tipo grado de 2inch 3inch Dia100m 4H-N de la producción de la oblea del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor

Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo 4inch--N, 4H-semi
Cantidad de orden mínima 1pcs
Precio by required
Detalles de empaquetado Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en los casetes de solos envases de la o
Tiempo de entrega 10-20days
Capacidad de la fuente 100pcs/months
Datos del producto
Material sic cristal Industria oblea de semiconductor
Uso semiconductor, llevado, dispositivo, electrónica de poder, 5G Color azul, verde, blanco
Tipo 4H, 6H, DOPÓ, ninguna pureza dopada, elevada
Alta luz

substrato del carburo de silicio

,

sic substrato

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Descripción de producto

tipo de la producción del grado del grado substratos SIMULADOS sic, substratos de 4inch dia100m 4H-N del carburo de silicio para el dispositivo de semiconductor,

 

Áreas de aplicación

 

1 diodos de Schottky de los dispositivos electrónicos de alta frecuencia y del poder más elevado,

 

    JFET, BJT, PiN, diodos, IGBT, MOSFET

 

2 dispositivos optoelectrónicos: utilizado principalmente en GaN/el material sic azul del substrato del LED (GaN/sic) LED

 

Advantagement

• Unión mal hecha baja del enrejado
• Alta conductividad termal
• Bajo consumo de energía
• Características transitorias excelentes
• Alto hueco de banda

 

 

Carborundo sic cristalino de la oblea del substrato del carburo de silicio

PROPIEDADES MATERIALES DEL CARBURO DE SILICIO

 
Nombre de producto: Substrato cristalino del carburo de silicio (sic)
Descripción de producto: 2-6inch
Parámetros técnicos:
Estructura de célula Hexagonal
Enreje constante = 3,08 Å c = 15,08 Å
Prioridades ABCACB (6H)
Método del crecimiento MOCVD
Dirección Eje de crecimiento o (° parcial 0001) 3,5
Polaco Pulido de la superficie del Si
Bandgap eV 2,93 (indirecto)
Tipo de la conductividad N o seimi, pureza elevada
Resistencia 0,076 ohmio-cm
Permitividad e (11) = e (22) = 9,66 e (33) = 10,33
Conductividad termal @ 300K 5 con el cm. K
Dureza 9,2 Mohs
Especificaciones: 6H N-tipo N-tipo dia2 semiaislante “x0.33mm, dia2” x0.43mm, dia2 ' x1mmt, tiro de 10x10m m, de 10x5m m solo o tiro doble, Ra de 4H <10a>
Empaquetado estándar: bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

 

2. los substratos clasifican de estándar

especificación del substrato del carburo de silicio de 4 pulgadas de diámetro (sic)

Grado Grado cero de MPD Grado de la producción Grado de la investigación Grado simulado
Diámetro 100,0 mm±0.5 milímetro
Grueso 350 μm±25μm (el grueso 200-500um también es aceptable)
Orientación de la oblea De eje: 4.0° hacia <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI en eje: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI
Densidad de Micropipe cm2s ≤1 cm2s ≤5 cm2s ≤15 cm2s ≤50
Resistencia 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm
6H-N 0.02~0.1 Ω•cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Plano primario y longitud {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 milímetro
Longitud plana secundaria 18.0mm±2.0 milímetro
Orientación plana secundaria Silicio cara arriba: El 90° CW. de ±5.0° plano primero
Exclusión del borde 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤40μm
Aspereza Ra≤1 polaco nanómetro, CMP Ra≤0.5 nanómetro
Grietas por la luz de intensidad alta Ninguno 1 permitida, ≤2 milímetro ≤ acumulativo 10m m, solo length≤2mm de la longitud
Placas del hex. por la luz de intensidad alta Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤1% Área acumulativa el ≤3%
Áreas de Polytype por la luz de intensidad alta Ninguno Área acumulativa el ≤2% Área acumulativa el ≤5%
Rasguños por la luz de intensidad alta 3 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer 5 rasguños a la longitud acumulativa del diámetro 1×wafer
microprocesador del borde Ninguno 3 permitida, ≤0.5 milímetro cada uno 5 permitida, ≤1 milímetro cada uno
Contaminación por la luz de intensidad alta Ninguno

Sic la oblea y los lingotes 2-6inch y el otro tamaño modificado para requisitos particulares   también puede ser proporcionado.

 

 

3.Pictures de los productos de la entrega antes

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Entrega y paquete

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