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2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Capa de oxidación húmeda seca 100nm 300nm

Detalles del producto

Lugar de origen: China.

Nombre de la marca: ZMSH

Certificación: ROHS

Número de modelo: Wafers de SiO2

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 25pcs

Precio: Negociable

Detalles de empaquetado: caja modificada para requisitos particulares

Tiempo de entrega: en 30 días

Condiciones de pago: T/T

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Resaltar:

Wafer de silicio IC de SiO2

,

Chips de IC de oxidación seca y húmeda

,

Chips de circuito integrado de cristal único 100um

el material:
Silicios de oxidación
Diámetro:
2'3'
El grosor:
100 y 200 mm
Pulido:
SSP DSP
Método:
Oxidación húmeda seca
orientación:
110
deformación:
8um
arco:
8um
TTV:
8um
el material:
Silicios de oxidación
Diámetro:
2'3'
El grosor:
100 y 200 mm
Pulido:
SSP DSP
Método:
Oxidación húmeda seca
orientación:
110
deformación:
8um
arco:
8um
TTV:
8um
2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Capa de oxidación húmeda seca 100nm 300nm

2 3 FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Capa de oxidación húmeda seca 100nm 300nm

Descripción del producto:

La oblea de silicio se forma a través de un tubo de horno en presencia de un agente oxidante a una temperatura elevada, un proceso llamado oxidación térmica Una capa de sílice.El rango de temperatura se controla desde 900 hasta 1, 250°C; la relación del gas oxidante H2:O2 es entre 1.51 y 3:1De acuerdo con el De acuerdo con el tamaño de la oblea de silicio no oxida el espesor tendrá flujo diferente no consume.La oblea de silicio del sustrato es 6 "o 8" silicio monocristalino con un espesor de capa de óxido de 0.1 μm a 25 μm. El espesor de la capa de óxido de la oblea de silicio general se concentra principalmente por debajo de 3 μm,que puede ser estable en la actualidad Producción cuantitativa de obeliscos de silicio de alta calidad con una capa de óxido de espesor (3 μm o más) países y regiones o Estados Unidos.

Características:

El material de silicio es duro y frágil (Mohs 7.0); ancho de banda de 1.12 eV; la absorción de la luz está en la banda infrarroja, con alta emisividad e índice de refracción (3.42);El silicio tiene una conductividad térmica obvia y propiedades de expansión térmica (coeficiente de expansión lineal 2.6*10^-6/K), el volumen de fusión del silicio se contrae, la solidificación se expande, tiene un elevado coeficiente de tensión superficial (tensión superficial 720 dyn/cm); a temperatura ambiente, el silicio no es maleable,y la temperatura es superior a 800 gradosLa resistencia a la tracción del silicio es mayor que la tensión antirreductiva.y es fácil producir flexión y deformación durante el procesamiento.

Parámetros técnicos:

Las partidas Parámetros
Densidad 2.3 g/cm3
Punto de fusión 1750°C
Punto de ebullición 2300°C
Indice de refracción 1.4458 ± 0.0001
Mol. wt 60.090
Apariencia gris
Solubilidad No soluble
Punto de sinterización 900°C a 1500°C
Método de preparación oxidación seca/húmeda
La velocidad warp. 8um
- ¿ Por qué? 8um
TTV 8um
Orientación 110
Ra 0.4nm
Aplicación 5G

Aplicaciones:

El silicio monocristalino puede utilizarse para la producción de productos monocristalinos a nivel de diodo, nivel de dispositivo rectificador, nivel de circuito y nivel de célula solar y fabricación de procesamiento profundo.sus productos de seguimiento circuito integrado y dispositivos de separación de semiconductores han sido ampliamente utilizados en diversos camposEn la actualidad, con el rápido desarrollo de la tecnología fotovoltaica y la tecnología de inversores de micro semiconductores, el uso de la energía solar en la industria de la electrónica es cada vez más importante.Las células solares producidas por cristales simples de silicio pueden convertir directamente la energía solar en energía luminosaLos Juegos Olímpicos de Beijing muestran el concepto de "Jogos Olímpicos Verdes" al mundo,y el uso de silicio monocristalino es una parte muy importante de ella.

2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Capa de oxidación húmeda seca 100nm 300nm 0

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Wafer SIC:

2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Capa de oxidación húmeda seca 100nm 300nm 1

Preguntas frecuentes:

P: ¿Cuál es el nombre de marca deSiO2 cristal único?

A: El nombre de marca deSiO2 cristal únicoes ZMSH.

P: ¿Qué es la certificación de¿SiO2 de cristal único?

A: La certificación deSiO2 cristal únicoes ROHS.

P: ¿Cuál es el lugar de origen deSiO2 cristal único?

A: El lugar de origen deSiO2 cristal únicoes China.

P: ¿Cuál es el MOQ deSiO2 de cristal único a la vez?

R: El MOQ deSiO2 cristal únicoes 25 piezas a la vez.