Wafer de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P MPD de producción cero de calibre falso Dia 4 pulgadas 6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio 6H Tipo P y 4H Tipo P Cero MPD Producción de calibre de maniquí Dia 4 pulgadas 6 pulgadas

Wafer de carburo de silicio 6H tipo P y resumen de 4H tipo P

Este estudio explora las propiedades y aplicaciones de las obleas de carburo de silicio (SiC) tanto en politipos de tipo 6H como en politipos de tipo 4H P,centrándose en las obleas de calidad de producción y de calidad ficticia de densidad de micropípeas cero (Zero MPD) con diámetros de 4 pulgadas y 6 pulgadasLas obleas de SiC de tipo P de 6H y 4H poseen estructuras cristalinas únicas, ofreciendo una alta conductividad térmica, amplios intervalos de banda y una excelente resistencia a altas temperaturas, voltajes y radiación.Estas características los hacen ideales para aplicaciones de alto rendimiento como la electrónica de potenciaLas obleas con propiedad MPD cero mejoran aún más su calidad al eliminar los micro tubos.que mejora significativamente la fiabilidad y el rendimiento del dispositivoEste documento detalla el proceso de fabricación, las características de los materiales y los posibles casos de uso de estas obleas de SiC en sistemas electrónicos avanzados, particularmente para dispositivos de alta eficiencia,Componentes de RF, y otras aplicaciones industriales que requieren sustratos de semiconductores robustos.

Gráfico de datos de las obleas de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P

4 pulgadas de diámetro de carburo de silicio (SiC) especificación del sustrato

Grado de grado			精选级 ((Z 级) Producción de MPD cero Grado (grado Z)	工业级 (P 级) Producción estándar Grado (grado P)	测试级 ((D 级) 级) Grado de simulacro (grado D)
Diámetro			99.5 mm~100,0 mm
厚度 espesor			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Orientación de la oblea			En el eje opuesto: 2,0°-4,0° hacia adelante [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, sobre el eje: ∆111 ∆± 0,5° para 3C-N
微管密度 ※ Densidad de los microtubos			0 cm-2
电 阻 率 ※ Resistencia	el tipo p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω ̊cm		≤ 0,3 Ω ̊cm
	Tipo n 3C-N		≤ 0,8 mΩ cm		≤ 1 m Ω ̊cm
La dirección principal está en el lado.orientación plana primaria		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Primario longitud plana			32.5 mm ± 2,0 mm
Duración de la línea secundaria			18.0 mm ± 2,0 mm
Dirección secundaria de orientación plana			Silicón hacia arriba: 90° CW. desde el plano Prime ± 5,0°
边缘去除 Exclusión del borde			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/?? 曲度/?? 曲度 LTV/TTV/Bow/Warp			Se aplicarán las siguientes medidas:		Se aplicarán las siguientes medidas:
表面粗度 ※ La rugosidad			Polish Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra ≤ 0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Las grietas del borde por la luz de alta intensidad			No hay		Duración acumulada ≤ 10 mm, longitud única ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexagonales por luz de alta intensidad			Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 0,1%
¿Qué tipo de luz es la luz de alta intensidad?			No hay		Área acumulada ≤ 3%
Incluciones de carbono visuales			Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 3%
# La superficie del silicio se rasca por la luz de alta intensidad			No hay		Duración acumulada ≤ 1 × diámetro de la oblea
崩边 ((强光灯观测) Chips de borde de alta intensidad por la luz			Ninguno ≥ 0,2 mm de ancho y profundidad		5 permitidos, ≤ 1 mm cada uno
La contaminación de la superficie del silicio por alta intensidad			No hay
包装 Embalaje			Contenedor de una sola o varias obleas

Las propiedades de las obleas de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P

Las propiedades de las obleas de carburo de silicio (SiC) en los politipos de tipo 6H y 4H P, específicamente con producción de densidad de micropipos cero (Zero MPD) y grados ficticios, son las siguientes:

Estructura de cristal:

6H-SiC: Estructura hexagonal con seis bicapas, proporcionando una menor movilidad de electrones pero una mayor conductividad térmica.

4H-SiC: estructura hexagonal con cuatro bicapas, que ofrece una mayor movilidad de electrones y un mejor rendimiento en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia.

Conductividad de tipo P:

Ambas obleas están dopadas para crear conductividad de tipo P (impurezas aceptoras como boro o aluminio), lo que las hace ideales para dispositivos de energía que requieren el flujo de portadores de carga positiva (agujeros).

Densidad cero de microtubos (MPD cero):

Estas obleas se producen sin micro tubos, que son defectos que pueden debilitar la confiabilidad del dispositivo.

Amplio espacio de banda:

Ambos politipos tienen amplios espacios entre bandas, con 4H-SiC a 3,26 eV y 6H-SiC a 3,0 eV, lo que permite el funcionamiento a altos voltajes y temperaturas.

Conductividad térmica:

Las obleas de SiC poseen una alta conductividad térmica, crucial para una disipación de calor eficiente en la electrónica de alta potencia.

Alta tensión de ruptura:

Tanto las obleas de SiC 6H como 4H tienen campos eléctricos de alta degradación, lo que las hace adecuadas para aplicaciones de alto voltaje.

Diámetro:

Las obleas están disponibles en diámetros de 4 pulgadas y 6 pulgadas, soportando varios tamaños de fabricación de dispositivos y estándares de la industria.

Estas propiedades hacen que las obleas SiC de tipo P de 6H y 4H con MPD cero sean esenciales para la electrónica de alta potencia, los dispositivos de RF y las aplicaciones en entornos extremos.

La exposición de las obleas de carburo de silicio 6H P-Type y 4H P-Type

Aplicación de las obleas de carburo de silicio 6H tipo P y 4H tipo P

Las obleas de carburo de silicio (SiC) de tipo P de 6H y 4H con densidad de micropipos cero (Zero MPD) tienen diversas aplicaciones debido a sus propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas superiores.Las principales aplicaciones incluyen::

Electrónica de potencia:

Tanto las obleas de SiC de 6H como las de 4H se utilizan en dispositivos electrónicos de alta potencia como MOSFET, diodos de Schottky y tiristores.sistemas de energía renovable (inversores solares), aerogeneradores), y sistemas de energía industrial debido a su capacidad para manejar altos voltajes, temperaturas y eficiencias.

Dispositivos de alta frecuencia:

El 4H-SiC, con su mayor movilidad electrónica, es especialmente adecuado para dispositivos de RF y microondas utilizados en sistemas de radar, comunicaciones por satélite e infraestructura inalámbrica.Estos dispositivos se benefician de la capacidad del SiC para operar a altas frecuencias con baja pérdida de energía.

Aeroespacial y Defensa:

La alta conductividad térmica, resistencia a la radiación y MPD cero hacen que las obleas de SiC sean ideales para aplicaciones aeroespaciales y de defensa, como amplificadores de potencia, sensores,y sistemas de comunicación que operan en entornos extremos.

Vehículos eléctricos (VE):

Las obleas de SiC son componentes clave en los grupos motrices de los vehículos eléctricos, incluidos los cargadores e inversores a bordo, mejorando la eficiencia energética, aumentando el alcance de conducción y reduciendo la generación de calor en los automóviles eléctricos.

Electrónica de alta temperatura:

La capacidad de las obleas de SiC para soportar altas temperaturas sin degradación las hace ideales para equipos industriales, exploración de petróleo y gas,y sistemas de exploración espacial que deben funcionar de forma fiable en ambientes térmicos adversos.

Energía renovable:

Los dispositivos de potencia basados en SiC ayudan a aumentar la eficiencia de la conversión de energía en los sistemas de energía solar y eólica al minimizar las pérdidas de energía y permitir el funcionamiento a altos voltajes y temperaturas.

Dispositivos médicos:

Las obleas de SiC también se utilizan en tecnologías médicas avanzadas, incluidos equipos de imagen médica de alta potencia y dispositivos que requieren materiales duraderos y de alto rendimiento.

Estas aplicaciones aprovechan la alta eficiencia, fiabilidad y capacidad de operar en condiciones extremas de las obleas, lo que hace que las obleas SiC de tipo 6H y 4H sean indispensables en la tecnología de vanguardia.

Pregunta y respuesta

- ¿ Qué?¿Cuáles son los diferentes tipos de carburo de silicio?

A: ¿Qué quieres decir? El carburo de silicio (SiC) existe en varios politipos, que son diferentes estructuras cristalinas que resultan en diferentes propiedades físicas y electrónicas.

4H-SiC (hexagonal):

Estructura: Estructura cristalina hexagonal con una secuencia repetitiva de cuatro capas.

Propiedades: Amplio intervalo de banda (3,26 eV), alta movilidad de electrones y alto campo eléctrico de descomposición.

Aplicaciones: Se prefiere para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura como la electrónica de potencia, los vehículos eléctricos y los dispositivos de RF debido a su excelente rendimiento eléctrico.

6H-SiC (hexagonal):

Estructura: Estructura cristalina hexagonal con una secuencia repetitiva de seis capas.

Propiedades: ligera diferencia de banda (3,0 eV) y menor movilidad de electrones en comparación con el 4H-SiC, pero aún ofrece una alta conductividad térmica y resistencia a alto voltaje.

Aplicaciones: Se utiliza en electrónica de potencia, conmutadores de alto voltaje y dispositivos que requieren una alta estabilidad térmica.

3C-SiC (cúbico):

Estructura: Estructura cristalina cúbica, también conocida como beta-SiC.

Propiedades: Tiene un intervalo de banda más pequeño (2.3 eV) y exhibe una alta movilidad de electrones, pero es menos estable térmicamente que las formas hexagonales.

Aplicaciones: comúnmente utilizado en dispositivos optoelectrónicos, sensores y sistemas microelectromecánicos (MEMS). Puede cultivarse en sustratos de silicio, lo que lo hace más compatible con la tecnología de silicio existente.

15R-SiC (romboédrico):

Estructura: Estructura cristalina romboédrica con una secuencia repetitiva de 15 capas.

Propiedades: Tiene un intervalo de banda intermedio (2.86 eV) y movilidad electrónica entre 4H y 6H-SiC, pero se usa menos comúnmente.

Aplicaciones: Rara vez se utiliza en aplicaciones comerciales debido a su disponibilidad limitada y propiedades menos favorables en comparación con los politipos 4H y 6H.

Otros politipos (por ejemplo, 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Hay más de 200 politipos conocidos de SiC, pero estos son menos comunes y no se utilizan ampliamente en aplicaciones comerciales.Tienen secuencias únicas de apilamiento y variaciones en sus propiedades electrónicas y térmicas.

Diferencias clave:

• Las principales diferencias entre estos tipos se encuentran en su secuencia de apilamiento, energía de banda, movilidad de electrones y idoneidad para diferentes aplicaciones.Los tipos más importantes comercialmente son el 4H-SiC y el 6H-SiC debido a sus propiedades eléctricas superiores., alta conductividad térmica y capacidad para operar en ambientes de alta potencia, alta frecuencia y alta temperatura.

Estos diversos politipos hacen del carburo de silicio un material versátil para diversas aplicaciones electrónicas e industriales de alto rendimiento.