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Wafer de silicio Silicio en aislante Semiconductor de silicio Industria microelectrónica Múltiples dimensiones

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: ZMSH

Número de modelo: Personalizado

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 PCS

Precio: by case

Tiempo de entrega: 10 a 30 días

Condiciones de pago: L/C, T/T, Western Union

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Resaltar:

Industria de la microelectrónica Wafer de silicio

,

Wafer de silicio de múltiples dimensiones

,

Oferta de silicio en aislante

El material:
el silicio
tamaño:
Personalizado
Utilización:
Microelectrónica
Aplicación:
la industria de semiconductores
Forma de las piezas:
Personalizado
Origen:
Shanghái, China
El material:
el silicio
tamaño:
Personalizado
Utilización:
Microelectrónica
Aplicación:
la industria de semiconductores
Forma de las piezas:
Personalizado
Origen:
Shanghái, China
Wafer de silicio Silicio en aislante Semiconductor de silicio Industria microelectrónica Múltiples dimensiones

Wafer de silicio Silicio en aislante Semiconductor de silicio Industria microelectrónica Múltiples dimensiones

 

Descripción del producto

En elFabricación de semiconductores,Silicio en el aislante(En el caso de los países de la UE) la tecnología es la fabricación deel siliciodispositivos semiconductores en un aislante de silicioel substrato, para reducircapacidad parasitariaLos dispositivos basados en SOI difieren de los dispositivos convencionales construidos con silicio en que la unión de silicio está por encima de un punto de conexión deaislante eléctrico, por lo generaldióxido de silicioo bienEs un zafiro.La elección del aislante depende en gran medida de la aplicación prevista, ya que el zafiro se utiliza para aplicaciones de radiofrecuencia (RF) de alto rendimiento y sensibles a la radiación.y dióxido de silicio para disminuir los efectos de canal corto en otros dispositivos microelectrónicos.

 

Wafer de silicio Silicio en aislante Semiconductor de silicio Industria microelectrónica Múltiples dimensiones 0Wafer de silicio Silicio en aislante Semiconductor de silicio Industria microelectrónica Múltiples dimensiones 1

 


Características

-Mejor rendimiento eléctrico: La estructura SOI reduce la capacidad parasitaria entre transistores, reduce el consumo de energía y mejora la velocidad de conmutación,que es adecuado para circuitos integrados de alto rendimiento.

 

- Bajo consumo de energía: la capacidad de la tecnología SOI para operar a voltajes más bajos reduce significativamente el consumo de energía estática y dinámica,haciendo que sea adecuado para dispositivos móviles y otras aplicaciones que requieren una alta eficiencia energética.

 

- Buena gestión térmica: la capa de aislamiento de la oblea SOI proporciona un mejor aislamiento térmico y mejora el rendimiento de disipación de calor,ayuda a mejorar la estabilidad y fiabilidad del dispositivo.

 

- Alta integración: la tecnología SOI permite un mayor nivel de integración, lo que hace que el diseño sea más compacto y pueda lograr más funciones en un área más pequeña.

 

-Resistencia a la radiación: Los materiales SOI son menos sensibles a la radiación y son adecuados para aplicaciones en el sector aeroespacial y otros entornos de alta radiación.

 

-Buen aislamiento: La capa de aislamiento reduce efectivamente la interferencia entre dispositivos y mejora el rendimiento general del circuito.

 

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Método de crecimiento

1Simox

La tecnología SIMOX consiste principalmente en dos procesos: primero, se inyectan iones de oxígeno en el cristal de silicio para formar una capa de inyección de oxígeno de alta concentración.Para evitar que el silicio se cristalice durante el proceso de inyección, durante el proceso de inyección debe mantenerse una cierta temperatura en el sustrato, después de lo cual el recocido a alta temperatura reduce o elimina los defectos generados por la inyección,de modo que el oxígeno inyectado reacciona con el silicio para formar una capa aislanteSin embargo, este proceso es costoso y ha sido eliminado gradualmente.

 

Wafer de silicio Silicio en aislante Semiconductor de silicio Industria microelectrónica Múltiples dimensiones 4

 

2- ¿ Por qué?

El BESOI consiste principalmente en dos pasos del proceso: (1) adhesión: se limpian estrictamente dos obleas de silicio pulido con óxido térmico de alta calidad que crecen en la superficie,y luego unidos usando la fuerza de van der Waals en un entorno súper limpio, y recocido a altas temperaturas para mejorar su resistencia a la unión; (2) Retrocesión: con una pieza como sustrato,la otra oblea de silicio se molió y pulió hasta el espesor requerido para formar una película de silicio de cristal único en el aislante.

El mecanismo de unión del proceso es que cuando dos superficies planas e hidrófilas (como obleas de silicio oxidado) se colocan una frente a la otra, la unión ocurre naturalmente, incluso a temperatura ambiente.Se cree generalmente que el enlace es causado por la atracción mutua de grupos hidroxilo (OH-) adsorbidos en dos superficies para formar enlaces de hidrógeno.Con el fin de aumentar la resistencia de la unión, también se requiere un tratamiento térmico posterior, y generalmente se producen las siguientes reacciones cuando se realiza el recocido por tratamiento térmico por encima de 300 °C:

Si-OH + OH-Si → Si-O-Si + H2O

 

3Es un buen corte.

El corte inteligente es la tecnología principal para preparar películas finas de silicio monocristalino en aislantes en el país y en el extranjero.oxidando uno de ellos e inyectando iones de hidrógeno para formar una capa de iones de hidrógeno en las obleas de silicio2) Las dos obleas de silicio se unen después de una limpieza estricta; 3) Después de un tratamiento térmico adecuado, la lámina de inyección de hidrógeno se separa completamente de la capa de iones de hidrógeno para formar SOI;(4) Polido químico mecánico de la superficie del SOI para eliminar el daño residual y proporcionar una superficie lisa para la preparación del dispositivo.

 

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Aplicaciones

-Computación de alto rendimiento: la tecnología SOI se utiliza para fabricar microprocesadores y unidades de procesamiento gráfico (GPU) de alto rendimiento, lo que proporciona velocidades de computación más rápidas y un menor consumo de energía.

 

-Dispositivos móviles: en teléfonos inteligentes y tabletas, las obleas SOI ayudan a lograr una mayor integración y eficiencia energética, prolongando la vida útil de la batería.

 

-Aplicaciones de radiofrecuencia (RF): la tecnología SOI se utiliza ampliamente en amplificadores y mezcladores de potencia de RF, especialmente para comunicaciones 5G y dispositivos IoT.

 

-Centro de datos: utilizado para servidores y dispositivos de almacenamiento, la tecnología SOI puede mejorar la potencia de procesamiento y reducir el consumo de energía, apoyando la computación en la nube y el procesamiento de grandes volúmenes de datos.

 

- Sensores: los materiales SOI se utilizan para fabricar sensores de gases, sensores de temperatura, etc., proporcionando una alta sensibilidad y estabilidad.

 


Nuestros servicios

1Servicios de logística:seguimiento en tiempo real del estado del transporte para garantizar la llegada segura de las mercancías.

2Servicios de embalaje:Proporcionar diseño de embalaje profesional, de acuerdo con las características del producto para proporcionar soluciones de embalaje personalizadas.El uso de materiales ecológicos para garantizar la seguridad de las mercancías durante el transporte.

3Servicio de entrega:Entrega rápida para garantizar la entrega a tiempo. Proporcionar una variedad de métodos de entrega, flexibles para satisfacer las necesidades del cliente.

4Servicios personalizados:Proporcionar soluciones logísticas personalizadas de acuerdo con las necesidades del cliente.

5Gestión eficiente:Sistema avanzado de gestión logística para garantizar el funcionamiento eficiente de cada enlace.

6El cliente primero:Estar siempre orientado a las necesidades del cliente y proporcionar un servicio personalizado.

 


Preguntas frecuentes

1P: ¿Qué es una oblea SOI?
R: La oblea SOI es una estructura similar a un sándwich con tres capas; incluyendo la capa superior (capa del dispositivo),el centro de la capa de oxígeno enterrada (para la capa aislante de SiO2) y el sustrato inferior (silício en masa).

 

2P: ¿Apoya la personalización?
R: Sí, podemos procesar el producto de acuerdo con los requisitos de los clientes.