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El COMERCIO FAMOSO CO., LTD. de SHANGAI localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y nuestra fábrica se funda en la ciudad de Wuxi en 2014. Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y el vidrio óptico custiomized parts.components ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones ...
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Calidad Oblea del nitruro del galio & Oblea del zafiro fabricante

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Estudio de caso de ZMSH: Principal proveedor de zafiros sintéticos de alta calidad
Estudio de caso de ZMSH: Principal proveedor de zafiros sintéticos de alta calidad     IntroducciónZMSH es un nombre líder en la industria de piedras preciosas sintéticas, proporcionando una amplia gama de zafiros de colores vibrantes de alta calidad.Nuestras ofertas incluyen una amplia paleta de colores como el azul real, rojo vivo, amarillo, rosa, rosa-naranja, púrpura, y múltiples tonos verdes, incluyendo esmeralda y verde oliva.ZMSH se ha convertido en un socio preferido para las empresas que requieren, visualmente llamativas y duraderas piedras preciosas sintéticas. Destacamos nuestras piedras preciosas sintéticasEn el núcleo de la gama de productos de ZMSH están los zafiros sintéticos que emulan el brillo y la calidad de las piedras preciosas naturales al tiempo que ofrecen numerosas ventajas.Estos zafiros son cuidadosamente fabricados para lograr una consistencia de color excepcional y durabilidad, lo que las convierte en una alternativa superior a las piedras naturales. Beneficios de elegir zafiros sintéticos Consistencia sin igualNuestros zafiros creados en laboratorio se producen bajo condiciones controladas, asegurando que cumplan con estrictos estándares de calidad.libre de las variaciones de color y claridad que se ven a menudo en las piedras preciosas extraídas. Selección amplia de colores: ZMSH ofrece una amplia gama de colores, incluyendo azul real, rojo rubí, y tonos más suaves como rosa y rosa-naranja.adaptados a las necesidades específicas de los clientesEsta flexibilidad en la personalización de colores y tonos hace que nuestros zafiros sean perfectos para una amplia gama de diseños y propósitos industriales. Precios asequibles: Los zafiros cultivados en laboratorio ofrecen una alternativa más económica sin sacrificar el atractivo visual o la integridad estructural.Ofrecen un excelente valor para los clientes que necesitan piedras preciosas de alta calidad a una fracción del costo de las piedras naturales, por lo que son ideales tanto para productos de lujo como para aplicaciones prácticas. Saludable desde el punto de vista ambiental y ético: Al optar por piedras preciosas sintéticas, los clientes pueden evitar los daños ambientales y las preocupaciones éticas a menudo asociadas con la extracción de piedras preciosas tradicionales.Los zafiros sintéticos de ZMSH son creados de una manera ecológica, ofreciendo una elección sostenible y responsable. Fuerza y versatilidad: Los zafiros sintéticos poseen la misma dureza que sus contrapartes naturales, lo que los hace ideales para una variedad de usos, desde joyas de alta gama hasta aplicaciones industriales.Con una dureza de 9 en la escala de Mohs, estas gemas aseguran una durabilidad duradera en todos los entornos   ConclusiónZMSH se dedica a entregar zafiros sintéticos de primer nivel, ofreciendo a los clientes una variedad de soluciones de piedras preciosas personalizables, rentables y sostenibles.Si usted está buscando azul real para accesorios elegantes, verde esmeralda para componentes industriales, o cualquier otro color llamativo, ZMSH proporciona piedras preciosas que combinan belleza, consistencia y resistencia.Nuestra experiencia en la producción de zafiros sintéticos nos permite satisfacer las necesidades de varias industrias, garantizando una calidad fiable y prácticas éticas en cada orden.
Estudio de caso: El avance de ZMSH con el nuevo sustrato 4H/6H-P 3C-N SiC
Introducción ZMSH ha estado constantemente a la vanguardia de la innovación de obleas y sustratos de carburo de silicio (SiC), conocida por proporcionar un alto rendimiento6H-SiCy4H-SiCEn respuesta a la creciente demanda de materiales más capaces en aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia,ZMSH ha ampliado su oferta de productos con la introducción de4H/6H-P 3C-N SiCEste nuevo producto representa un salto tecnológico significativo al combinar los productos tradicionales de la industria de la fabricación y la fabricación.Polítipo 4H/6H SiCsustratos con innovadores3C-N SiCLas películas, ofreciendo un nuevo nivel de rendimiento y eficiencia para los dispositivos de próxima generación. Resumen general del producto existente: Substratos de 6H-SiC y 4H-SiC Características clave Estructura de cristal: Tanto el 6H-SiC como el 4H-SiC poseen estructuras cristalinas hexagonales.Considerando que el 4H-SiC posee una mayor movilidad electrónica y una banda ancha de 3.2 eV, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Conductividad eléctrica: Disponible tanto en el tipo N como en las opciones de semi-aislamiento, lo que permite flexibilidad para diversas necesidades del dispositivo. Conductividad térmica: Estos sustratos presentan conductividades térmicas que oscilan entre 3,2 y 4,9 W/cm·K, lo cual es esencial para disipar el calor en ambientes de alta temperatura. Fuerza mecánica: Los sustratos presentan una dureza de Mohs de 9.2, proporcionando robustez y durabilidad para su uso en aplicaciones exigentes. Utilizaciones típicas: Utilizado comúnmente en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y entornos que requieren resistencia a altas temperaturas y radiación. Los desafíosMientras6H-SiCy4H-SiCLos electrones son muy valorados, se encuentran con ciertas limitaciones en escenarios específicos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia.y una banda más estrecha limitan su eficacia para aplicaciones de próxima generaciónEl mercado requiere cada vez más materiales con un rendimiento mejorado y menos defectos para garantizar una mayor eficiencia operativa. Innovación de nuevos productos: sustratos de SiC 4H/6H-P 3C-N Para superar las limitaciones de sus anteriores sustratos de SiC, ZMSH ha desarrollado el4H/6H-P 3C-N SiCEste nuevo producto aprovechacrecimiento epitaxialde películas de SiC 3C-N enSubstratos de politipo 4H/6H, proporcionando propiedades electrónicas y mecánicas mejoradas. Mejoras tecnológicas clave Politipo e integración de películasEl3C-SiCLas películas se cultivan epitaxialmente utilizandodeposición de vapor químico (CVD)En elSustratos de 4H/6H, lo que reduce significativamente el desajuste de la rejilla y la densidad de defectos, lo que mejora la integridad del material. Mejora de la movilidad electrónicaEl3C-SiCLa película ofrece una movilidad de electrones superior en comparación con laSustratos de 4H/6H, por lo que es ideal para aplicaciones de alta frecuencia. Mejora de la tensión de ruptura: Los ensayos indican que el nuevo sustrato ofrece un voltaje de descomposición significativamente más alto, por lo que es más adecuado para aplicaciones de alta intensidad energética. Reducción de defectos: Las técnicas de crecimiento optimizadas minimizan los defectos y dislocaciones del cristal, asegurando la estabilidad a largo plazo en entornos difíciles. Capacidades optoelectrónicas: La película 3C-SiC también presenta características optoelectrónicas únicas, particularmente útiles para detectores ultravioleta y varias otras aplicaciones optoelectrónicas. Ventajas del nuevo sustrato 4H/6H-P 3C-N SiC Mayor movilidad de electrones y resistencia a la descomposiciónEl3C-N SiCLa película garantiza una estabilidad y una eficiencia superiores en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, lo que resulta en una vida útil operativa más larga y un mayor rendimiento. Mejor conductividad térmica y estabilidad: Con una mayor capacidad de disipación de calor y estabilidad a temperaturas elevadas (más de 1000°C), el sustrato es adecuado para aplicaciones de alta temperatura. Aplicaciones optoelectrónicas ampliadas: Las propiedades optoelectrónicas del sustrato amplían su ámbito de aplicación, lo que lo hace ideal para sensores ultravioleta y otros dispositivos optoelectrónicos avanzados. Mejora de la durabilidad química: El nuevo sustrato presenta una mayor resistencia a la corrosión química y a la oxidación, lo cual es vital para su uso en ambientes industriales adversos. Áreas de aplicación El4H/6H-P 3C-N SiCEl sustrato es ideal para una amplia gama de aplicaciones de vanguardia debido a sus propiedades eléctricas, térmicas y optoelectrónicas avanzadas: Electrónica de potencia: Su tensión de ruptura superior y la gestión térmica lo convierten en el sustrato de elección para dispositivos de alta potencia como:MOSFETs,Los IGBT, yDiodos de Schottky. Dispositivos de radiofrecuencia y microondas: La alta movilidad de los electrones garantiza un rendimiento excepcional en alta frecuenciaRFydispositivos de microondas. Detectores de ultravioleta y optoelectrónica: Las propiedades optoelectrónicas de3C-SiChacerla especialmente adecuada paraDetección UVy varios sensores optoelectrónicos. Conclusión y recomendación del producto El ZMSH lanzó el4H/6H-P 3C-N SiCEste producto innovador, con su mejora de la movilidad de los electrones, reducción de la densidad de defectos,y mejorado voltaje de ruptura, está bien posicionada para satisfacer las crecientes demandas de los mercados de potencia, frecuencia y optoelectrónica.Su estabilidad a largo plazo en condiciones extremas también lo convierte en una opción muy confiable para una amplia gama de aplicaciones. La ZMSH alienta a sus clientes a adoptar la4H/6H-P 3C-N SiCEl substrato para aprovechar sus capacidades de rendimiento de vanguardia.Este producto no sólo cumple con los estrictos requisitos de los dispositivos de próxima generación, sino que también ayuda a los clientes a obtener una ventaja competitiva en un mercado en rápida evolución.   Recomendación del producto   4 pulgadas 3C tipo N SiC Substrato de carburo de silicio Substrato de espesor 350um Prime Grade Dummy Grade       - apoyar las personalizadas con diseño de ilustraciones   - un cristal cúbico (3C SiC), hecho de monocristal SiC   - Alta dureza, la dureza de Mohs alcanza 9.2, sólo superado por el diamante.   - excelente conductividad térmica, adecuada para ambientes de alta temperatura.   - características de banda ancha, adecuadas para dispositivos electrónicos de alta frecuencia y alta potencia.
Comprehensive Overview of Advanced Ceramics Used in Semiconductor Equipment
Comprehensive Overview of Advanced Ceramics Used in Semiconductor Equipment   Precision ceramic components are essential elements in core equipment for key semiconductor manufacturing processes such as photolithography, etching, thin film deposition, ion implantation, and CMP. These parts—including bearings, guide rails, chamber liners, electrostatic chucks, and robotic arms—are especially critical inside process chambers, where they serve functions such as support, protection, and flow control. This article provides a systematic overview of how precision ceramics are applied in major semiconductor fabrication equipment.       Front-End Processes: Precision Ceramics in Wafer Fabrication Equipment 1. Photolithography Equipment   To ensure high process accuracy in advanced photolithography systems, a wide range of ceramic components with excellent multifunctionality, structural stability, thermal resistance, and dimensional precision are used. These include electrostatic chucks, vacuum chucks, blocks, water-cooled magnet bases, reflectors, guide rails, stages, and mask holders.   Key ceramic components: Electrostatic chuck, motion stage   Main materials:Electrostatic chucks: Alumina (Al₂O₃), Silicon Nitride (Si₃N₄), Motion stages: Cordierite ceramics, Silicon Carbide (SiC)   Technical challenges: Complex structure design, raw material control and sintering, temperature management, and ultra-precision machining. The material system of lithography motion stages is crucial for achieving high accuracy and scanning speed. Materials must feature high specific stiffness and low thermal expansion to withstand high-speed movements with minimal distortion—thus improving throughput and maintaining precision.       2. Etching Equipment   Etching is critical for transferring circuit patterns from the mask to the wafer. Key ceramic components used in etching tools include the chamber, viewport window, gas distribution plate, nozzles, insulator rings, cover plates, focus rings, and electrostatic chucks. Key ceramic components: Electrostatic chuck, focus ring, gas distribution plate   Main ceramic materials: Quartz, SiC, AlN, Al₂O₃, Si₃N₄, Y₂O₃     Etching Chamber: With shrinking device geometries, stricter contamination controls are required. Ceramics are preferred over metals to prevent particle and metal ion contamination.     Material requirements: High purity, minimal metal contamination Chemically inert, especially to halogen-based etching gases High density, minimal porosity Fine grain, low grain boundary content Good mechanical machinability Specific electrical or thermal properties if needed   Gas Distribution Plate: Featuring hundreds or thousands of precision-drilled microholes, these plates uniformly distribute process gases, ensuring consistent deposition/etching.   Challenges: Demands on hole diameter uniformity and burr-free inner walls are extremely high. Even slight deviations can cause film thickness variation and yield loss.   Main materials: CVD SiC, Alumina, Silicon Nitride   Focus Ring: Designed to balance plasma uniformity and match the conductivity of the silicon wafer. Compared to traditional conductive silicon (which reacts with fluorine plasma to form volatile SiF₄), SiC offers similar conductivity and superior plasma resistance, enabling longer life.   Material: Silicon Carbide (SiC) ​       3. Thin Film Deposition Equipment (CVD / PVD)     In CVD and PVD systems, key ceramic parts include electrostatic chucks, gas distribution plates, heaters, and chamber liners. Key ceramic components: Electrostatic chuck, ceramic heater   Main materials: Heaters: Aluminum Nitride (AlN), Alumina (Al₂O₃)   Ceramic Heater: A critical component located inside the process chamber, directly in contact with the wafer. It supports the wafer and ensures uniform, stable process temperatures across its surface. ​   Back-End Processes: Precision Ceramics in Packaging & Testing Equipment       1. CMP (Chemical Mechanical Planarization) CMP equipment utilizes ceramic polishing plates, handling arms, alignment platforms, and vacuum chucks for high-precision surface planarization.   2. Wafer Dicing and Packaging Equipment Key ceramic components: Dicing Blades: Diamond-ceramic composites, cutting speed ~300 mm/s, edge chipping

2025

07/02

How does stress develop in quartz materials?
How does stress develop in quartz materials?     1. Thermal Stress During Cooling (Primary Cause) Quartz glass develops internal stress when exposed to non-uniform temperatures. At any given temperature, quartz glass exhibits a specific atomic structure that is most "suitable" or stable under those thermal conditions. The spacing between atoms changes with temperature—this is known as thermal expansion. When quartz glass experiences uneven heating or cooling, differential expansion occurs.   Stress typically arises when hotter regions attempt to expand but are constrained by surrounding cooler areas. This results in compressive stress, which usually does not damage the product. If the temperature is high enough to soften the quartz glass, the stress may be relieved. However, if the cooling process is too rapid, the viscosity of the material increases too quickly, and the atomic structure cannot adjust in time to accommodate the temperature drop. This leads to the formation of tensile stress, which is more likely to cause structural damage.   Stress increases progressively as the temperature drops and can reach high levels after cooling ends. In fact, when the viscosity of quartz glass exceeds 10^4.6 poise, the temperature is referred to as the strain point—at this stage, the viscosity is too high for stress relaxation to occur.     Normal>Deformed>           2. Stress from Phase Transition and Structural Relaxation   Metastable Structural Relaxation: In the molten state, quartz exhibits a highly disordered atomic arrangement. During cooling, atoms attempt to transition toward a more stable configuration. However, due to the high viscosity of the glassy state, atomic movement is limited, leaving the structure in a metastable state. This generates relaxation stress, which may be slowly released over time (as observed in the aging phenomenon in glasses).   Microscopic Crystallization Tendency: If molten quartz is held at specific temperature ranges (e.g., near the devitrification temperature), microscopic crystallization may occur (e.g., precipitation of cristobalite microcrystals). The volume mismatch between crystalline and amorphous phases can induce phase transition stress.       3. External Loads and Mechanical Actions 1) Stress Induced During Machining Mechanical processing such as cutting, grinding, and polishing can introduce surface lattice distortion, resulting in machining stress. For example, cutting with a grinding wheel generates localized heat and mechanical pressure at the edge, leading to stress concentration. Improper techniques during drilling or slotting can create notches that act as crack initiation sites.   2) Load Stress in Service Environments When used as a structural material, fused quartz may bear mechanical loads such as pressure or bending, generating macroscopic stress. For instance, quartz containers holding heavy substances develop bending stress.       4. Thermal Shock and Sudden Temperature Changes 1) Instantaneous Stress from Rapid Heating or Cooling Although fused quartz has an extremely low coefficient of thermal expansion (~0.5×10⁻⁶/°C), rapid temperature changes (e.g., heating from room temperature to high temperatures or immersion in ice water) can result in localized thermal expansion or contraction, causing instantaneous thermal stress. Laboratory glassware made of quartz may fracture under such thermal shocks. 2) Cyclic Temperature Fluctuations Under long-term cyclic thermal environments (e.g., furnace linings or high-temperature optical windows), repeated thermal expansion and contraction can accumulate fatigue stress, accelerating material aging and cracking.           5. Chemical Effects and Stress Coupling 1) Corrosion and Dissolution Stress When fused quartz comes into contact with strong alkaline solutions (e.g., NaOH) or high-temperature acidic gases (e.g., HF), its surface may undergo chemical corrosion or dissolution, disrupting structural uniformity and causing chemical stress. Alkaline attack can cause surface volume changes or form microcracks. 2) CVD-Induced Stress In chemical vapor deposition (CVD) processes, coating quartz with materials like SiC may introduce interfacial stress due to mismatches in thermal expansion coefficients or elastic moduli between the film and the substrate. Upon cooling, such stress may cause film delamination or substrate cracking.     6. Internal Defects and Impurities 1) Bubbles and Embedded Impurities During melting, residual gas bubbles or impurities (e.g., metal ions or unmelted particles) may become trapped in fused quartz. The difference in physical properties (e.g., thermal expansion coefficient or modulus) between these inclusions and the surrounding glass can lead to localized stress concentration, increasing the risk of crack formation around bubbles under load. 2) Microcracks and Structural Defects Impurities in raw materials or melting defects can lead to microcracks in the quartz. When subjected to external loads or temperature fluctuations, stress concentration at crack tips can intensify, accelerating crack propagation and ultimately compromising the material's integrity.  

2025

07/02

Comprehensive Analysis of Silicon Wafer Parameters: From Fundamentals to Applications
Comprehensive Analysis of Silicon Wafer Parameters: From Fundamentals to Applications       I. Introduction   Silicon wafers are the cornerstone of the semiconductor industry, widely used in chip manufacturing, photovoltaics, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), and more. Their performance directly impacts the yield, stability, and efficiency of end products. Thus, understanding silicon wafer parameters is critical for professionals in related fields. This article provides a detailed overview of silicon wafer characteristics, including crystal structure, geometric dimensions, surface quality, electrical properties, mechanical performance, and practical applications.       Semiconductor Wafer Fabrication       II. Basic Concepts and Classification of Silicon Wafers   1. Definition of Silicon Wafers   Silicon wafers are thin slices of monocrystalline silicon produced through cutting, grinding, and polishing processes. Typically circular, they are used in integrated circuits (ICs), sensors, optoelectronic devices, etc. Based on manufacturing methods and applications, silicon wafers are categorized as:   · CZ (Czochralski) Wafers: High-purity, uniform monocrystalline silicon for precision ICs.   · FZ (Float-Zone) Wafers: Ultra-low dislocation density, ideal for advanced-node chips.   · Multicrystalline Wafers: Cost-effective for mass production (e.g., solar cells).   · Sapphire Substrates: Non-silicon but used in LEDs due to high hardness and thermal stability.       ZMSH's 8inch silicon wafers       III. Key Parameters of Silicon Wafers   1. Geometric Dimensions   · Thickness: Ranges from 200μm to 750μm (±2μm tolerance). Ultra-thin wafers can be

2025

06/26