Resaltar:
Substrato de SiC de 500um
, Substrato de SiC de grado P
, Substrato de SiC de 2 pulgadas
4H-SEMI Substrato de carburo de silicio SiC de 2 pulgadas de espesor 350um 500um Prime Grade Dummy Grade SiC Wafer
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Aproximadamente 4H-SEMI SiC
- Usar SIC Monocrystal para hacer
- Apoyar los personalizados con diseño de obras de arte
- de alta calidad, adecuado para aplicaciones de alto rendimiento
- alta dureza, alrededor de 9.2 Mohs
- ampliamente utilizado en áreas de alta tecnología, como la electrónica de potencia, la electrónica automotriz y los dispositivos RF
- ¿ Qué?
Descripción del SiC 4H-SEMI
El carburo de silicio (SiC) es un semiconductor versátil conocido por su rendimiento en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.
Su amplio intervalo de banda permite un funcionamiento eficiente a altos voltajes y temperaturas, lo que lo hace adecuado para electrónica de potencia, dispositivos de RF y entornos hostiles.
El SiC es parte integral de industrias como la automotriz y la energía debido a su fiabilidad y eficiencia.
Los métodos de fabricación avanzados, como la deposición química de vapor (CVD) y el transporte físico de vapor (PVT), aseguran componentes de alta calidad y duraderos.
Las propiedades únicas del SiC también lo hacen ideal para optoelectrónica de longitud de onda corta, entornos de alta temperatura, resistencia a la radiación y sistemas electrónicos exigentes.
ZMSH ofrece una gama de obleas de SiC, incluidos los tipos 6H y 4H, sin importar el tipo N, el tipo SEMI o el tipo HPSI, lo que garantiza un suministro estable y de alta calidad,y rentabilidad mediante procesos de producción a gran escala.
Características del4H-SEMI SiC
| Especificación del sustrato de carburo de silicio semisolador de 4 pulgadas de diámetro 4H |
| Propiedad del sustrato |
Grado de producción |
Grado de imitación |
| Diámetro |
50.8.0 mm +0.0/-0.38 mm |
| Orientación de la superficie |
en el eje: {0001} ± 0,2° |
| Orientación plana primaria |
La temperatura máxima de la superficie de la cubierta de ensayo será de ± 5 °C. |
| Orientación plana secundaria |
90.0 ̊ CW desde el núcleo primario ± 5.0 ̊, de silicio hacia arriba |
| Duración plana primaria |
32.5 mm ± 2,0 mm |
| Duración plana secundaria |
18.0 mm ± 2,0 mm |
| El borde de la oblea |
Las demás |
| Densidad de los microtubos |
≤ 5 micropipes/cm2 |
≤ 50 micropipes/cm2 |
| Áreas de politipo por luz de alta intensidad |
Ninguno permitido |
Área ≤ 10% |
| Resistencia |
0.015 ~ 0.028Ω·cm |
(área 75%) |
| 0.015 ~ 0.028Ω·cm |
| El grosor |
350.0 μm ± 25,0 μm o 500.0 μm ± 25,0 μm |
| TTV |
≤ 10 μm |
≤ 15 μm |
| VALOR absoluto (BOW) |
≤ 25 μm |
≤ 30 μm |
| La velocidad warp. |
≤ 45 μm |
| Finalización de la superficie |
Polvo de doble cara, Si Face CMP (polvar químico) |
| La rugosidad de la superficie |
CMP Si Face Ra≤0,5 nm |
No incluido |
| Las grietas causadas por la luz de alta intensidad |
Ninguno permitido |
| Las fichas de borde/indentes por iluminación difusa |
Ninguno permitido |
Qty.2 < 1,0 mm de ancho y profundidad |
| Área total utilizable |
≥ 90% |
No incluido |
| Nota: Las especificaciones personalizadas distintas de los parámetros anteriores son aceptables. |
Más muestras de 4H-SEMI SiC
*Siéntase libre de contactarnos si tiene demandas personalizadas.
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Preguntas frecuentes
1- ¿ Qué?:¿Cómo garantiza 4H-SiC Semi la calidad de sus obleas?
R: 4H-SiC Semi emplea técnicas de fabricación avanzadas, incluyendo la deposición química de vapor (CVD) y el transporte físico de vapor (PVT),y sigue estrictos procesos de control de calidad para garantizar obleas de alta calidad.
2. P: ¿Cuál es la principal diferencia entre 4H-N SiC y 4H-SEMI SiC
R: La principal diferencia entre el 4H-N SiC y el 4H-SEMI SiC es que el 4H-N SiC (dopado con nitrógeno) es un carburo de silicio semiconductor de tipo n, mientras que el 4H-Semi SiC es un carburo de silicio semisolador,que ha sido procesado para tener una resistencia muy alta.
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