4" 4H-Semi alta pureza SIC plaquetas semiconductor de primer grado EPI sustratos

4H-Semi-Wafers SIC de alta pureza Semiconductores de primer grado Substratos EPI

Descripción del SIC HP 4H:

1Las obleas 4H-SiC (carburo de silicio) de alta pureza son materiales semiconductores muy ideales.

2La hoja de 4H-SiC semi-insulada se prepara mediante pirólisis a alta temperatura, crecimiento de cristales y proceso de corte.

3Las láminas de 4H-SiC semi-aisladas de alta pureza tienen concentraciones de portadores más bajas y propiedades de aislamiento más altas.

4El 4H-SiC es una red hexagonal. Esta estructura cristalina da al 4H-SiC excelentes propiedades físicas y eléctricas.

5El proceso requiere una alta pureza de las materias primas y precisión para garantizar la estructura consistente de la oblea de silicio.

Característicasde HP 4H semi-SIC:

La lámina de 4H-SiC (carburo de silicio) semi-aislada de alta pureza es un material semiconductor ideal:

1Ancho de banda: Generalmente, el 4H-SiC tiene un ancho de banda de aproximadamente 3,26 electrón voltios (eV).

2Debido a su estabilidad térmica y a sus propiedades aislantes, el 4H-SiC puede funcionar en un amplio rango de temperaturas.

3El 4H-SiC tiene una alta resistencia a la radiación utilizada en la energía nuclear y los experimentos de física de altas energías.

4El 4H-SiC tiene una alta dureza y resistencia mecánica, lo que le da una excelente estabilidad y fiabilidad.

5. El 4H-SiC tiene una alta movilidad electrónica en el rango de 100-800 centímetros cuadrados / (V · segundo) (cm ^ 2 / (V · s).

6. Alta conductividad térmica: el 4H-SiC tiene una conductividad térmica muy alta, de unos 490-530 vatios/m-kelle (W/m·K).

7Resistencia a la alta tensión: el 4H-SiC tiene una excelente resistencia a la tensión, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta tensión.

Parámetros técnicos deSIC para el HP 4H:

Las láminas de 4H-SiC (carburo de silicio) semi-aisladas de alta pureza se utilizan ampliamente en muchos campos:

1Dispositivos optoelectrónicos: El 4H-SiC semi-aislado se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos optoelectrónicos.

2. Dispositivos de RF y microondas: Las características de alta movilidad de electrones y baja pérdida del 4H-SiC semi-aislado.

3Otros campos: El 4H-SiC semieisulado también tiene algunas aplicaciones en otros campos, como detectores de radiación.

4Debido a la alta conductividad térmica y la excelente resistencia mecánica del 4H-semi SiCen temperaturas extremas.

5Dispositivos electrónicos de potencia: el 4H-SiC semi-aislado se utiliza ampliamente en la fabricación de dispositivos de alta potencia.

Otro producto relacionado HP 4-H semi-SIC:

4H-N SIC

Preguntas frecuentes sobre el HPSI4H-Semi SIC:

P: ¿Cuál es el nombre de marca deHPSI 4h-semi SIC?

A: El nombre de marca deHPSI 4h-semi SICes ZMSH.

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A: La certificación deHPSI 4h-semi SICes ROHS.

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