4 pulgadas 4H-N de carburo de silicio SiC Substrato Dia 100 mm de espesor 350um Prime Grade Dummy Grade

La oblea de carburo de silicio 4H-N de 4 pulgadas (SiC) es un material semiconductor con una estructura cristalina de politipo 4H.

Tiene un diámetro de 4 pulgadas (100 mm) y está orientado típicamente como (0001) cara Si o (000-1) cara C.

Estas obleas son de tipo N, dopadas con nitrógeno, y tienen un grosor de aproximadamente 350 μm.

La resistividad de estas obleas generalmente cae entre 0,015 y 0,025 ohm·cm, y a menudo presentan una superficie pulida en uno o ambos lados.

Las obleas de carburo de silicio son conocidas por su excelente conductividad térmica.

Y también por una amplia banda de 3,23 eV, alto campo eléctrico de descomposición, y la movilidad significativa de electrones.

Exhiben una alta dureza, lo que las hace resistentes al desgaste y al choque térmico, y tienen una excepcional estabilidad química y térmica.

Estas propiedades hacen que las obleas de SiC sean adecuadas para aplicaciones en ambientes hostiles, incluidos dispositivos electrónicos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.

Características de las obleas de SiC:

• Nombre del producto: Substrato de carburo de silicio (SiC)
• Estructura hexagonal: Propiedades electrónicas únicas.
• Amplio espacio de banda: 3.23 eV, que permite el funcionamiento a altas temperaturas y la resistencia a la radiación
• Alta conductividad térmica: facilita una disipación de calor eficiente
• Campo eléctrico de alta ruptura: Permite un funcionamiento de mayor tensión con una reducción de las fugas
• Alta movilidad de los electrones: Mejora el rendimiento de los dispositivos de RF y de potencia
• Baja densidad de dislocación: Mejora la calidad del material y la fiabilidad del dispositivo
• Alta dureza: Resistencia al desgaste y al esfuerzo mecánico
• Excelente estabilidad químicaResistencia a la corrosión y la oxidación
• Alta resistencia al choque térmico: Mantiene su integridad bajo cambios rápidos de temperatura

Parámetros técnicos de las obleas de SiC:

Aplicaciones de las obleas de SiC:

Los sustratos de SiC (carburo de silicio) se utilizan en varias aplicaciones de alto rendimiento debido a sus propiedades únicas, como alta conductividad térmica, alta resistencia al campo eléctrico y amplia banda.Aquí hay algunas aplicaciones:

1Electrónica de energía

• MOSFETs: Para una conversión de potencia eficiente, capaz de manejar altos voltajes y corrientes.
• Diodos de Schottky: Se utiliza en rectificadores de potencia y aplicaciones de conmutación, ofreciendo baja caída de voltaje hacia adelante y conmutación rápida.
• Los JFET: Ideal para conmutación y amplificación de energía de alto voltaje.

2. Dispositivos de RF

• Amplificadores de RF: mejora el rendimiento en las telecomunicaciones, especialmente en los rangos de alta frecuencia.
• Se aplican las siguientes características a los circuitos integrados:: Se utiliza en sistemas de radar, comunicaciones por satélite y otras aplicaciones de alta frecuencia.

3. Substratos de LED

• LED de alto brillo: Las excelentes propiedades térmicas lo hacen adecuado para aplicaciones de iluminación y visualización de alta intensidad.

Personalización de las obleas de SiC:

Podemos personalizar el tamaño del sustrato de SiC para satisfacer sus requisitos específicos.

También ofrecemos una oblea 4H-Semi HPSI SiC con un tamaño de 10x10 mm o 5x5 mm y tipo 6H-N,6H-Semi.

El precio está determinado por el caso, y los detalles del embalaje se pueden personalizar a su preferencia.

El tiempo de entrega es de 2-4 semanas. Aceptamos el pago a través de T/T.

Este es el de personalización.

Wafer de SiCApoyo y servicios:

Nuestro producto de sustrato de SiC viene con soporte técnico y servicios integrales para garantizar un rendimiento óptimo y la satisfacción del cliente.

Nuestro equipo de expertos está disponible para ayudar con la selección del producto, la instalación y la solución de problemas.

Ofrecemos formación y educación sobre el uso y mantenimiento de nuestros productos para ayudar a nuestros clientes a maximizar su inversión.

Además, proporcionamos actualizaciones y mejoras continuas de productos para garantizar que nuestros clientes siempre tengan acceso a la última tecnología.

Los productos recomiendan:

1.Wafer de carburo de silicio de 2 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas de uso industrial con rugosidad superficial ≤ 0,2 nm

FAQ de las obleas de SiC:

1 P: ¿Cómo se compara el rendimiento de 4H-N SiC con el de GaN (nitruro de galio) en aplicaciones similares?

A. No: Tanto el 4H-N SiC como el GaN se utilizan en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, pero el SiC generalmente ofrece una mayor conductividad térmica y voltaje de descomposición, mientras que el GaN proporciona una mayor movilidad de electrones.La elección depende de los requisitos específicos de la aplicación.

Además, también suministramos obleas GaN.

2.P: ¿Existen alternativas al 4H-N SiC para aplicaciones similares?

A. No: Las alternativas incluyen GaN (nitruro de galio) para aplicaciones de alta frecuencia y potencia y otros politipos de SiC como 6H-SiC.Cada material tiene sus propias ventajas en función de las necesidades específicas de la aplicación.

3P: ¿Cuál es el papel del dopaje de nitrógeno en las obleas 4H-N SiC?

A. No: El dopaje de nitrógeno introduce electrones libres, haciendo que la oblea sea de tipo N. Esto mejora la conductividad eléctrica y el rendimiento de los dispositivos semiconductores fabricados a partir de la oblea.