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6" Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Waferes de semiconductores de calibre ficticio LED 5G grado D
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6" Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Waferes de semiconductores de calibre ficticio LED 5G grado D

Lugar de origen China.
Nombre de la marca ZMSH
Certificación ROHS
Número de modelo 4H-Semi SIC
Detalles del producto
el material:
HPSI 4h-Semi SIC
Grado:
D
Diámetro:
150 ± 0,2 mm
El grosor:
500 ± 25 μm
VAL:
Se aplicarán las siguientes medidas:
TTV:
≤ 20 μm
arco:
-45 μm ~ 45 μm
deformación:
≤ 55 μm
Resistencia:
70% de la superficie > 1 E5 ohm·cm
Alta luz: 

Waferas de semiconductores de calidad ficticia

,

Substrato de silicio 4H-Semi SIC

,

Oferta de semiconductores LED

Descripción de producto

6 ′′ Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Wafers semiconductores de grado ficticio 5G LED

 

 

Descripción:

 

Semi-aislante 4H-SiC (semi-aislante)4H-SIC) es un tipo especial de carburo de silicio.En la estructura cristalina, el SIC de semiconductores 4H tiene propiedades semiconductoras, mientras que el carburo de silicio semiconductor 4H semi-aislado tiene características de resistencia más altas,con propiedades similares a las de los aislantes.Semi-aisladosCarburo de silicio semiconductor 4Htiene importantes aplicaciones enel semiconductorfabricación de dispositivos, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.Silicio semi-aislado carburopuede utilizarse como resistencia, capa de aislamiento osustratospara ayudar a reducir la interconexión de corriente e interferencias entre dispositivos.4 horas.indica la estructura cristalina decarburo de silicio.4H-carburo de silicioes una forma de estructura cristalina en la que los átomos de silicio y carbono forman una estructura cristalina estable.

 

 

Características:

 

 

Características

Descripciones

Propiedad de alta temperatura

El carburo de silicio semiconductor 4H tiene excelentes características a altas temperaturas y puede funcionar en entornos de altas temperaturas.

Resistencia a la alta presión

El carburo de silicio semiconductor 4H tiene una alta resistencia al campo eléctrico de descomposición y resistencia al voltaje, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje como la electrónica de potencia.

Respuesta de alta requerencia

El carburo de silicio semiconductor 4H tiene una alta movilidad de electrones y características de baja capacitancia, lo que permite una conmutación de alta velocidad y una conversión de potencia de baja pérdida.

Pérdida baja de encendido y apagado

El SIC 4H-semi tiene una baja pérdida de encendido y apagado, es decir, menos pérdida de energía en el estado conductor, reduciendo la pérdida de calor en la conversión de energía.

Alta resistencia a la radiación

El SIC 4H-semi tiene una alta resistencia a la radiación y puede mantener un rendimiento estable en entornos de alta radiación.

Buena conductividad térmica

El SIC 4H-semi tiene una buena conductividad térmica y puede transferir y dispersar calor de manera efectiva.

Alta resistencia química

El SIC 4H-semi tiene una alta resistencia a la corrosión química y la oxidación para mantener un rendimiento estable en ambientes hostiles.

 

 

 

Parámetros técnicos:

 

 

Producción

Investigación

¡ Qué tonto!

El tipo

4 horas

4 horas

4 horas

Resistencia (ohm·cm)

≥ 1E9

100% de la superficie>1E5

70% de la superficie> 1E5

Diámetro

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

150 ± 0,2 mm

El grosor

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

500 ± 25 μm

Eje

Se trata de:

Se trata de:

Se trata de:

TTV

≤ 5 μm

≤ 10 μm

≤ 20 μm

El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

≤ 3 μm

≤ 5 μm

≤ 10 μm

- ¿ Por qué?

- 25 μm ~ 25 μm

- 35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

La velocidad warp.

≤ 35 μm

≤ 45 μm

≤ 55 μm

El número de unidades de producción es el siguiente:

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Ra ≤ 0,2 nm

Densidad de los microtubos

El valor de las emisiones de dióxido de carbono

≤ 10ea/cm2

≤ 15ea/cm2

 

 

 

 

Aplicaciones:


1El sustrato SIC de alta pureza 4H-semi se puede utilizar en dispositivos electrónicos de potencia.


2El SIC 4H de alta pureza puede utilizarse para fabricar dispositivos optoelectrónicos.


3Los SIC de alta pureza 4H-semi se pueden utilizar como amplificadores de alta frecuencia.

 

4Se puede utilizar SIC de alta pureza 4H-semi para fabricar células solares eficientes.


5El SIC 4H de alta pureza puede utilizarse para fabricar dispositivos LED (diodos emisores de luz).


6El SIC 4H-semi de alta pureza tiene importantes aplicaciones en dispositivos electrónicos de alta temperatura.


7Se puede utilizar SIC de alta pureza 4H-semi se puede utilizar para fabricar varios tipos de sensores

 

 

6" Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Waferes de semiconductores de calibre ficticio LED 5G grado D 0

 

 

 

 

Otros productos relacionados:

 

4H-N SIC

 

 

6" Silicio de alta pureza 4H-Semi SIC Waferes de semiconductores de calibre ficticio LED 5G grado D 1

 

 

 

Preguntas frecuentes:

 

P: ¿Qué es la certificación deHPSI 4h-semi SIC?

A: La certificación deHPSI 4h-semi SICes ROHS.

 

P: ¿Cuál es el nombre de marca deHPSI 4h-semi SIC?

A: El nombre de marca deHPSI 4h-semi SICes ZMSH.

 

P: ¿Cuál es el lugar de origen deHPSI 4h-semi SIC?

A: El lugar de origen deHPSI 4h-semi SICes China.

 

P: ¿Cuál es el MOQ deHPSI 4h-semi SIC a la vez?

R: El MOQ deHPSI 4h-semi SICes 25 piezas a la vez.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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