Detalles del producto
Lugar de origen: Porcelana
Nombre de la marca: ZMSH
Número de modelo: Sustrato de SiC
Condiciones de pago y envío
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
El material: |
monocristal de SiC |
Es el día.: |
3 pulgadas |
Grado: |
Grado P o Grado D |
El grosor: |
500 mm |
orientación: |
En el eje: <0001> +/- 0,5 grados |
Resistencia: |
≥1E5 Ω·cm |
El material: |
monocristal de SiC |
Es el día.: |
3 pulgadas |
Grado: |
Grado P o Grado D |
El grosor: |
500 mm |
orientación: |
En el eje: <0001> +/- 0,5 grados |
Resistencia: |
≥1E5 Ω·cm |
3 pulgadas HPSI carburo de silicio SiC espesor del sustrato 500um grado primario de calificación de investigación de calificación transparente
Sobre el HPSI
La oblea HPSI SiC es un material semiconductor avanzado que se utiliza ampliamente en dispositivos electrónicos en entornos de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura.Propiedades de semi-aislamientoSe puede aplicar en electrónica de potencia, dispositivos RF, sensores de alta temperatura.
Las obleas HPSI SiC se han convertido en materiales importantes para los dispositivos electrónicos de alta tecnología modernos debido a sus excelentes propiedades eléctricas y térmicas.su campo de aplicación seguirá expandiéndose.
- ¿ Qué?
Propiedades del 4H-SEMI SiC
-Alta pureza: las obleas HPSI SiC reducen el impacto de las impurezas y mejoran el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.
- Propiedades de semi-aislamiento: Esta oblea tiene buenas propiedades de semi-aislamiento, que pueden suprimir eficazmente las corrientes parasitarias y es adecuada para aplicaciones de alta frecuencia.
-Banda ancha: El SiC tiene una banda ancha (aproximadamente 3,3 eV), lo que lo hace excelente en ambientes de alta temperatura, alta potencia y radiación.
- Alta conductividad térmica: el carburo de silicio tiene una alta conductividad térmica, lo que ayuda a disipar el calor y mejora la estabilidad de trabajo y la vida útil del dispositivo.
-Resistencia a altas temperaturas: El SiC puede funcionar de forma estable a altas temperaturas y es adecuado para aplicaciones en entornos extremos.
Características delHPSI SiC
*Siéntase libre de contactarnos si tiene demandas personalizadas.
Aplicación del HPSI
-Electrónica de potencia: se utiliza para fabricar convertidores e inversores de potencia eficientes, ampliamente utilizados en vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y sistemas de transmisión de energía.
- Dispositivos de RF: en las comunicaciones y los sistemas de radar, las obleas de SiC pueden mejorar la potencia de procesamiento de la señal y la respuesta de frecuencia.
- Sensores de alta temperatura: sensores de alta temperatura para el petróleo, el gas y la industria aeroespacial.
Preguntas frecuentes
1- ¿ Qué?:¿Cuál es la diferencia entre SI y SiC?
A: ¿Qué quieres decir?SiC es un semiconductor de banda ancha con una anchura de banda de entre 2,2 y 3,3 electrónvoltios (eV).
2- ¿ Qué?¿Por qué el carburo de silicio es tan caro?
R: Porque sLa fabricación de productos de carburo de silicio es difícil y requiere procesos de producción complejos como la alta temperatura y la alta presión.
