2 3 FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Capa de oxidación húmeda seca 100nm 300nm
Descripción del producto:
La oblea de silicio se forma a través de un tubo de horno en presencia de un agente oxidante a una temperatura elevada, un proceso llamado oxidación térmica Una capa de sílice.El rango de temperatura se controla desde 900 hasta 1, 250°C; la relación del gas oxidante H2:O2 es entre 1.51 y 3:1De acuerdo con el De acuerdo con el tamaño de la oblea de silicio no oxida el espesor tendrá flujo diferente no consume.La oblea de silicio del sustrato es 6 "o 8" silicio monocristalino con un espesor de capa de óxido de 0.1 μm a 25 μm. El espesor de la capa de óxido de la oblea de silicio general se concentra principalmente por debajo de 3 μm,que puede ser estable en la actualidad Producción cuantitativa de obeliscos de silicio de alta calidad con una capa de óxido de espesor (3 μm o más) países y regiones o Estados Unidos.
Características:
El material de silicio es duro y frágil (Mohs 7.0); ancho de banda de 1.12 eV; la absorción de la luz está en la banda infrarroja, con alta emisividad e índice de refracción (3.42);El silicio tiene una conductividad térmica obvia y propiedades de expansión térmica (coeficiente de expansión lineal 2.6*10^-6/K), el volumen de fusión del silicio se contrae, la solidificación se expande, tiene un elevado coeficiente de tensión superficial (tensión superficial 720 dyn/cm); a temperatura ambiente, el silicio no es maleable,y la temperatura es superior a 800 gradosLa resistencia a la tracción del silicio es mayor que la tensión antirreductiva.y es fácil producir flexión y deformación durante el procesamiento.
Parámetros técnicos:
| Las partidas |
Parámetros |
| Densidad |
2.3 g/cm3 |
| Punto de fusión |
1750°C |
| Punto de ebullición |
2300°C |
| Indice de refracción |
1.4458 ± 0.0001 |
| Mol. wt |
60.090 |
| Apariencia |
gris |
| Solubilidad |
No soluble |
| Punto de sinterización |
900°C a 1500°C |
| Método de preparación |
oxidación seca/húmeda |
| La velocidad warp. |
8um |
| - ¿ Por qué? |
8um |
| TTV |
8um |
| Orientación |
110 |
| Ra |
0.4nm |
| Aplicación |
5G |
Aplicaciones:
El silicio monocristalino puede utilizarse para la producción de productos monocristalinos a nivel de diodo, nivel de dispositivo rectificador, nivel de circuito y nivel de célula solar y fabricación de procesamiento profundo.sus productos de seguimiento circuito integrado y dispositivos de separación de semiconductores han sido ampliamente utilizados en diversos camposEn la actualidad, con el rápido desarrollo de la tecnología fotovoltaica y la tecnología de inversores de micro semiconductores, el uso de la energía solar en la industria de la electrónica es cada vez más importante.Las células solares producidas por cristales simples de silicio pueden convertir directamente la energía solar en energía luminosaLos Juegos Olímpicos de Beijing muestran el concepto de "Jogos Olímpicos Verdes" al mundo,y el uso de silicio monocristalino es una parte muy importante de ella.
Otros productos:
Wafer SIC:
Preguntas frecuentes:
P: ¿Cuál es el nombre de marca deSiO2 cristal único?
A: El nombre de marca deSiO2 cristal únicoes ZMSH.
P: ¿Qué es la certificación de¿SiO2 de cristal único?
A: La certificación deSiO2 cristal únicoes ROHS.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deSiO2 cristal único?
A: El lugar de origen deSiO2 cristal únicoes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deSiO2 de cristal único a la vez?
R: El MOQ deSiO2 cristal únicoes 25 piezas a la vez.
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