Oblea de silicio de IC con la llanura <50um ningunos defectos

Descripción de producto:

Nuestras obleas de silicio de alta calidad de IC se hacen del material superior del silicio y están disponibles en obleas de 6 pulgadas, de 4 pulgadas, de 6 pulgadas y de 8 pulgadas SOI. La superficie de estas obleas de silicio de IC está libre de cualquier defecto y la resistencia se extiende de 1 a 10 ohmio. Por otra parte, la densidad de la partícula en la superficie de estas obleas de silicio de SOI es menos de 30 por los cm2s y la deformación es menos que 20um. Nuestras obleas de silicio de IC son ampliamente utilizadas en la producción de semiconductores y de circuitos integrados.

Características:

• Nombre de producto: Oblea de silicio de IC
• Dopante: P-tipo /N-type
• Defectos: Ninguno
• Deformación:<20um>
• Llanura:<50um>
• TTV:<10um>
• Tamaño: obleas de silicio de 4 pulgadas
• Capa: Obleas de PECVD SIO2, oblea de la capa de Si3Nx

Parámetros técnicos:

Usos:

La oblea de silicio de IC de ZMSH es una oblea de alto rendimiento con una superficie ultrafina y de alto rendimiento. Es extremadamente conveniente para la fabricación del semiconductor de IC, proporcionando un substrato confiable para la fabricación de circuitos integrados. El modelo Silicon004 tiene un grueso de 0.28/0.35/0.5/0.525/0.625/0.7/0.725 y una cantidad de orden mínima de 25PC. La certificación de ROHS está disponible y cada oblea ha experimentado control de calidad estricto con un valor de TTV menos que 10um. Está disponible de tamaños 4inch, 6inch, y 8inch, y tres orientaciones (100), (110), (111). La superficie se puede modificar para requisitos particulares con la capa SiO2. El precio está al lado de caso y plazo de expedición está dentro de 30days. Las condiciones de pago son T/T y la capacidad de la fuente es 2000PC/months.

La oblea de silicio de IC de ZMSH es la opción perfecta para la fabricación del semiconductor de IC, con su superficie ultrafina y de alto rendimiento. Es un substrato ideal para las obleas de 4inch, de 6inch, y de 8inch SOI, y su capa SiO2 asegura una superficie confiable y durable. Todas las obleas de silicio de IC se prueban riguroso, sin defectos y un valor de TTV menos que 10um. Ésta es la opción perfecta para cualquier persona que busca una oblea ultrafina, de alto rendimiento para la fabricación del semiconductor de IC.

Arreglo para requisitos particulares:

FAQ: