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tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor

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tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor

China tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor proveedor
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Datos del producto:

Lugar de origen: China
Nombre de la marca: zmkj
Número de modelo: 4inch--N, 4H-semi

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1pcs
Precio: by required
Detalles de empaquetado: Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega: 10-20days
Capacidad de la fuente: 100pcs/months
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Descripción detallada del producto
Materiales: sic cristal industria: oblea de semiconductor
Aplicación: semiconductor, llevado, dispositivo, electrónica de poder, 5G color: Azul, verde, blanco
Tipo: 4H, 6H, DOPÓ, ninguna pureza dopada, elevada

tipo de la producción del grado del grado substratos SIMULADOS sic, substratos de 4inch dia100m 4H-N del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor,

 

 Áreas de aplicación

 

1 diodo de Schottky de los dispositivos electrónicos el de alta frecuencia y del poder más elevado,

 

    JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

 

2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

 

Advantagement

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

 

 

Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

Nombre de producto: Substrato cristalino del carburo de silicio (sic)
Descripción de producto: 2-6inch 
Parámetros técnicos:
Estructura de célula Hexagonal
Constante del enrejado a = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioridades ABCACB (6H)
Método del crecimiento MOCVD
Dirección Eje de crecimiento o (° parcial 0001) 3,5
Polaco Pulido superficial del Si
Bandgap eV 2,93 (indirecto)
Tipo de la conductividad N o seimi, pureza elevada
Resistencia 0,076 ohmio-cm
Permitividad e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Conductividad termal @ 300K 5 con el cm. K
Dureza 9,2 Mohs
Especificaciones: 6H N-tipo N-tipo dia2 semiaislante “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 '' x1mmt, tiro de 10x10m m, de 10x5m m solo o tiro doble, Ra de 4H <10a>
Empaquetado del estándar: bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

 

2. tamaño de los substratos del estándar

especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic)

Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado
Diámetro 100,0 mm±0.5 milímetro
Grueso 350 μm±25μm (el grueso 200-500um también es aceptable)
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001>±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densidad de Micropipe cm2s ≤1 cm2s ≤5 cm2s ≤15 cm2s ≤50
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Plano primario y longitud {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro
Longitud plana secundaria 18.0mm±2.0 milímetro
Orientación plana secundaria Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero
Exclusión del borde 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤3%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación por la luz de intensidad alta Ninguno

Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares también pueden ser proporcionados.

 

 

3.Pictures de los productos de la entrega antes

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Entrega y paquete

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Contacto
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Persona de Contacto: Wang

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