Sustrato 4H-SEMI SiC de 2 pulgadas, espesor 350um 500um, grado Prime/Dummy, vidrios AR, grado óptico

Wafer SiC, Wafer de Carburo de Silicio, Sustro de SiC, Sustro de Carburo de Silicio, Grado P, Grado D, 2 pulgadas de SiC, 4 pulgadas de SiC, 6 pulgadas de SiC, 8 pulgadas de SiC, 12 pulgadas de SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI, gafas AR,Grado óptico

Aproximadamente 4H-SEMI SiC

• Usar SIC Monocrystal para hacer

• Apoyar los personalizados con diseño de obras de arte

• de alta calidad, adecuado para aplicaciones de alto rendimiento

• alta dureza, alrededor de 9.2 Mohs

• ampliamente utilizado en áreas de alta tecnología, como la electrónica de potencia, la electrónica automotriz y los dispositivos RF

- ¿ Qué?

Descripción del SiC 4H-SEMI

El carburo de silicio (SiC) es un semiconductor versátil conocido por su rendimiento en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

Su amplio intervalo de banda permite un funcionamiento eficiente a altos voltajes y temperaturas, lo que lo hace adecuado para electrónica de potencia, dispositivos de RF y entornos hostiles.

El SiC es parte integral de industrias como la automotriz y la energía debido a su fiabilidad y eficiencia.

Los métodos de fabricación avanzados, como la deposición química de vapor (CVD) y el transporte físico de vapor (PVT), aseguran componentes de alta calidad y duraderos.

Las propiedades únicas del SiC también lo hacen ideal para optoelectrónica de longitud de onda corta, entornos de alta temperatura, resistencia a la radiación y sistemas electrónicos exigentes.

ZMSH ofrece una gama de obleas de SiC, incluidos los tipos 6H y 4H, sin importar el tipo N, el tipo SEMI o el tipo HPSI, lo que garantiza un suministro estable y de alta calidad,y rentabilidad mediante procesos de producción a gran escala.

Características del4H-SEMI SiC

Más muestras de 4H-SEMI SiC

*Siéntase libre de contactarnos si tiene demandas personalizadas.

Recomendaciones de productos similares

1.4 pulgadas de carburo de silicio 4H-N SiC Substrato Dia 100 mm N tipo P grado D grado espesor 350um personalizado

2.4H-N Substrato de carburo de silicio SiC de 8 pulgadas espesor 350um 500um P de grado D de grado de obleas SiC

Preguntas frecuentes

1- ¿ Qué?:¿Cómo garantiza 4H-SiC Semi la calidad de sus obleas?

R: 4H-SiC Semi emplea técnicas de fabricación avanzadas, incluyendo la deposición química de vapor (CVD) y el transporte físico de vapor (PVT),y sigue estrictos procesos de control de calidad para garantizar obleas de alta calidad.

2. P: ¿Cuál es la principal diferencia entre 4H-N SiC y 4H-SEMI SiC

R: La principal diferencia entre el 4H-N SiC y el 4H-SEMI SiC es que el 4H-N SiC (dopado con nitrógeno) es un carburo de silicio semiconductor de tipo n, mientras que el 4H-Semi SiC es un carburo de silicio semisolador,que ha sido procesado para tener una resistencia muy alta.



Etiquetas: #4H-SEMI, #Substrato SiC, # 2 pulgadas, # espesor 350um 500um, # grado primario/dummy, # gafas AR, # grado óptico