Enviar mensaje
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Correo: eric_wang@zmsh-materials.com Teléfono: 86-1580-1942596
Hogar > PRODUCTOS > Oblea del nitruro del galio >
obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF
  • obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF
  • obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF
  • obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF
  • obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF

obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF

Lugar de origen China
Nombre de la marca ZMSH
Certificación rohs
Número de modelo GaN-EN-silicio 6/8/12INCH
Detalles del producto
Materiales:
Substrato de silicio
espesor de la capa epi:
2-7um
El material:
Wafer de nitruro de galio
Fabricación tradicional utilizando:
Epitaxis de haz molecular
Cuota de producción:
1 piezas
Tamaño:
4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas 12 pulgadas
Aplicación:
Aplicación de micro-LED
Uso electrónico:
electrónica, circuitos de conmutación de alta velocidad, circuitos infrarrojos
Alta luz: 

GaN Silicon Substrate

,

Oblea del arseniuro de galio de 4 pulgadas

,

Substratos del semiconductor para el uso del RF

Descripción de producto

8 pulgadas 12 pulgadas 6 pulgadas GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de micro-LED RF POWER

8 pulgadas 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS para la aplicación de energía

 

Wafer epitaxial de GaN (EPI de GaN en silicio)
ZMSH es un agente de GaN-on-Si obeliscos epitaxiales en Shanghia.


Introducción
La necesidad de ahorro energético y de avances en los sistemas de información y comunicación es cada vez mayor.Hemos desarrollado un sustrato semiconductor de banda ancha con nitruro de galio (GaN) como material semiconductor de próxima generación.
Concepto: Al cultivar películas finas de GaN de cristal único en sustratos de silicio, podemos producir sustratos de semiconductores grandes y baratos para dispositivos de próxima generación

.
Objetivo: Para electrodomésticos: interruptores e inversores con voltajes de avería en cientos.
Ventajas: Nuestros sustratos de silicio son más baratos para cultivar GaN que otros sustratos de carburo de silicio o zafiro, y podemos proporcionar dispositivos GaN adaptados a los requisitos del cliente.


Glosario
espacio de banda ancha
Band gap refers to the energy field formed by the band structure in a crystal that does not contain electrons (semiconductor materials with a band gap larger than silicon are often referred to as wide band gap semiconductors)Material de banda ancha con buena transparencia óptica y alto voltaje de ruptura eléctrica


Heterojunción
En términos generales, en el campo de los semiconductores, las películas relativamente delgadas de materiales semiconductores con diferentes composiciones se apilan.En el caso de cristales mixtos, se obtienen heterojunciones con interfaces atómicamente lisas y buenas propiedades de interfaz.

 

Especificaciones de las obleas Epi para aplicaciones de energía con GaN-on-Si
 
Especificación del producto
Las partidas Valores/Ámbito de aplicación
Substrato Si
Diámetro de la oblea 100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm
espesor de la capa epi 2-7 μm
Arco de la oblea < 30 μm, típico
Morfología de la superficie RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm2
Barrera AlXGa1-XN, 0
Capa superior SiN o GaN in situ (modo D); p-GaN (modo E)
Densidad de 2DEG > 9E12/cm2 (20nm Al0,25GaN, 150mm)
Movilidad de electrones > 1800 cm2 /Vs (20nm Al0,25GaN, 150mm)
 
F: el precioEspecificaciones de las plaquetas Epi para aplicaciones de RF con GaN sobre SiAplicaciónEms Valores/Ámbito de aplicación
Substrato HR_Si / SiC
Diámetro de la oblea 100 mm, 150 mm para el SiC,
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
espesor de la capa epi 2-3 μm
Arco de la oblea < 30 μm, típico
Morfología de la superficie RMS < 0,5 nm en 5 × 5 μm2
Barrera AlGaN o AlN o InAlN
Capa de cap In situ SiN o GaN
obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF 0
obleas de 4Inch 6INCH GaN-en-Si GaN-en-SIC Epi para el uso del RF 1
 
• Los miembros del equipo técnico principal tienen más de 10 años de experiencia en GaN
Capacidad
• Sala limpia de clase 1000 de 3300 m2
• 200 000 piezas/año para epiwafers de 150 mm de GaN
Producto
La diversidad
• GaN sobre Si (hasta 300 mm)
• GaN sobre SiC (hasta 150 mm)
• GaN-en-HR_Si (hasta 200 mm)
• GaN en zafiro (hasta 150 mm)
• GaN sobre GaN
• ~400 patentes registradas en China, EE.UU., Japón, etc.
con > 100 concedidos
• Licencia de ~ 80 patentes de imec
• Certificado ISO9001:2015 para el diseño y
Fabricación de material de GaN epi
 

Preguntas frecuentes:

 

P: ¿Cuál es su MOQ?

R: (1) Para el inventario, el MOQ es 1pcs.

(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 5pcs.

 

P: ¿Cuál es la forma de envío y el costo?

A: ((1) Aceptamos DHL, Fedex, EMS, etc.

(2) Si usted tiene su propia cuenta expreso, es genial. Si no, podríamos ayudarle a enviarlos.

El flete está de acuerdo con la liquidación real.

 

P: ¿Cuál es el tiempo de entrega?

Para el inventario: la entrega es de 5 días hábiles después de realizar el pedido.

Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 3 semanas después de realizar el pedido.

 

P: ¿Tiene productos estándar?

R: Nuestros productos estándar en stock.as como 4 pulgadas 0,65 mm,0Una oblea pulida de.5 mm.

P: ¿Cómo se paga?

A: 50% de depósito, dejado antes de la entrega T/T,

P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?

R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y revestimiento óptico para su óptico

componentes basados en sus necesidades.

 

Éntrenos en contacto con en cualquier momento

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenida de Dianshanhu, área de Qingpu, ciudad de Shangai, CHINA
Envíenos su investigación directamente