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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa
  • 4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa
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4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa

Lugar de origen China.
Nombre de la marca ZMSH
Certificación ROHS
Número de modelo Plantilla de AIN sobre el silicio
Detalles del producto
El material:
Plantilla de AIN sobre el silicio
orientación:
111
Pulido:
Las condiciones de los servicios de gestión de la seguridad
Diámetro:
4''
El grosor:
100nm, 200nm
Aplicación:
Substratos de semiconductores
tipo de la conductividad:
tipo de n
Resistividad:
1 a 100 ohm.cm
Densidad macra del defecto:
< 10/cm2
Alta luz: 

AIN en las obleas de semiconductores

,

AIN sobre sustratos de silicio

,

Nitruro de aluminio en obleas de silicio

Descripción de producto

4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa

 

Descripción:

El nitruro de aluminio en obleas de silicio es un nuevo tipo de material semiconductor que ofrece propiedades únicas.La cerámica de nitruro de aluminio tiene una baja constante dieléctrica y excelentes propiedades mecánicasEs no tóxico y tiene un coeficiente de expansión lineal similar al del silicio.Esta combinación de propiedades hace del nitruro de aluminio un material ideal para muchas aplicaciones electrónicasUna película delgada de nitruro de aluminio es una forma de material semiconductor. Es altamente conductor de nitruro de aluminio en obleas de silicio y puede soportar altas temperaturas.También es resistente a los electromagnéticos y tiene un punto de ebullición altoComo resultado, se utiliza comúnmente en teléfonos móviles y otros productos electrónicos. Sin embargo, no es aconsejable procesar el nitruro de aluminio en obleas de silicio sin recocido adecuado.

4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa 04' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa 1

 

Especificación:

 

  • Área útil: 90%
  • espesor nominal de AlN: 200 nm ± 5%, película de AlN sin dopar recubierta por un lado
  • Superficie delantera: en estado de crecimiento
  • Superficie trasera: Silicio tal como ha sido recibido
  • Orientación AlN: plano C (001)
  • Densidad de macro defectos: < 5 cm2
  • Base de la oblea: Silicio [111] tipo N, 2" de diámetro x0,5 mm, Resistividad: <5 ohm-cm, un lado pulido

Aplicación:

  • El nitruro de aluminio en las obleas de silicio es un material de sustrato ideal para muchas aplicaciones.Su alta conductividad térmica y baja resistencia lo convierten en un material adecuado para muchas aplicaciones electrónicasEsto hace que el nitruro de aluminio sobre silicio sea la mejor opción para la electrónica y es ecológico.
  • En comparación con el silicio, el nitruro de aluminio en silicio tiene una excelente conductividad eléctrica y un menor coeficiente de expansión térmica.Además de la electrónica, también es seguro para el medio ambiente.
  • El nitruro de aluminio en las obleas de silicio es una excelente alternativa al óxido de berilio en aplicaciones electrónicas.Este material semiconductor también se puede utilizar en aplicaciones electrónicas.
  • El material es extremadamente duradero y es adecuado para una variedad de aplicaciones electrónicas.Su baja conductividad térmica y su alto aislamiento eléctrico hacen que sea un excelente material para dispositivos electrónicosA diferencia del silicio, es no tóxico y fácil de fabricar. Además de las aplicaciones electrónicas, también tiene una constante dieléctrica baja. También es un excelente sustituto del silicio en los láseres de alta velocidad.

 

Otros productos:

Oferta de GaN:

4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa 24' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa 3

 

Introducción de la empresa:

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD. se encuentra en la ciudad de Shanghai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se fundó en la ciudad de Wuxi en 2014.Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico customizado.Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando estrechamente con muchas universidades nacionales y extranjeras., instituciones de investigación y empresas, proporcionan productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D. Es nuestra visión mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes por nuestra buena reputación.
4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa 4
 

 

 

 

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Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
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