Detalles del producto
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: ROHS
Número de modelo: 4H-Semi SIC
Condiciones de pago y envío
Cantidad de orden mínima: 25pcs
Precio: Negociable
Detalles de empaquetado: caja modificada para requisitos particulares
Tiempo de entrega: en 30 días
Condiciones de pago: T/T
el material: |
HPSI 4h-Semi SIC |
Grado: |
D |
Diámetro: |
150 ± 0,2 mm |
El grosor: |
500 ± 25 μm |
VAL: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
TTV: |
≤ 20 μm |
arco: |
-45 μm ~ 45 μm |
deformación: |
≤ 55 μm |
Resistencia: |
70% de la superficie > 1 E5 ohm·cm |
el material: |
HPSI 4h-Semi SIC |
Grado: |
D |
Diámetro: |
150 ± 0,2 mm |
El grosor: |
500 ± 25 μm |
VAL: |
Se aplicarán las siguientes medidas: |
TTV: |
≤ 20 μm |
arco: |
-45 μm ~ 45 μm |
deformación: |
≤ 55 μm |
Resistencia: |
70% de la superficie > 1 E5 ohm·cm |
Descripción:
Semi-aislante 4H-SiC (semi-aislante)4H-SIC) es un tipo especial de carburo de silicio.En la estructura cristalina, el SIC de semiconductores 4H tiene propiedades semiconductoras, mientras que el carburo de silicio semiconductor 4H semi-aislado tiene características de resistencia más altas,con propiedades similares a las de los aislantes.Semi-aisladosCarburo de silicio semiconductor 4Htiene importantes aplicaciones enel semiconductorfabricación de dispositivos, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.Silicio semi-aislado carburopuede utilizarse como resistencia, capa de aislamiento osustratospara ayudar a reducir la interconexión de corriente e interferencias entre dispositivos.4 horas.indica la estructura cristalina decarburo de silicio.4H-carburo de silicioes una forma de estructura cristalina en la que los átomos de silicio y carbono forman una estructura cristalina estable.
Características:
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Características |
Descripciones |
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Propiedad de alta temperatura |
El carburo de silicio semiconductor 4H tiene excelentes características a altas temperaturas y puede funcionar en entornos de altas temperaturas. |
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Resistencia a la alta presión |
El carburo de silicio semiconductor 4H tiene una alta resistencia al campo eléctrico de descomposición y resistencia al voltaje, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje como la electrónica de potencia. |
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Respuesta de alta requerencia |
El carburo de silicio semiconductor 4H tiene una alta movilidad de electrones y características de baja capacitancia, lo que permite una conmutación de alta velocidad y una conversión de potencia de baja pérdida. |
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Pérdida baja de encendido y apagado |
El SIC 4H-semi tiene una baja pérdida de encendido y apagado, es decir, menos pérdida de energía en el estado conductor, reduciendo la pérdida de calor en la conversión de energía. |
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Alta resistencia a la radiación |
El SIC 4H-semi tiene una alta resistencia a la radiación y puede mantener un rendimiento estable en entornos de alta radiación. |
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Buena conductividad térmica |
El SIC 4H-semi tiene una buena conductividad térmica y puede transferir y dispersar calor de manera efectiva. |
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Alta resistencia química |
El SIC 4H-semi tiene una alta resistencia a la corrosión química y la oxidación para mantener un rendimiento estable en ambientes hostiles. |
Parámetros técnicos:
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Producción |
Investigación |
¡ Qué tonto! |
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El tipo |
4 horas |
4 horas |
4 horas |
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Resistencia (ohm·cm) |
≥ 1E9 |
100% de la superficie>1E5 |
70% de la superficie> 1E5 |
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Diámetro |
150 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
150 ± 0,2 mm |
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El grosor |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
500 ± 25 μm |
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Eje |
Se trata de: |
Se trata de: |
Se trata de: |
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TTV |
≤ 5 μm |
≤ 10 μm |
≤ 20 μm |
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
≤ 3 μm |
≤ 5 μm |
≤ 10 μm |
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- ¿ Por qué? |
- 25 μm ~ 25 μm |
- 35 μm ~ 35 μm |
-45 μm ~ 45 μm |
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La velocidad warp. |
≤ 35 μm |
≤ 45 μm |
≤ 55 μm |
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El número de unidades de producción es el siguiente: |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
Ra ≤ 0,2 nm |
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Densidad de los microtubos |
El valor de las emisiones de dióxido de carbono |
≤ 10ea/cm2 |
≤ 15ea/cm2 |
1El sustrato SIC de alta pureza 4H-semi se puede utilizar en dispositivos electrónicos de potencia.
2El SIC 4H de alta pureza puede utilizarse para fabricar dispositivos optoelectrónicos.
3Los SIC de alta pureza 4H-semi se pueden utilizar como amplificadores de alta frecuencia.
4Se puede utilizar SIC de alta pureza 4H-semi para fabricar células solares eficientes.
5El SIC 4H de alta pureza puede utilizarse para fabricar dispositivos LED (diodos emisores de luz).
6El SIC 4H-semi de alta pureza tiene importantes aplicaciones en dispositivos electrónicos de alta temperatura.
7Se puede utilizar SIC de alta pureza 4H-semi se puede utilizar para fabricar varios tipos de sensores
Preguntas frecuentes:
P: ¿Qué es la certificación deHPSI 4h-semi SIC?
A: La certificación deHPSI 4h-semi SICes ROHS.
P: ¿Cuál es el nombre de marca deHPSI 4h-semi SIC?
A: El nombre de marca deHPSI 4h-semi SICes ZMSH.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deHPSI 4h-semi SIC?
A: El lugar de origen deHPSI 4h-semi SICes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deHPSI 4h-semi SIC a la vez?
R: El MOQ deHPSI 4h-semi SICes 25 piezas a la vez.
