles con muestras de forma irregular |
Materiales compatibles: |
Zafiro, InP, SiC, GaAs, GaN, diamante, vidrio, etc. |
Presión máxima del sistema de prensa:: |
100 KN |
Método de alineación y precisión:: |
Precisión de alineación de los bordes: ≤ ± 50 μm; precisión de alineación de la marca: ≤ ± 2 μm |
Fuerza de unión:: |
≥ 2,0 J/m2 @ temperatura ambiente (para la unión directa Si-Si) |
Equipo de unión de obleas Temperatura de la habitación Enlace hidrofílico Enlace Si-SiC Si-Si Enlace 2 -12 pulgadas
Visión general del sistema de unión de obleas
El equipo de unión de obleas es un equipo de unión de gama alta diseñado específicamente para la fabricación de dispositivos de potencia de carburo de silicio (SiC), que admite especificaciones de obleas de 2 a 12 pulgadas.Equipo de unión de obleas incorpora tecnologías avanzadas de unión directa a temperatura ambiente y de unión activada por superficie, con una optimización especial para los procesos de unión heterogéneos SiC-SiC y SiC-Si.con un sistema integrado de alineación óptica de alta precisión (≤ ± 2 μm) y control de temperatura/presión en circuito cerrado, garantiza la alta resistencia a la unión (≥ 2 J/m2) y la superior uniformidad de la interfaz requerida para la fabricación de dispositivos de semiconductores de potencia.
Especificaciones técnicas del sistema de unión de obleas
Parámetros funcionales básicos:
Procesos de unión: | Soporta unión directa y unión activada por plasma |
Compatibilidad de las obleas: | Manejo de obleas de 2 a 12 pulgadas de alcance completo |
Combinaciones de materiales: | Enlace de heterostructura Si-SiC/SiC-SiC |
Sistema de alineación: | Alineación óptica de ultra alta precisión (≤ ± 0,5 μm) |
Control de la presión: | Ajustable con precisión de 0 a 10 MPa |
Rango de temperatura: | RT-500°C (modulo opcional de precalentamiento y recocido) |
Nivel de vacío: | Entorno de vacío ultra alto (≤ 5×10−6 Torr) |
Sistema de control inteligente:
· elHMI táctil de grado industrial
· el≥ 50 recetas de proceso almacenadas
· elReacción de circuito cerrado de presión-temperatura en tiempo real
Sistema de protección de seguridad:
· elProtección de triple bloqueo (presión/temperatura/vacío)
· elSistema de frenado de emergencia
· elCompatibilidad con salas limpias de la clase 100
Funciones extendidas:
· elManipulación robótica opcional de las obleas
· elApoyo al protocolo de comunicación SECS/GEM
· elMódulo de inspección integrado en línea
El equipo de unión de obleas está diseñado específicamente para I+D y producción en masa de semiconductores de tercera generación.La arquitectura modular del equipo de unión de obleas permite una unión de alta fiabilidad para dispositivos de potencia basados en SiCLa innovadora tecnología de pretratamiento con plasma mejora significativamente la resistencia de unión de la interfaz (≥ 5 J/m2), mientras que el ambiente de vacío ultra alto garantiza interfaces de unión libres de contaminantes.El sistema inteligente de control de temperatura y presión, combinado con precisión de alineación submicrónica, proporciona soluciones de unión a nivel de obleas para HEMT, SBD y otros dispositivos.
Fotografía
Materiales compatible
Aplicaciones
· Embalaje del dispositivo MEMS: El equipo de unión de obleas es adecuado para el sellado hermético de sistemas microelectromecánicos (MEMS) como acelerómetros y giroscopios.
· Sensores de imagen CIS: El equipo de unión de obleas permite la unión a baja temperatura entre obleas CMOS y sustratos ópticos de vidrio.
· Integración de IC 3D: El equipo de unión de obleas admite la unión de apilamiento a temperatura ambiente para obleas de silicio a través de obleas (TSV).
· Dispositivos semiconductores compuestos: el equipo de unión de obleas facilita la transferencia de capas epitaxiales para dispositivos de potencia GaN/SiC.
· Fabricación de biochips: el equipo de unión de obleas proporciona soluciones de embalaje a baja temperatura para chips microfluídicos.
Efecto de mecanizado¿Qué quieres decir?Enlace de oblea LiNbO 3 y oblea SiC
(a) Fotografía de las obleas de LiNbO3/SiC unidas a temperatura ambiente. (b) Fotografía de las virutas de 1 × 1 mm.
(a) Imagen TEM transversal de la interfaz de unión LiNbO3/SiC (b) Vista ampliada de (a)
Pregunta y respuesta.
1P: ¿Cuáles son las ventajas de la unión de obleas a temperatura ambiente en comparación con la unión térmica?
R: La unión a temperatura ambiente evita el estrés térmico y la degradación del material, lo que permite la unión directa de materiales diferentes (por ejemplo, SiC-LiNbO3) sin limitaciones de alta temperatura.
2P: ¿Qué materiales se pueden unir utilizando la tecnología de unión de obleas a temperatura ambiente?
R: Soporta la unión de semiconductores (Si, SiC, GaN), óxidos (LiNbO3, SiO2) y metales (Cu, Au), ideal para MEMS, IC 3D e integración optoelectrónica.
Etiqueta: # Equipo de unión de obleas, # SIC, # 4/6/8/10/12 pulgadas de unión, # Sistema de unión a temperatura ambiente, # Si-SiC, # Si-Si, # LiNbO 3 -SiC