Porcelana SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD noticias de la compañía

Resumen       Atributos clave El kit consta de un tubo de zafiro sellado externamente y uno o más tubos capilares internos para aislar las ramas del termopar.     Protección del cable del termoparLos termopares protegidos con zafiro superan con creces a los tubos de cerámica estándar. Incluso los tubos de zafiro de pequeño diámetro ofrecen un rendimiento robusto a alta temperatura, lo que los convierte en una solución rentable para:     · Refinerías de petróleo · Unidades de craqueo · Reactores de combustión · Incineradores · Procesamiento químico · Fabricación de vidrio · Industria de semiconductores (manejo de procesos limpios)         La sonda se colocó en una corona de horno de vidrio a 1500°C durante 11 meses. No hubo signos de desgaste.           Diseños de termopares de zafiro  Diámetro exterior / Diámetro interior Longitud máxima   La medición de la temperatura en diferentes áreas de profundidad está disponible aislando los cables del termopar dentro del tubo de protección de zafiro con capilares de zafiro   2.1 / 1.3 mm ± 0.2 mm 1750 mm 4.8 / 3.4 mm ± 0.15 mm 1800 mm 6 / 4 mm ± 0.15 mm 1800 mm 8 / 5 mm ± 0.15 mm 1800 mm 10 / 7 mm ± 0.2 mm 1400 mm 13 / 10 mm ± 0.2 mm 1400 mm   Los tubos de zafiro se sellan continuando el proceso de crecimiento del cristal. Esto asegura una integridad del material impecable y una estructura perfecta en todo el tubo del termopar.   Los tubos de zafiro para termopares de alta temperatura ofrecen estabilidad térmica, resistencia a la corrosión y hermeticidad sin igual, formando la base de la medición de la temperatura en entornos extremos. Sin embargo, la verdadera fiabilidad proviene del soporte de servicio de extremo a extremo—ZMSH no solo suministra tubos de zafiro optimizados para cada escenario, sino que también proporciona un marco de servicio de ciclo completo "Requisito-Validación-Entrega-Mantenimiento": desde el diagnóstico operativo y la orientación sobre el dimensionamiento personalizado hasta la instalación in situ y el seguimiento del rendimiento a largo plazo. Respaldados por un equipo técnico, garantizamos que cada tubo de zafiro funcione con la máxima eficiencia dentro de sus sistemas. Elegir los tubos de zafiro de ZMSH significa seleccionar la doble garantía: excelencia del material + compromiso de servicio—impulsando la rentabilidad y la precisión en aplicaciones de alta temperatura.   Soluciones personalizadas de ZMSH Para diseños de tubos de zafiro o termopares de alta temperatura a medida, contáctenos: ZMSH ofrece soluciones de ingeniería de precisión adaptadas a sus necesidades.  

Comprender la tecnología de preparación de películas (MOCVD, pulverización por magnetrones, PECVD)       En este artículo se presentarán varios métodos para fabricar películas delgadas.seguido del proceso de epitaxia (película).   ¿Por qué es necesaria la tecnología de película delgada en la fabricación de chips?   Por ejemplo, en la vida diaria, muchas personas disfrutan de comer panqueques. Si un panqueque de forma cuadrada no está condimentado y horneado, no tendrá sabor y la textura no será buena.Algunas personas prefieren un sabor saladoOtros prefieren un sabor dulce, por lo que cepillan una capa de azúcar de malta en la superficie.   Después de cepillar la salsa, la capa de sal o salsa dulce en la superficie del panqueque es como una película.y el panqueque en sí se llama la base.   Por supuesto, durante el procesamiento del chip, hay muchos tipos de funciones para las películas, y los métodos de preparación de películas correspondientes también varían.Vamos a presentar brevemente varios métodos comunes de preparación de películas, incluyendo MOCVD, pulverización por magnetrones, PECVD, etc....     - ¿ Qué?Deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD)     El sistema de crecimiento epitaxial MOCVD es un dispositivo muy complejo y sofisticado, que desempeña un papel crucial en la preparación de películas y nanoestructuras de semiconductores de alta calidad.   El sistema MOCVD consta de cinco componentes principales, cada uno de los cuales desempeña funciones distintas pero interrelacionadas, garantizando colectivamente la eficiencia y la seguridad del proceso de crecimiento del material.   1.1 Sistema de transporte de gasLa principal responsabilidad de este subsistema es controlar con precisión la entrega de varios reactivos a la cámara de reacción, incluida la medición de los reactivos,el momento y la secuencia de su entrega;, así como la regulación del caudal total de gas.   Está compuesto por varios subsistemas, incluido el subsistema de suministro de gas para el transporte de los reactivos, el subsistema de suministro para el suministro de fuentes orgánicas metálicas (MO),el subsistema de suministro de hidritosComo se muestra en la figura siguiente, es el diagrama esquemático de la trayectoria del gas del sistema de crecimiento MOCVD.       AIXTRON CCS 3 x 2" Sistema MOCVD de nitruro de grado de investigación       Diagrama esquemático de la trayectoria del gas del sistema MOCVD   1.2 Sistema de cámara de reacción:Este es el componente central del sistema MOCVD, responsable del proceso de crecimiento real del material.   Esta sección incluye una base de grafito para soportar el sustrato, un calentador para calentar el sustrato, un sensor de temperatura para controlar la temperatura del entorno de crecimiento,una ventana de detección óptica, y un robot automático de carga y descarga para el manejo del sustrato, que se utiliza para automatizar el proceso de carga y descarga, mejorando así la eficiencia de la producción.La figura siguiente muestra el diagrama del estado de calentamiento de la cámara del reactor MOCVD.       Diagrama esquemático del principio de crecimiento en cámara de MOCVD   1.3 Sistema de control del crecimiento:Compuesto por un controlador programable y un ordenador de control, es responsable del control y seguimiento precisos de todo el proceso de crecimiento del MOCVD.   El controlador es responsable de recoger, procesar y emitir varias señales, mientras que el ordenador de control es responsable de registrar y monitorear cada etapa del crecimiento del material,garantizar la estabilidad y la repetibilidad del proceso.       1.4 Sistema de vigilancia in situ:Se compone de termómetros de radiación infrarroja corregidos por reflexión, equipos de monitoreo de reflexión y dispositivos de monitoreo de curvatura.   Este sistema puede controlar en tiempo real los parámetros clave durante el proceso de crecimiento del material, como el grosor y la uniformidad de la película, así como la temperatura del sustrato.permite ajustes y optimizaciones inmediatas del proceso de crecimiento.     1.5 Sistema de tratamiento de los gases de escape:Responsable del manejo de las partículas tóxicas y los gases generados durante el proceso de reacción.   Mediante métodos tales como el craqueo o la catálisis química, estas sustancias nocivas pueden descomponerse y absorberse eficazmente.garantizar la seguridad del entorno de operación y el cumplimiento de las normas de protección del medio ambiente.   Además, los equipos MOCVD se instalan generalmente en habitaciones ultralimpias equipadas con sistemas avanzados de alarma de seguridad, dispositivos de ventilación eficaces y sistemas estrictos de control de temperatura y humedad.Estas instalaciones auxiliares y medidas de seguridad no sólo garantizan la seguridad de los operadores, pero también mejoran la estabilidad del proceso de crecimiento y la calidad de los productos finales.   El diseño y el funcionamiento del sistema MOCVD reflejan los altos estándares de precisión, repetibilidad y seguridad requeridos en el campo de la fabricación de materiales semiconductores.Es una de las tecnologías clave para la fabricación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento.   El sistema MOCVD de cabeza de pulverización de tipo vertical de acoplamiento cerrado (Closed-Coupled-Showerhead, CCS) en la cámara del equipo se utiliza para el cultivo de películas epitaxiales.   Este sistema está diseñado con una estructura única de cabeza de pulverización, cuya característica principal radica en la capacidad de reducir eficazmente las pre-reacciones y lograr una mezcla eficiente de gases.Estos gases se inyectan en la cámara de reacción a través de los agujeros de pulverización entrelazados en la cabeza de pulverización, donde se mezclan completamente y mejoran así la uniformidad y la eficiencia de la reacción.   El diseño de la estructura de la cabeza de pulverización permite que el gas de reacción se distribuya uniformemente sobre el sustrato situado debajo de él,garantizar la consistencia de la concentración de gas de reacción en todas las posiciones del sustratoEsto es crucial para formar una película epitaxial de espesor uniforme.   Además, la rotación del disco de grafito promueve aún más la uniformidad de la capa límite de la reacción química, lo que permite un crecimiento más uniforme de la película epitaxial.,Al reducir la capa límite de la reacción química fina, ayuda a minimizar las diferencias de concentración locales, mejorando así la uniformidad general del crecimiento de la película.       (a) La cabeza de pulverización real y su foto parcialmente agrandada, (b) La intención de la estructura interna de la cabeza de pulverización         II. Las condiciones de trabajoDispersión por pulverización magnética     La pulverización magnética es una técnica física de deposición de vapor comúnmente utilizada para deposición de película delgada y recubrimiento superficial.   Utiliza un campo magnético para liberar los átomos o moléculas de un material objetivo de la superficie del objetivo, y luego forma una película en la superficie del material de sustrato.   Esta tecnología se aplica ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores, recubrimientos ópticos, recubrimientos cerámicos y otros campos.       Diagrama esquemático del principio de pulverización de magnetrones       El principio de pulverización de magnetrones es el siguiente:   1Selección del material objetivo:El material objetivo es el material que se depositará sobre el material del sustrato, que puede ser metal, aleación, óxido, nitruro, etc.El material de blanco se fija generalmente en un dispositivo llamado arma de blanco.   2. Ambiente de vacío:El proceso de pulverización debe llevarse a cabo en un ambiente de alto vacío para evitar la interacción entre las moléculas de gas y el material objetivo.Esto ayuda a garantizar la pureza y uniformidad de la película depositada.   3. Gas ionizado:Durante el proceso de pulverización, se introduce generalmente un gas inerte (como el argón) para ionizarlo en un plasma. Estos iones, bajo la influencia de un campo magnético, forman una nube de electrones,que se llama "plasma de nube de electrones".   4Aplicación del campo magnético:Se aplica un campo magnético entre el material objetivo y el material del sustrato. Este campo magnético limita el plasma de la nube de electrones a la superficie del material objetivo,manteniendo así un estado de alta energía.   5Proceso de pulverización:Mediante la aplicación de un plasma de nube de electrones de alta energía, los átomos o moléculas del material objetivo son golpeados, liberándose así.Estos átomos o moléculas liberados se depositarán en forma de vapor en la superficie del material del sustrato, formando una película.     Las ventajas del pulverizador de magnetrones incluyen:   1. Uniformidad de la película depositada:El campo magnético puede ayudar a controlar la transmisión de iones, logrando así una deposición uniforme de la película,asegurando que el grosor y las propiedades de la película permanecen constantes en toda la superficie del sustrato.   2- Preparación de aleaciones y compuestos complejos:La pulverización por magnetrón se puede utilizar para fabricar películas de aleaciones y compuestos complejos, que pueden ser más difíciles de lograr mediante otras técnicas de deposición.   3Control y modificabilidad:Al ajustar parámetros como la composición del material objetivo, la presión del gas y la velocidad de deposición, las propiedades de la película, incluido el grosor, la composición y la microestructura,puede ser controlado con precisión.   4Películas de alta calidad:La pulverización por magnetrón puede generalmente producir películas de alta calidad, densas y uniformes con una excelente adhesión y propiedades mecánicas.   5.Multifuncionalidad:Es aplicable a varios tipos de materiales, incluidos metales, óxidos, nitruros, etc. Por lo tanto, tiene amplias aplicaciones en diferentes campos.   6. Deposición a baja temperatura:En comparación con otras técnicas, la pulverización por magnetrones se puede realizar a bajas temperaturas o incluso a temperatura ambiente.que lo hace adecuado para aplicaciones donde el material del sustrato es sensible a la temperatura.   En general, el pulverización por magnetrones es una tecnología de fabricación de películas finas altamente controlable y flexible, aplicable a una amplia gama de campos de aplicación, desde dispositivos electrónicos hasta recubrimientos ópticos,etc..     III. Deposición química de vapor mejorada en plasma     La tecnología de deposición de vapor químico mejorada por plasma (PECVD) se utiliza ampliamente en la preparación de varias películas (como el silicio, el nitruro de silicio y el dióxido de silicio, etc.).   El diagrama estructural del sistema PECVD se muestra en la figura siguiente.       Diagrama esquemático de la estructura del sistema de deposición de vapor químico reforzado con plasma   El principio básico es el siguiente: las sustancias gaseosas que contienen los componentes de la película se introducen en la cámara de deposición.las sustancias gaseosas experimentan reacciones químicas para generar plasmaCuando este plasma se deposita en el sustrato, se produce una película.   Los métodos para iniciar la descarga de brillo incluyen: excitación por radiofrecuencia, excitación por alta tensión de corriente continua, excitación por pulso y excitación por microondas.   El espesor y la composición de las películas preparadas por PECVD presentan una excelente uniformidad.las películas depositadas por este método tienen una fuerte adhesión y pueden alcanzar altas tasas de deposición a temperaturas de deposición relativamente bajas.   En términos generales, el crecimiento de las películas delgadas implica principalmente los siguientes tres procesos:   El primer paso es que el gas reactivo, bajo la excitación del campo electromagnético, se somete a una descarga de brillo para generar plasma.   Durante este proceso, los electrones chocan con el gas reactivo, iniciando una reacción primaria, que conduce a la descomposición del gas reactivo y la generación de iones y grupos reactivos.   El segundo paso es que los diversos productos generados de la reacción primaria se mueven hacia el sustrato,mientras que varios grupos activos e iones experimentan reacciones secundarias para formar productos secundarios.   La tercera fase consiste en la adsorción de varios productos primarios y secundarios en la superficie del sustrato y su posterior reacción con la superficie.se libera sustancias moleculares gaseosas.       IV. Técnicas de caracterización de las películas finas     4.1 Difracción por rayos X (XRD)   XRD (difracción de rayos X) es una técnica comúnmente utilizada para analizar estructuras cristalinas.   Revela información como los parámetros de la red,estructura cristalina y orientación cristalina del material midiendo los patrones de difracción de los rayos X en la estructura cristalina dentro del material.   El XRD se utiliza ampliamente en varios campos como la ciencia de materiales, la física del estado sólido, la química y la geología.       Diagrama esquemático del principio de ensayo XRD   Principio de trabajo: el principio básico de XRD se basa en la ley de Bragg, es decir, cuando un rayo incidente se ilumina sobre una muestra de cristal,si la red atómica o iónica en el cristal está en una disposición específicaEl ángulo y la intensidad de la difracción pueden proporcionar información sobre la estructura del cristal.       Bruker D8 descubre el difractómetro de rayos X   Composición del instrumento: Un instrumento XRD típico consta de los siguientes componentes:   1Fuente de rayos X: Dispositivo que emite rayos X, usualmente usando objetivos de tungsteno o cobre para generar rayos X.   2Plataforma de muestreo: Plataforma para colocar muestras, que puede girarse para ajustar el ángulo de las muestras.   3Detector de rayos X: Se utiliza para medir la intensidad y el ángulo de difracción de la luz.   4Sistema de control y análisis: incluye el sistema de software para controlar la fuente de rayos X, la adquisición, el análisis y la interpretación de datos.     Áreas de aplicación: XRD tiene aplicaciones importantes en muchos campos, incluyendo pero no limitado a:   1Investigación cristalográfica: se utiliza para analizar la estructura cristalina de los cristales, determinar los parámetros de la red y la orientación del cristal.   2Caracterización del material: analizar información como la estructura cristalina, la composición de fase y los defectos cristalinos del material.   3Análisis químico: Identificar las estructuras cristalinas de compuestos inorgánicos y orgánicos, y estudiar las interacciones entre moléculas.   4Análisis de la película: se utiliza para estudiar la estructura cristalina, el grosor y el emparejamiento de la rejilla de la película.   5Mineralogía y geología: se utiliza para identificar los tipos y contenidos de minerales y estudiar la composición de las muestras geológicas.   6Investigación de medicamentos: el análisis de la estructura cristalina de un medicamento es útil para comprender sus propiedades e interacciones.   En general, XRD es una poderosa técnica analítica que permite a los científicos e ingenieros obtener una comprensión profunda de la estructura cristalina y las propiedades de los materiales,Promoviendo así la investigación y las aplicaciones en ciencia de materiales y campos afines.       Foto del difractómetro XRD       4.2 Microscopio electrónico de exploración (SEM)   El microscopio electrónico de escaneo (SEM) es un tipo de microscopio de uso común. Utiliza un haz de electrones en lugar de un haz de luz para iluminar la muestra,que permita la observación de la superficie y la morfología en alta resolución.   SEM se utiliza ampliamente en campos como la ciencia de los materiales, la biología y la geología.     El principio básico de funcionamiento del SEM es el siguiente:   El SEM utiliza una pistola de electrones para generar un haz de electrones.El haz de electrones pasa a través de un sistema de collimación, que consiste en una serie de lentes de electrones, para enfocar y alinear el haz de electrones, asegurando la estabilidad y el foco del haz.el haz de electrones escanea la superficie de la muestra.   La posición del haz de electrones se puede controlar con precisión, generando así píxeles de escaneo en la muestra.   La muestra se coloca en la etapa de muestra del SEM. La muestra debe ser conductiva porque en el SEM, el haz de electrones debe interactuar con la superficie de la muestra para generar electrones secundarios,etc.Cuando los haces de electrones de alta energía golpean la superficie de la muestra, interactúan con los átomos y moléculas de la muestra.generando varias señalesLa detección SEM analiza las diversas señales generadas por la superficie de la muestra, incluidos principalmente los electrones secundarios (SE) y los electrones invertidos (BSE).   Estas señales proporcionan información sobre la morfología de la superficie, la estructura y la composición de la muestra.SEM puede obtener la información de los píxeles de la superficie de la muestraEsta información es procesada y mostrada por un ordenador, generando imágenes de alta resolución de la superficie de la muestra.       Imagen física del SEM       4.3 Microscopio de fuerza atómica (AFM)   El microscopio de fuerza atómica (AFM) es una técnica microscópica de alta resolución, utilizada principalmente para observar las características a escala atómica y a nanoescala de las muestras.Su principio de funcionamiento se basa en la interacción entre la sonda y la superficie de la muestraMediante la medición de los cambios de posición de la sonda, puede obtener la topografía y la información topológica de la superficie de la muestra.   En el AFM, se utiliza una sonda muy fina, generalmente hecha de silicio u otros materiales con una punta a nanoescala.con la punta de la sonda cerca de la superficie de la muestraCuando la sonda está cerca de la superficie de la muestra, se producen interacciones entre los átomos y moléculas de la muestra y la sonda, incluyendo fuerzas electrostáticas, fuerzas de van der Waals,y las interacciones de enlaces químicosEl movimiento del voladizo o del dispositivo piezoeléctrico se controla para mantener una cierta fuerza entre la punta de la sonda y la superficie de la muestra.   Cuando la altura o la posición de la sonda cambia, la presión de la sonda se mantiene constante.el sistema de retroalimentación ajusta automáticamente la posición del voladizo para mantener la fuerza constanteLa sonda y la muestra se mueven en relación entre sí, generalmente en una rejilla bidimensional, formando un escaneo.la desigualdad de la superficie de la muestra hace que la posición de la punta de la sonda cambieMediante la medición del cambio de posición de la sonda, se puede obtener información topológica de la superficie de la muestra.los datos recogidos se procesan para generar una imagen topológica de alta resolución de la superficie de la muestra..   AFM tiene aplicaciones extensas en múltiples campos. Se utiliza en áreas como la ciencia de materiales, la biología y la nanotecnología,ayudar a los investigadores a obtener una comprensión más profunda de la morfología de la superficie y la estructura de los materiales, e incluso permitiendo la manipulación de estructuras a nanoescala.   Las ventajas de la AFM incluyen alta resolución, no destructividad y múltiples modos de trabajo, lo que la convierte en una poderosa herramienta para observar e investigar a nanoescala.       Imagen física del AFM       Diagrama esquemático del principio de medición y el modo de trabajo de la microscopía de fuerza atómica       Conclusión     ZMSH se especializa en tecnologías avanzadas de deposición de películas delgadas, incluyendo MOCVD, Magnetron Sputtering y PECVD, ofreciendo desarrollo de procesos a medida para semiconductores, optoelectrónica,y aplicaciones de recubrimiento funcional. Nuestros servicios abarcan el diseño de sistemas personalizados, la optimización de parámetros y el crecimiento de películas de alta pureza, junto con la venta de equipos de deposición de precisión para satisfacer las necesidades de I + D y producción industrial.       Estos son los productos de SiC recomendados por ZMSH:                 * Por favor, póngase en contacto con nosotros para cualquier preocupación de derechos de autor, y los abordaremos rápidamente.      

El carburo de silicio ilumina las gafas de RA, abriendo instantáneamente un mundo de visión ilimitado     En la era tecnológica actual, en rápida evolución, la tecnología de RA se está convirtiendo gradualmente en una nueva generación de herramienta de productividad que cambia nuestro estilo de vida. RA es la abreviatura de Realidad Aumentada, y las gafas de RA permiten al usuario superponer escenas virtuales en el mundo real y lograr la integración e interacción de elementos virtuales y reales a través de la detección y el cálculo.   Imagina que un día pudieras, como el Iron Man en una película de ciencia ficción, ponerte un par de gafas elegantes y con estilo, e instantáneamente ser capaz de ver todo tipo de información relevante sin ninguna obstrucción a tu visión.     Utilizar carburo de silicio para fabricar las lentes     El carburo de silicio (SiC) es en realidad un tipo de material semiconductor. Fue incluido en las "100 palabras científicas principales de 2023" publicadas por el Departamento de Publicidad de la Asociación China de Ciencia y Tecnología. Tradicionalmente, se ha utilizado como materia prima industrial en campos como los materiales refractarios y las materias primas metalúrgicas.   La micro-nano óptica es una disciplina emergente que manipula los fenómenos ópticos a escala microscópica. Ha aportado nuevas soluciones técnicas a dispositivos y tecnologías ópticas como las lentes de RA. Para satisfacer las demandas de la industria e impulsar la implementación de los resultados de la investigación científica, nos centramos en la investigación y el desarrollo de productos como guías de onda ópticas difractivas de RA, elementos ópticos difractivos y dispositivos ópticos de metamateriales. El avance tecnológico de 0 a 1 en plantillas de nanoimpresión de alta gama en China ha llenado el vacío en la cadena industrial de RA nacional.   Combinando la fuerza de la tecnología micro-nano óptica con las propiedades perfectas del material, se han creado estas gafas de RA de carburo de silicio ultradelgadas y han salido del laboratorio para entrar en la vista del público.   A primera vista, este par de gafas no parece diferente de las normales. Pero después de usarlas, se siente que son incluso mucho más delgadas y ligeras que las gafas normales que se suelen usar.             Más ligeras y claras     Este par de gafas hace que la ciencia ficción se haga realidad     Un escenario de aplicación vívido: "Ponte las gafas de RA, y otros podrían solo verte sentado. De hecho, ya estás viendo una película". "Si se añade la función interactiva, cuando mires a las personas que te rodean, sus nombres e información aparecerán cerca de sus cabezas, lo que te permitirá despedirte para siempre de la ceguera facial. Con estas gafas, puedes reconocer a todos y también a cada planta y flor."   Imagina un par de lentes de gafas de RA con un peso de solo 5,4 gramos y un grosor de solo 0,55 milímetros. Son casi tan ligeras como las gafas de sol que usas habitualmente. A diferencia de las lentes de vidrio tradicionales de alto índice de refracción multicapa, gracias al índice de refracción ultra alto del material de carburo de silicio, esta nueva tecnología puede completar tareas de visualización a todo color con una sola capa de guía de onda. Esto no solo reduce significativamente el peso de las lentes, sino que también comprime aún más el volumen a través de la tecnología de embalaje ultradelgado, haciendo que el usuario apenas sienta su presencia.   Después de usar estas gafas de RA, sentirás como si hubieras entrado en un mundo completamente nuevo, porque pueden superponer imágenes virtuales claras y extensas encima del entorno real, como cambiar de una ventana pequeña a una puerta grande. La guía de onda de carburo de silicio de una sola capa teóricamente puede soportar imágenes a todo color de 80 grados, superando con creces el ángulo máximo de campo de visión a todo color de 40 grados que el vidrio tradicional de alto índice de refracción puede proporcionar. Un campo de visión más amplio significa una mejor inmersión y experiencia. Ya sean las escenas fantásticas de un juego o la visualización de datos en el trabajo, traerá una fiesta visual sin precedentes.             Con respecto a la preocupación de muchas personas sobre el fenómeno del "patrón de arcoíris", esta vez presentamos la solución. El patrón de arcoíris en realidad ocurre porque la luz ambiental que pasa a través de la superficie de la guía de onda sufre un efecto de difracción, creando un efecto similar al arcoíris. Al diseñar con precisión la estructura de la guía de onda, este problema se ha eliminado por completo, presentando a los usuarios una imagen limpia y clara. Al mismo tiempo, aprovechando la excelente conductividad térmica del material de carburo de silicio, este par de gafas utiliza innovadoramente las lentes para la disipación del calor, mejorando significativamente la eficiencia de la disipación del calor, haciendo que la visualización a todo color y a fotograma completo ya no sea una expectativa poco realista.   Mientras tanto, a diferencia de los modelos anteriores que requerían múltiples capas de guías de onda para lograr efectos a todo color, estas gafas de RA de carburo de silicio solo necesitan una guía de onda para presentar una rica variedad de contenido. Además, elimina innovadoramente la necesidad de un cristal protector. Esto simplifica significativamente el proceso de producción y permite que más personas disfruten de la comodidad que brinda esta tecnología de vanguardia.   A medida que surgen cada vez más soluciones innovadoras similares, podemos prever que en un futuro cercano, la tecnología de RA se integrará verdaderamente en la vida diaria, dando paso a una nueva era llena de posibilidades ilimitadas. Ya sea en educación, atención médica, entretenimiento o campos industriales, las gafas de RA se convertirán en el puente que conecta el mundo digital y el real.   Con respecto a las gafas de RA de carburo de silicio, ¿tiene alguna otra pregunta?   P1: ¿Cuáles son las diferencias entre las gafas de RA de carburo de silicio lanzadas esta vez y Apple Vision Pro?   A1: Vision Pro es un producto de realidad mixta (RM) que combina RV y RA. Es relativamente voluminoso. Debido a su dependencia de las cámaras para importar imágenes externas, puede causar distorsión o mareos. Por el contrario, las gafas de RA están diseñadas con lentes transparentes, que presentan principalmente el mundo real y solo agregan elementos virtuales cuando es necesario, reduciendo la sensación de mareo y esforzándose por una experiencia de uso más ligera y cómoda.     P2: ¿Pueden las personas con miopía usar gafas de RA? ¿Pueden las lentes de carburo de silicio ser compatibles con las funciones de RA y la corrección de la miopía?   A2: Hay varias formas de corregir la miopía, como ajustar la lente de cerca con la lente miope, o utilizar nuevas tecnologías como las lentes de Fresnel. Nuestro objetivo final en el futuro es personalizar las soluciones en función de las necesidades individuales.   P3: ¿Es caro el material SiC (carburo de silicio)? ¿Pueden las personas permitirse gafas hechas con este material?   A3: Aunque el precio actual de las lentes de carburo de silicio es relativamente alto, por ejemplo, una lente de cuatro pulgadas que utilizamos para fabricar las lentes cuesta entre dos y tres mil yuanes, y una lente de seis pulgadas cuesta entre tres y cuatro mil yuanes. Sin embargo, a medida que la tecnología se vuelve más madura y se logra la producción a gran escala, se espera que el precio de las lentes de carburo de silicio disminuya significativamente en el futuro.   Por ejemplo, actualmente utilizamos luces LED. El sustrato utilizado en las bombillas LED es zafiro. El zafiro era originalmente muy caro, pero su precio actual ha bajado de varios miles de yuanes por pieza a solo unas pocas decenas de yuanes. Si nuestras gafas de RA de carburo de silicio pueden ser ampliamente adoptadas, con una producción anual de varios cientos de miles o varios millones de piezas, creo que su precio también bajará de varios miles de yuanes a varios cientos de yuanes, y quizás un día incluso podría llegar a solo unas pocas decenas de yuanes.     Conclusión   Como innovador en el campo de los dispositivos fotónicos de carburo de silicio, ZMSH se especializa en la I+D y la producción en masa de superlentes 4H-SiC y tecnologías de guía de onda de RA. Aprovechando los procesos de litografía de nanoimpresión desarrollados internamente y las capacidades de procesamiento a nivel de oblea, proporcionamos lentes de RA de carburo de silicio con alta conductividad térmica (120 W/m·K), perfiles ultradelgados (0,55 mm) y rendimiento de visualización sin arcoíris, adecuados para aplicaciones como inspección industrial y cirugía médica. Apoyamos la personalización de todo el proceso, que va desde la selección de materiales (por ejemplo, obleas de SiC de 6 pulgadas) hasta el diseño óptico, y a través de la tecnología de embalaje a nivel de oblea, logramos una mejora de 100x en el rendimiento de la disipación de calor. Colaborando con fabricantes líderes como Tianke Heada, impulsamos la producción en masa de sustratos de gran tamaño de 8 pulgadas, lo que ayuda a los clientes a reducir los costos de materiales en un 40%.     Tipo 4H-semi de sustrato SiC de ZMSH       * Póngase en contacto con nosotros para cualquier problema de derechos de autor, y los abordaremos de inmediato.      

La varilla láser de rubí sintético es una piedra angular de la innovación láser       Los láseres son ahora herramientas fundamentales en diversos sectores, desde la salud y las comunicaciones hasta la automatización industrial y el descubrimiento científico.Elláser de rubíLa Unión Europea tiene una posición de referencia en la historia.primer sistema láser demostrado con éxitoEn su núcleo está elLas barras láser de rubí sintéticoEste artículo profundiza en la ciencia detrás de las varillas láser rubí, su estructura, principios de funcionamiento,y su importancia duradera en la tecnología láser.   1.¿Qué es una varilla láser rubí? A. Nobarra láser de rubíes un cristal cilíndrico hecho deRubí sintético, que es esencialmenteÓxido de aluminio (Al2O3)con una concentración reducida deIones de cromo (Cr3+)Mientras que el Al2O3 puro es transparente, la adición de cromo le da al rubí su matiz rojo o rosa distintivo y, lo que es más importante, crea los centros activos necesarios para la acción del láser. En un sistema láser, elmedio activoes el material responsable de la amplificación de la luz a través del proceso deemisión estimuladaEn los láseres de rubí, la barra de rubí sintético funciona como este medio activo, absorbiendo energía y convirtiéndola en luz roja intensa y coherente. 2.Estructura física de la varilla láser rubí Las barras láser rubí se fabrican típicamente ende forma cilíndrica, con diámetros que van desde unos pocos milímetros hasta 10 mm y longitudes entre 30 y 150 mm según los requisitos de aplicación.Esta geometría optimiza la reflexión interna de la luz y la ganancia dentro de la cavidad del láser.   La concentración de doping deLos iones Cr3+ suelen estar alrededor del 0,05%, un nivel cuidadosamente calibrado que equilibra la eficiencia de absorción y la emisión de luz.sustitución de algunos átomos de aluminio en la red de zafiro para formar los centros láser. 3Principio de funcionamiento de la varilla láser rubí 3.1Excitación de los iones de cromo El láser rubí es unláser de estado sólido con bombillaCuando la luz de alta energía de una linterna de xenón irradia la varilla de rubí, elLos iones Cr3+ absorben fotonesEste proceso de excitación eleva los electrones a niveles de energía más altos. 3.2Estado metastable e inversión de la población Después de la excitación, los electrones en los iones Cr3+ caen a unestado metastableEn el caso de los electrones, el tiempo de espera es de unos pocos segundos, sin pérdida de energía.Inversión de la población∆ una condición en la que más electrones ocupan el estado excitado que el estado base. 3.3 Emisión estimulada y salida láser Cuando un fotón de la longitud de onda correcta (694.3 nm, rojo intenso) interactúa con un ión Cr3 + excitado, desencadena la emisión de un segundo fotón en fase y dirección perfectas.luz coherenteEsta reacción en cadena de generación de fotones es lo que produce el poderoso haz láser. 3.4Resonador óptico y amplificación La barra de rubí se coloca entre dos espejos formando uncavidad óptica resonanteUn espejo es totalmente reflectante, y el otro es parcialmente transmisor.hasta que la luz coherente salga como un haz láser estrecho del acoplador de salida. 4.Un papel pionero en la historia del láser El láser rubí hizo historia en1960, cuando el físicoTeodoro MaimanEl primer dispositivo en convertir el concepto teórico del láser (Amplificación de la luz por emisión estimulada de radiaciónEste avance sentó las bases para décadas de innovación óptica y posicionó al láser rubí como elfundamento de todas las tecnologías láser. 5Ventajas y desventajas de los láseres rubí 5.1 Ventajas - ¿ Qué?Diseño sencilloLos láseres rubí son estructuralmente sencillos, lo que los hace accesibles para la educación, el prototipo y la investigación. ii. las condiciones de trabajo.Medios sólidos duraderos El rubí sintético es mecánicamente robusto, químicamente estable y menos sensible a las condiciones ambientales que los láseres de gas o colorante. iii. las condiciones de trabajo.Excelente calidad del hazProduce un haz rojo coherente y estrechamente colimado con alta resolución espacial, ideal para la holografía y ciertas aplicaciones médicas. iv. las condiciones de los productosImportancia históricaLos láseres rubí representan un hito tecnológico y siguen siendo un símbolo de la innovación láser. 6Aplicaciones de los láseres rubí Aunque superados por los tipos de láser modernos como los láseres Nd:YAG, fibra o diodo, los láseres rubí todavía se utilizan en áreas de nicho donde su longitud de onda específica y salida pulsada son ventajosas: HolografíaLa luz roja coherente y estable es ideal para registrar patrones de interferencia con alta precisión. Dermatología médicaLos láseres rubí se han utilizado paraeliminación de tatuajes,tratamiento de la pigmentación, yrejuvenecimiento de la pieldebido a sus pulsos cortos y de alta energía. Investigación en Ciencias de los MaterialesUtilizado en estudios que involucran la interacción luz-materia, la descomposición inducida por láser y los experimentos de calentamiento pulsado. LIDAR temprano y medición de distanciaLos pulsos rojos de alta energía son eficaces para medir largas distancias y detectar superficies con precisión. Conclusión ElLas barras láser de rubí sintéticoAl aprovechar la dinámica energética del zafiro dopado con cromo,permitió la primera demostración exitosa de la amplificación coherente de la luzMientras que las tecnologías más nuevas han tomado su lugar en las aplicaciones convencionales, la influencia del láser rubí persiste tanto en el patrimonio científico como en los casos de uso especializados.No sólo sirve como una herramienta funcional sino también como un símbolo del ingenio científico y el comienzo de la era del láser.

Notas sobre láseres de alta energía y componentes ópticos de SiC —  Técnicas de procesamiento de superficies   ¿Por qué carburo de silicio para óptica láser de alta energía?   Los cristales de carburo de silicio (SiC) pueden soportar temperaturas de hasta 1600 °C, poseen alta dureza, exhiben una deformación mínima a altas temperaturas y ofrecen una excelente transparencia desde la luz roja visible hasta el infrarrojo longitudes de onda. Estas propiedades hacen del SiC un material ideal para módulos láser de alta potenciaHarvardreflectores ópticosHarvardóptica de colimación, y ventanas de transmisiónPanorama global de la investigación     Panorama cambiante del diseño de láseres de alta energía   En el pasado, la mayoría de los sistemas láser de alta potencia se basaban en láseres de fibra de pulso ultracorto o láseres de enfoque basados en reflectores a gran escala. Sin embargo, estas configuraciones a menudo sufrían de direccionalidad de haz limitadaHarvarddensidad de energía, y carga térmicaPanorama global de la investigación   Las tendencias recientes en el desarrollo de sistemas láser exigen: Mayores salidas de energía Propagación de haz de largo alcance Menor divergencia y colimación del haz Módulos ópticos ligeros y compactos   La óptica basada en SiC está ganando terreno como solución a estos requisitos en evolución, gracias a los recientes avances en el crecimiento de cristales y las tecnologías de fabricación de ultraprecisión.     Óptica de SiC: de la teoría a la aplicación   Con la maduración del procesamiento de componentes de SiC, e incluso la óptica de cristal de diamante que comienza a emerger, el futuro parece prometedor para el despliegue a escala industrialPanorama global de la investigación     Encrucijada con la óptica AR y los desafíos de nanoestructuración Los desafíos de microfabricación en la óptica láser de SiC son notablemente similares a los de guías de onda AR basadas en SiC:       Todo en obleas de SiC de 4 pulgadas / 6 pulgadas / 8 pulgadas con:   Creación de nanoestructuras antirreflectantes (AR)Mejora de la eficiencia de transmisión o reflexiónPatronaje de estructuras de rejilla de sublongitud de ondaPeriodicidad de 100–500 nm Precisión de profundidad a escala nanométrica Tareas no fáciles, especialmente en un material tan   duro y químicamente inerte como el SiC.Panorama global de la investigación   Instituciones como la Universidad de Westlake, Harvard, y otras han comenzado a explorar este campo.¿Uno de los mayores obstáculos?     Incluso si las obleas de SiC son asequibles, ¿cómo se graban nanoestructuras periódicas submicrónicas en un material tan duro sin destruirlo?Retroceso: Grabado de SiC     hace una décadaHace más de una década una oblea de SiC de 4 pulgadas costaba más de 10.000 RMB, y grabar incluso una era un proceso doloroso. ¿Pero adivinen qué? Funcionó.Logramos     estructuras antirreflectantes (AR) de sublongitud de onda en SiC que redujeron la reflectancia de la superficie en más del 30%—sin usar ninguna herramienta de fotolitografía.

Una introducción a las técnicas de deposición epitaxi en la fabricación de semiconductores   En el procesamiento de semiconductores,fotolitografíayel grabadoPero justo al lado de ellos hay otra categoría crucial:deposición de epitaxia.   ¿Por qué son esenciales estos procesos de deposición en la fabricación de chips? Aquí hay una analogía: imaginen un pan plano plano y cuadrado. Sin ningún topping, es suave y sin importancia. Algunas personas prefieren poner mejor el maní en la superficie.Otros prefieren dulce y sirope.Estos recubrimientos cambian dramáticamente el sabor y el carácter del pan plano.pan planorepresenta elel substrato, y elRevestimientorepresenta unacapa funcionalAl igual que los diferentes aditivos crean diferentes sabores, las diferentes películas depositadas confieren propiedades eléctricas u ópticas completamente diferentes a la oblea base.   En la fabricación de semiconductores, una amplia gama decapas funcionalesCada tipo de capa requiere un método de deposición específico. En este artículo presentamos brevemente varias técnicas de deposición ampliamente utilizadas, incluyendo: Se trata de un sistema de control.(Deposición química de vapor metálico-orgánico) Dispersión por pulverización magnética PECVD(Deposición química de vapor reforzada por plasma)     1. Deposición química de vapor metálico-orgánico (MOCVD)   El MOCVD es una técnica crítica para la deposición de materiales de alta calidad.las capas de semiconductores epitaxiales.Estas películas monocristalinas sirven como capas activas en LED, láseres y otros dispositivos de alto rendimiento. Un sistema MOCVD estándar consta de cinco subsistemas principales, cada uno de los cuales desempeña un papel esencial y coordinado para garantizar la seguridad, precisión y reproducibilidad del proceso de crecimiento:       (1) Sistema de suministro de gas Este subsistema controla con precisión el flujo, el tiempo y la proporción de varios gases de proceso introducidos en el reactor. Líneas de gas portadoras(normalmente N2 o H2) Líneas de suministro de precursores orgánicos y metálicos, a menudo a través deLas demás máquinas y aparatos para la fabricación de máquinas Fuentes de gas hidrógeno(por ejemplo, NH3, AsH3, PH3) Los demás aparatos de transmisión de gasespara controlar las vías de crecimiento/purga             (2) Sistema del reactor El reactor es el núcleo del sistema MOCVD, donde se produce el crecimiento epitaxial real. A. NoSusceptor de grafito recubierto con SiCque sostiene el sustrato A. NoSistema de calefacción(por ejemplo, radiofrecuencias o calentadores resistivos) para controlar la temperatura del sustrato Sensores de temperatura(termopares o pirómetros infrarrojos) Puertos de visión ópticospara el diagnóstico in situ Sistemas automatizados de manipulación de obleaspara una carga/descarga eficiente del sustrato     (3) ElSistema de control de procesos Todo el proceso de crecimiento se gestiona mediante una combinación de: Los demás aparatos y aparatos para la fabricación de la siguiente clase: Control de caudal de masa (MFC) Los reguladores de presión A. Nocomputadora hostpara la gestión de recetas y el seguimiento en tiempo real Estos sistemas aseguran un control preciso de la temperatura, las tasas de flujo y el tiempo en cada etapa del proceso.   (4) Sistema de seguimiento in situ Para mantener la calidad y la consistencia de la película, se integran herramientas de monitorización en tiempo real, tales como: Sistemas de reflectometríapara el seguimientocapa epitaxialespesor y tasa de crecimiento Sensores de arco de obleaspara detectar tensión o curvatura Los demás aparatos para la fabricación de piezascon compensación de reflectividad para una medición precisa de la temperatura Estas herramientas permiten ajustes inmediatos del proceso, mejorando la uniformidad y la calidad del material.   (5) Sistema de reducción de gases de escape Los subproductos tóxicos y pirofóricos generados durante el proceso, como el arsino o la fosfina, deben neutralizarse. Las demás máquinas de limpieza Oxidantes térmicos Máquinas de limpieza de productos químicos Estos garantizan el cumplimiento de las normas de seguridad y medioambientales.     Configuración del reactor de cabeza de ducha de acoplamiento cerrado (CCS)   Muchos sistemas MOCVD avanzados adoptan unaCuello de ducha de acoplamiento cerrado (CCS)En esta configuración, una placa de cabeza de ducha inyecta los gases del grupo III y del grupo V por separado, pero muy cerca del sustrato giratorio. Esto minimizareacciones en fase gaseosa parasitariay mejoraeficiencia de utilización de los precursoresLa corta distancia entre la cabeza de ducha y la oblea garantiza una distribución uniforme del gas a través de la superficie de la oblea.rotación del susceptorreduce la variación de la capa de frontera, mejorando aún máscapa epitaxialuniformidad del espesor.         Dispersión por pulverización magnética   Dispersión por pulverización magnéticaes un método ampliamente utilizadodeposición física de vapor (PVD)La técnica de fabricación de capas funcionales y recubrimientos superficiales utiliza un campo magnético para aumentar la eyección de átomos o moléculas de un material.material objetivo, que luego se depositan en unel substratoEste método se aplica ampliamente en la fabricación de dispositivos semiconductores, recubrimientos ópticos, películas cerámicas y más.             Principio de funcionamiento del pulverizador magnético   Selección del material objetivo ElobjetivoEl material de origen que debe depositarse en el sustrato.el metal,de aleación,el óxido,el nitruroEl objetivo está montado en un dispositivo conocido comocatodo de magnetrón.   Medio ambiente en vacío El proceso de pulverización se lleva a cabo bajoBajo vacíoEl objetivo es reducir al mínimo las interacciones no deseadas entre los gases de proceso y los contaminantes ambientales.la purezayla uniformidadde la película depositada.   Generación de plasma UnGas inerte, por lo generalArgón (Ar), se introduce en la cámara y se ioniza para formar unel plasmaEste plasma se compone deiones Ar+ cargados positivamenteyelectrones libres, que son esenciales para iniciar el proceso de pulverización.   Aplicación del campo magnético A. Nocampo magnéticoEste campo magnético atrapa los electrones cerca del objetivo, aumentando su longitud de trayectoria y mejorando la eficiencia de ionización, lo que conduce a unaplasma densoregión conocida comoPlasma de magnetrón.   Proceso de pulverización Los iones Ar+ se aceleran hacia la superficie de blanco sesgada negativamente, bombardeándola y desalojando átomos del objetivo a través detransferencia de impulsoEstos átomos o grupos expulsados viajan a través de la cámara y se condensan en el sustrato, formando uncapa de película funcional.     Deposición química de vapor reforzada por plasma (PECVD) Deposición química de vapor reforzada por plasma (PECVD)es una técnica ampliamente utilizada para depositar una variedad de películas finas funcionales, tales comoel silicio (Si),Nitruro de silicio (SiNx), ydióxido de silicio (SiO2)A continuación se muestra un diagrama esquemático de un sistema PECVD típico.   Principio de trabajo En el PECVD, los precursores gaseosos que contienen los elementos de película deseados se introducen en una cámara de deposición al vacío.Descarga de luzSe genera mediante una fuente de energía externa, que excita los gases en unestado plasmáticoLas especies reactivas en el plasma son sometidas areacciones químicas, lo que conduce a la formación de una película sólida en elsuperficie del sustrato. La excitación del plasma se puede lograr utilizando diferentes fuentes de energía, incluyendo: Excitación por radiofrecuencia (RF), Excitación de alta tensión de corriente continua (CC) Excitación pulsada Excitación por microondas El PECVD permite el crecimiento de películas conexcelencia de la uniformidadAdemás, esta técnica proporciona una gran variedad deadhesión de película fuertey soportesAltas tasas de depósitoEn relaciónBajas temperaturas del sustrato, por lo que es adecuado para aplicaciones sensibles a la temperatura.     Mecanismo de deposición El proceso de formación de película de PECVD generalmente implica tres pasos clave:   Paso 1: generación de plasmaBajo la influencia de un campo electromagnético, se inicia una descarga de brillo, formando un plasma.electronescolisionan con las moléculas de gas precursor, iniciandoreacciones primariasque descomponen los gases enIones,los radicales, yespecies activas.   Paso 2: Transporte y reacciones secundariasLos productos de la reacción primaria migran hacia el sustrato.reacciones secundariasSe producen entre las especies activas, generando intermedios adicionales o compuestos formadores de película.   Paso 3: Reacción superficial y crecimiento de la películaAl llegar a la superficie del sustrato, ambosprimarioyespecies secundariassonadsorbidoy reaccionan químicamente con la superficie, formando una película sólida.subproductos volátilesde la reacción se liberan en la fase gaseosa y se bomban fuera de la cámara.   Este proceso de varios pasos permite un control preciso de las propiedades de la película, tales como:espesor,densidad,composición química, yla uniformidad¢convertir la PECVD en una tecnología crítica en laFabricación de semiconductores,energía fotovoltaica,MEMS, yrevestimientos ópticos.    

La "fuerza central" de los equipos de semiconductores - componentes de carburo de silicio       El carburo de silicio (SiC) es un excelente material cerámico estructural.poseen características tales como una alta densidad, alta conductividad térmica, alta resistencia a la flexión y gran módulo elástico.Pueden adaptarse a los ambientes de reacción duros de fuerte corrosividad y temperaturas ultra altas en procesos de fabricación como la epitaxia de obleas.Por lo tanto, se utilizan ampliamente en los principales equipos de semiconductores, como equipos de crecimiento epitaxial, equipos de grabado, equipos de oxidación / difusión / recocido, etc.   Según la estructura cristalina, el carburo de silicio tiene muchas formas cristalinas. Actualmente, los tipos comunes de SiC son principalmente 3C, 4H y 6H. Diferentes formas cristalinas de SiC tienen diferentes aplicaciones.Entre ellos, 3C-SiC también se conoce comúnmente como β-SiC. Una aplicación importante de β-SiC es como película y material de recubrimiento.             Según el proceso de preparación, los componentes de carburo de silicio pueden clasificarse en carburo de silicio de deposición química por vapor (CVD SiC), carburo de silicio sinterizado por reacción,Sinterización de carburo de silicio por recristalización, sinterización de carburo de silicio por presión atmosférica, sinterización de carburo de silicio por prensado en caliente y sinterización de carburo de silicio por prensado isostático en caliente, etc.             Entre los diversos métodos para preparar materiales de carburo de silicio, el método de deposición química por vapor produce productos de alta uniformidad y pureza,y este método también tiene una fuerte capacidad de control del procesoLos materiales de carburo de silicio CVD son particularmente adecuados para su uso en la industria de semiconductores debido a su combinación única de excelentes propiedades térmicas, eléctricas y químicas.       El tamaño del mercado de los componentes de carburo de silicio   01Componentes de carburo de silicio CVD   Los componentes de carburo de silicio CVD se utilizan ampliamente en equipos de grabado, equipos MOCVD, equipos epitaxiales SiC y equipos de tratamiento térmico rápido, entre otros.   Equipo de grabado:El mayor segmento de mercado para los componentes de carburo de silicio CVD es el equipo de grabado..Debido a la baja reactividad y conductividad del carburo de silicio CVD hacia los gases de grabado que contienen cloro y flúor,lo convierte en un material ideal para componentes como los anillos de enfoque en equipos de grabado por plasma.       Anillo de enfoque de carburo de silicio       Con un contenido de aluminio superior a 0,9 g/m2:La deposición de vapor químico a baja presión (CVD) es actualmente el proceso más eficaz para preparar recubrimientos densos de SiC. El recubrimiento CVD-SiC tiene las ventajas de un espesor y una uniformidad controlables.Los sustratos de grafito recubiertos con SiC se utilizan a menudo como componentes en equipos de deposición de vapor químico orgánico metálico (MOCVD) para soportar y calentar sustratos de cristal único, y son los componentes clave de los equipos MOCVD.       02 Reacción Sinterización de componentes de carburo de silicio   Los materiales de SiC sometidos a sinterización por reacción (infiltración por fusión por reacción o unión por reacción) pueden tener una tasa de contracción de la línea de sinterización controlada por debajo del 1%.la temperatura de sinterización es relativamente baja, lo que reduce significativamente los requisitos de control de deformación y equipos de sinterización.y se ha aplicado ampliamente en los campos de fabricación de estructuras ópticas y de precisión.   Para determinados componentes ópticos de alto rendimiento en equipos clave de fabricación de circuitos integrados, existen requisitos estrictos para la preparación del material.Utilizando el método de sinterización reactiva del sustrato de carburo de silicio combinado con deposición química de vapor de la capa de película de carburo de silicio (CVDSiC) para fabricar reflectores de alto rendimiento, optimizando los parámetros clave del proceso, tales como los tipos de precursores, la temperatura de deposición, la presión de deposición, la proporción de gas de reacción, el campo de flujo de gas y el campo de temperatura,Se pueden preparar capas de película SiC CVD de gran superficie y uniforme, lo que permite que la precisión de la superficie del espejo se acerque a los indicadores de rendimiento de productos similares del extranjero.       Espejos ópticos de carburo de silicio para máquinas de litografía       Los expertos de la Academia China de Ciencia y Tecnología de Materiales de Construcción han desarrollado con éxito una tecnología de preparación patentada, que permite la producción dede forma compleja, espejos cuadrados cerámicos de carburo de silicio para litografía, muy ligeros y completamente cerrados, y otros componentes ópticos estructurales y funcionales.       El rendimiento del carburo de silicio sinterizado por reacción desarrollado por la Academia China de Ciencia y Tecnología de Materiales de Construcción es comparable al de productos similares de empresas extranjeras.         En la actualidad, entre las empresas que lideran la investigación y la aplicación de componentes cerámicos de precisión para el equipo central de circuitos integrados en el extranjero se incluyen Kyocera de Japón,CoorsTek de los Estados UnidosEntre ellos, Kyocera y CoorsTek representan el 70% de la cuota de mercado de los componentes cerámicos de alta precisión utilizados en equipos de circuitos integrados.En China, hay el Instituto Nacional de Investigación de la Construcción de China, Ningbo Volkerkunst, etc.Nuestro país comenzó relativamente tarde en la investigación sobre la tecnología de preparación y la promoción de la aplicación de componentes de carburo de silicio de precisión para equipos de circuitos integrados, y aún tiene una brecha con respecto a las empresas líderes internacionales.       Como pionera en la fabricación de componentes avanzados de carburo de silicio, ZMSH se ha establecido como un proveedor de soluciones integrales para productos de precisión SiC,ofreciendo capacidades de extremo a extremo desde piezas mecánicas SiC personalizadas hasta sustratos y componentes cerámicos de alto rendimientoAprovechando las tecnologías patentadas de sinterización sin presión y de mecanizado CNC,Ofrecemos soluciones de SiC a medida con conductividad térmica excepcional (170-230 W/m·K) y resistencia mecánica (resistencia a la flexión ≥400MPa), que sirve a aplicaciones exigentes en equipos de semiconductores, sistemas de energía de vehículos eléctricos y gestión térmica aeroespacial. Our vertically integrated production covers the entire value chain - from high-purity SiC powder synthesis to complex near-net-shape ceramic component fabrication - enabling precise customization of dimensional tolerances (up to ±5μm) and surface finishes (Ra≤0Los sustratos de SiC de 6 pulgadas y 8 pulgadas calificados para la industria automotriz de la compañía cuentan con las mejores densidades de micropípoles (< 1 cm−2) y control de TTV (< 10 μm),Mientras que nuestros productos cerámicos de SiC con enlace de reacción demuestran una resistencia superior a la corrosión en ambientes químicos extremosCon capacidades internas que abarcan revestimiento CVD, mecanizado láser y pruebas no destructivas, ZMSH proporciona soporte técnico completo desde el desarrollo de prototipos hasta la producción en volumen.ayudar a los clientes a superar los desafíos de materiales en altas temperaturas, condiciones de funcionamiento de alta potencia y de alto desgaste.       Lo siguiente es:Placas de cerámica para bandejas de SiCde ZMSH:             * Por favor, póngase en contacto con nosotros para cualquier preocupación de derechos de autor, y los abordaremos rápidamente.                    

Estructura básica de las capas epitaxiales de LED basadas en GaN 01 Introducción La estructura de la capa epitaxial de los LED basados en nitruro de galio (GaN) es el determinante principal del rendimiento del dispositivo, lo que requiere una cuidadosa consideración de la calidad del material, la eficiencia de inyección del portador,eficiencia luminiscenteCon la evolución de las demandas del mercado para una mayor eficiencia, rendimiento y rendimiento, la tecnología epitaxial continúa avanzando.Mientras que los fabricantes tradicionales adoptan estructuras fundamentales similaresLos principales diferenciadores se encuentran en las optimizaciones matizadas que reflejan las capacidades de I + D. A continuación se muestra una descripción general de la estructura epitaxial de GaN LED más común.       02 Resumen de la estructura epitaxial Las capas epitaxiales, cultivadas secuencialmente en el sustrato, suelen incluir: 1. Capa de amortiguador 2. Capa de GaN sin dopar ((Capa de AlGaN de tipo n opcional) 3. capa de GaN de tipo N 4. capa de GaN de tipo n ligeramente dopada 5. capa de alivio de la tensión 6. Capa de pozo cuántico múltiple (MQW) 7. Capa de bloqueo de electrones de AlGaN (EBL) 8Capa de GaN de tipo p a baja temperatura 9. Capa de GaN de tipo p a alta temperatura 10.Capa de contacto con la superficie       Estructuras epitaxiales comunes de GaN LED       Funciones detalladas de las capas   1) Capa de amortiguador Se cultiva a 500 ∼ 800 °C utilizando materiales binarios (GaN/AlN) o ternários (AlGaN). Objetivo: Mitigar el desajuste de la rejilla entre el sustrato (por ejemplo, zafiro) y las capas de epilación para reducir los defectos. Tendencia de la industria: la mayoría de los fabricantes ahora depositan previamente AlN a través de pulverización PVD antes del crecimiento de MOCVD para mejorar el rendimiento.   2)Capa de GaN sin dopar Crecimiento en dos etapas: islas iniciales de GaN 3D seguidas de planarización de GaN 2D a alta temperatura. Resultado: Proporciona superficies atomicamente lisas para las capas posteriores.   3)Capa de GaN de tipo N Si-dopado (8 × 1018 ¢ 2 × 1019 cm−3) para el suministro de electrones. Opción avanzada: algunos diseños insertan una capa intermedia n-AlGaN para filtrar las dislocaciones de roscado.             4)Capa de n-GaN ligeramente dopada El dopaje más bajo (1×10182×1018 cm−3) crea una región de alta resistencia de propagación de corriente. Ventajas: mejora las características de voltaje y la uniformidad de la luminiscencia.   5)Capa de alivio de la tensión Capa de transición basada en InGaN con composición graduada en In (entre los niveles de GaN y MQW). Variantes de diseño: Superrejas o estructuras de pozo poco profundo para acomodar gradualmente la deformación de la red.   6)MQW (pozo cuántico múltiple)   Las pilas periódicas de InGaN/GaN (por ejemplo, 515 pares) para la recombinación radiativa. Optimización: las barreras de GaN dopadas con Si reducen el voltaje de operación y mejoran el brillo. Últimas noticias de la empresa sobre la estructura básica de las capas epitaxiales de LED basadas en GaN 2   7)Capa de bloqueo de electrones AlGaN (EBL) Barrera de banda ancha para confinar electrones dentro de MQW, aumentando la eficiencia de la recombinación.             8)Capa de p-GaN de baja duración Capa dopada con Mg, crecida ligeramente por encima de la temperatura de MQW hasta: Mejorar la inyección de agujeros Proteger los MQW de daños posteriores por alta temperatura   9)Capa de p-GaN de alta temperatura Cultivado a ~ 950 °C hasta: Agujeros de suministro Planar los pozos en V que se propagan a partir de MQW Reducir las corrientes de fuga   10)Capa de contacto de la superficie GaN fuertemente dopado con Mg para la formación de contacto ómico con electrodos metálicos, minimizando el voltaje de funcionamiento.   03 Conclusión La estructura epitaxial de GaN LED ejemplifica la sinergia entre la ciencia de materiales y la física de dispositivos, donde cada capa tiene un impacto crítico en el rendimiento electroóptico.Los avances futuros se centrarán en la ingeniería de defectos, gestión de la polarización y nuevas técnicas de dopaje para ampliar los límites de eficiencia y permitir aplicaciones emergentes.     Como pionera en la tecnología epitaxial LED de nitruro de galio (GaN), ZMSH ha sido pionera en soluciones epitaxiales avanzadas de GaN sobre zafiro y GaN sobre SiC, leveraging proprietary MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) systems and precision thermal management to deliver high-performance LED wafers with defect densities below 10⁶ cm⁻² and uniform thickness control within ±1.5%. Nuestros sustratos personalizables, incluidos el GaN en zafiro, zafiro azul, carburo de silicio y sustratos compuestos metálicos, permiten soluciones a medida para LEDs de ultra alto brillo, pantallas micro-LED,la iluminación automotriz y las aplicaciones UV-C. Al integrar la optimización de procesos impulsada por IA y el recocido por láser pulsado ultrarrápido, obtenemos un cambio de longitud de onda 95%,apoyado por certificaciones de grado automotriz (AEC-Q101) y escalabilidad de producción en masa para retroiluminación 5G, óptica AR/VR y dispositivos industriales de IoT.     El siguiente es un sustrato GaN y una oblea de zafiro de ZMSH:             * Por favor, póngase en contacto con nosotros para cualquier preocupación de derechos de autor, y los abordaremos rápidamente.            

   ¡Sáfiro no es un mal nombre aquí!         Los entusiastas de los relojes están ciertamente familiarizados con el término "cristales de zafiro," como la gran mayoría de los modelos de relojes conocidos, excepto las piezas de inspiración vintage, casi universalmente incluyen este material en sus especificaciones.Esto plantea tres preguntas clave:     1¿El zafiro es valioso? 2¿El cristal de zafiro de un reloj está hecho de zafiro? 3¿Por qué usar zafiro?       En realidad, el zafiro utilizado en la relojería no es lo mismo que la piedra preciosa natural en el sentido tradicional.que es un zafiro sintético compuesto principalmente de óxido de aluminio (Al2O3)Como no se añaden colorantes, el zafiro sintético es incoloro.         Desde el punto de vista químico y estructural, no hay diferencia entre el zafiro natural y el sintético.   La razón por la que las principales marcas de relojes prefieren unánimemente el cristal de zafiro para gafas de reloj no es sólo porque suena premium, es principalmente debido a sus propiedades excepcionales:       - Dureza: El zafiro sintético coincide con el zafiro natural en 9 en la escala de Mohs, sólo superado por el diamante, por lo que es muy resistente a los arañazos (a diferencia del acrílico, que se puede rasgar fácilmente).   - Durabilidad: Resiste la corrosión, el calor y es muy conductor térmico.   - Claridad óptica: el cristal de zafiro ofrece una transparencia excepcional, lo que lo convierte en el material perfecto para la relojería moderna.         El uso del cristal de zafiro en la relojería comenzó en los años sesenta y se extendió rápidamente.Es prácticamente la única opción en la relojería de gama alta..       Luego, en 2011, el zafiro se convirtió una vez más en una sensación en la industria del reloj de lujo cuando RICHARD MILLE presentó el RM 056,con una caja de zafiro totalmente transparente, una innovación sin precedentes en la relojería de alta gama.Muchas marcas pronto se dieron cuenta de que el zafiro no era sólo para los cristales de los relojes, sino que también se podía utilizar para los estuches, y se veía impresionante.           En solo unos años, las fundas de zafiro se convirtieron en una tendencia, evolucionando de transparencia clara a colores vibrantes, lo que resulta en diseños cada vez más diversos.relojes con carcasa de zafiro que pasaron de ediciones limitadas a modelos de producción regular, e incluso colecciones de núcleo.   Así que hoy, echemos un vistazo a algunos de los relojes con caja de cristal de zafiro.     Artya     El Tourbillon de pureza Este Tourbillon de pureza del relojero suizo independiente ArtyA presenta un diseño altamente esqueletizado y una caja de zafiro transparente,maximizando el impacto visual del tourbillon, tal como su nombre indica- Es un tourbillon puro.     BELL & ROSS     BR-X1 Cronógrafo Tourbillon Zafiro En 2016, Bell & Ross debutó su primer reloj de zafiro, el BR-X1 Chronograph Tourbillon Sapphire, limitado a solo 5 piezas y con un precio de más de € 400,000.lanzaron una versión esqueletizada aún más transparenteLuego, en 2021, lanzaron el BR 01 Cyber Skull Sapphire, con su motivo de cráneo característico en una caja cuadrada en negrita.         En el caso de los países de la UE,   L-evolución Estrictamente hablando, el repetidor de minutos L-Evolution de Blancpain Carillon Sapphire no tiene una caja completamente de zafiro,Pero sus puentes de zafiro transparentes y ventanas laterales crean un efecto de transparencia sorprendente, un "medio paso" en las cajas de zafiro.     CHANEL           J12 Rayos X Para el vigésimo aniversario del J12, Chanel presentó el J12 X-RAY.logrando un aspecto totalmente transparente que es visualmente impresionante.             CHOPARD     L.U.C. Full Strike Zafiro Lanzado en 2022, el L.U.C Full Strike Sapphire de Chopard fue el primer repetidor de minutos con una caja de zafiro.El reloj también ganó el Poinçon de Genève (Sello de Ginebra), el primer reloj no metálico que lo hace.     Se trata de un artículo de la Directiva 2000/29/CE.     Cuásar En 2019, Girard-Perregaux introdujo su primer reloj con caja de zafiro, el Quasar, con su icónico diseño "Three Bridges".La colección Laureato Absolute debutó su primer modelo de zafiro en 2020, junto con el tributo absoluto del laureado con una caja roja transparente, aunque no de zafiro, sino de un nuevo material policristalino llamado YAG (granate de aluminio ytrium).         ¿Qué quiere decir?     30° Tourbillon doble zafiro Greubel Forsey's 30° Double Tourbillon Sapphire destaca porque tanto la caja como la corona están hechas de cristal de zafiro.cuenta con cuatro barriles acoplados en serie para 120 horas de reserva de marchaEl precio es de más de un millón de dólares, limitado a 8 piezas.     JACOB y CO.     Astronomía sin defectos Para mostrar plenamente el movimiento de cuerda manual JCAM24, Jacob & Co. creó el Astronomia Flawless con una caja completamente de zafiro.     ¿Qué es esto?     Como el creador de tendencias en las fundas de zafiro, RICHARD MILLE ha dominado el material. Ya sea en los relojes masculinos o femeninos, o en los relojes complicados, las fundas de zafiro son una firma.RICHARD MILLE también enfatiza las variaciones de color, haciendo que sus relojes de zafiro sean ultra de moda.       Desde los cristales de zafiro hasta las cajas de zafiro, este material se ha convertido en un símbolo de la innovación de la relojería de alta gama. ¿Cuál es su reloj de zafiro favorito?

  El corte por láser se convertirá en la tecnología principal para cortar carburo de silicio de 8 pulgadas en el futuro       P: ¿Cuáles son las principales tecnologías para el procesamiento de cortes de carburo de silicio?   R: La dureza del carburo de silicio es la segunda después de la del diamante, y es un material de alta dureza y quebradizo.El proceso de cortar los cristales crecidos en hojas toma mucho tiempo y es propenso a agrietarseComo el primer proceso en el procesamiento de cristales simples de carburo de silicio, el rendimiento del corte determina los niveles de molienda, pulido, adelgazamiento y otros procesos posteriores.El procesamiento de corte es propenso a causar grietas en la superficie y el subsuelo de la oblea, aumentando la velocidad de rotura y el coste de fabricación de la oblea.El control de los daños de las grietas superficiales del corte de obleas es de gran importancia para promover el desarrollo de la tecnología de fabricación de dispositivos de carburo de silicioLas tecnologías de procesamiento de corte de carburo de silicio que se informan actualmente incluyen principalmente la consolidación, el corte con abrasivo libre, el corte por láser, la separación en frío y el corte por descarga eléctrica.Entre los cuales, el corte multicanal abrasivo de diamantes consolidados recíprocos es el método más comúnmente utilizado para procesar cristales simples de carburo de silicio.Cuando el tamaño del lingote de cristal alcanza 8 pulgadas o más, los requisitos para el equipo de corte de alambre son muy altos, el costo también es muy alto y la eficiencia es demasiado baja.Hay una necesidad urgente de desarrollar nuevas tecnologías de corte de bajo coste, con bajas pérdidas y alta eficiencia.       Ingot de cristal de SiC de ZMSH       P: ¿Cuáles son las ventajas de la tecnología de corte por láser sobre la tecnología tradicional de corte de múltiples alambres? R: En el proceso tradicional de corte de alambre, los lingotes de carburo de silicio deben cortarse en una dirección determinada en láminas delgadas con un grosor de varios cientos de micras.Estas hojas se muelen luego con el líquido de molienda de diamantes para eliminar las marcas de herramientas y daños de grietas de la superficie del subsuelo y alcanzar el grosor requeridoDespués de eso, se lleva a cabo el pulido CMP para lograr la planarización global, y finalmente, las obleas de carburo de silicio se limpian.Debido al hecho de que el carburo de silicio es un material de alta dureza y fragilidad, es propenso a deformarse y agrietarse durante el corte, molienda y pulido, lo que aumenta la velocidad de rotura de la oblea y el coste de fabricación.la rugosidad de la superficie y de la interfaz es altaAdemás, el ciclo de procesamiento de corte de alambre es largo y el rendimiento es bajo.Se estima que el método tradicional de corte de alambre múltiple tiene una tasa de utilización total de material de sólo el 50%Las primeras estadísticas de producción del extranjero muestran que, con una producción paralela continua de 24 horas, la pérdida de corte es de hasta el 75%.Se necesitan unos 273 días para producir 10100.000 piezas, que es un tiempo relativamente largo. En la actualidad, la mayoría de las empresas nacionales de crecimiento de cristales de carburo de silicio adoptan el enfoque de "cómo aumentar la producción" y aumentan significativamente el número de hornos de crecimiento de cristales.cuando la tecnología de crecimiento de cristales aún no está completamente madura y el rendimiento es relativamente bajoLa adopción de equipos de corte por láser puede reducir significativamente las pérdidas y aumentar la eficiencia de la producción.tomando como ejemplo un solo lingote de SiC de 20 mm, 30 obeliscos de 350 mm se pueden producir con una sierra de alambre, mientras que más de 50 obeliscos se pueden producir con tecnología de corte por láser.debido a las mejores características geométricas de las obleas producidas por corte por láserEn el caso de las barras de silicio de 20 mm, el espesor de una sola oblea puede reducirse a 200 mm, lo que aumenta aún más el número de oblasas.La tecnología tradicional de corte de alambre múltiple se ha aplicado ampliamente en el carburo de silicio de 6 pulgadas o menosSin embargo, toma de 10 a 15 días cortar el carburo de silicio de 8 pulgadas, que tiene altos requisitos de equipos, alto costo y baja eficiencia.Las ventajas técnicas del corte láser de gran tamaño se hacen evidentes y se convertirá en la tecnología principal para el corte de 8 pulgadas en el futuroEl corte con láser de lingotes de carburo de silicio de 8 pulgadas puede lograr un tiempo de corte de una sola pieza de menos de 20 minutos por pieza, mientras que la pérdida de corte de una sola pieza se controla dentro de 60um.       Ingot de cristal de SiC de ZMSH     En general, en comparación con la tecnología de corte de múltiples alambres, la tecnología de corte por láser tiene ventajas tales como alta eficiencia y velocidad, alta tasa de corte, baja pérdida de material y limpieza. P: ¿Cuáles son las principales dificultades en la tecnología de corte por láser de carburo de silicio? R: El proceso principal de la tecnología de corte por láser de carburo de silicio consiste en dos pasos: modificación por láser y separación de obleas. El núcleo de la modificación láser es dar forma y optimizar el haz láser.y la velocidad de escaneo afectará el efecto de la modificación de ablación de carburo de silicio y la posterior separación de obleasLas dimensiones geométricas de la zona de modificación determinan la rugosidad de la superficie y la posterior dificultad de separación.La alta rugosidad de la superficie aumentará la dificultad de la molienda posterior y aumentará la pérdida de material. Después de la modificación con láser, la separación de las obleas se basa principalmente en la fuerza de cizallamiento para pelar las obleas cortadas de los lingotes, como el agrietamiento en frío y la fuerza de tracción mecánica.La investigación y el desarrollo de los fabricantes nacionales utilizan principalmente transductores ultrasónicos para separar por vibración, lo que puede dar lugar a problemas como la fragmentación y el astillamiento, reduciendo así el rendimiento de los productos terminados.   Las dos etapas anteriores no deberían suponer dificultades significativas para la mayoría de las unidades de investigación y desarrollo.debido a los diferentes procesos y el dopaje de lingotes de cristal de varios fabricantes de crecimiento de cristalEn el caso de los lingotes de cristal, la calidad de los mismos varía mucho, o si el doping interno y la tensión de un solo lingote de cristal son desiguales, aumentará la dificultad de cortar el lingote de cristal.aumentar las pérdidas y reducir el rendimiento de los productos terminadosLa mera identificación mediante varios métodos de detección y luego la realización de una zona de escaneo láser de corte puede no tener un efecto significativo en la mejora de la eficiencia y la calidad de la rebanada.Cómo desarrollar métodos y tecnologías innovadores, optimizar los parámetros del proceso de corte,y desarrollar equipos y tecnologías de corte por láser con procesos universales para lingotes de cristal de diferentes calidades de diferentes fabricantes es el núcleo de la aplicación a gran escala.   P: Además del carburo de silicio, ¿puede aplicarse la tecnología de corte láser al corte de otros materiales semiconductores? R: La tecnología de corte láser temprana se aplicó en varios campos de materiales. En el campo de los semiconductores, se utilizó principalmente para cortar obleas de chip.se ha expandido hasta cortar cristales individuales de gran tamañoAdemás del carburo de silicio, también se puede utilizar para cortar materiales de alta dureza o frágiles como materiales de cristal único como diamantes, nitruro de galio y óxido de galio.El equipo de la Universidad de Nanjing ha hecho un montón de trabajo preliminar en la rebanada de estos varios semiconductores de cristal único, verificando la viabilidad y las ventajas de la tecnología de corte láser para cristales simples de semiconductores.       La oblea Diamond y la oblea GaN de ZMSH       P: ¿Existen actualmente en nuestro país productos maduros de equipos de corte láser? ¿En qué etapa se encuentra actualmente en la investigación y desarrollo de este dispositivo?   R: El equipo de corte láser de carburo de silicio de gran tamaño es considerado por la industria como el equipo principal para cortar lingotes de carburo de silicio de 8 pulgadas en el futuro.Los equipos de corte por láser de lingotes de carburo de silicio de gran tamaño solo pueden ser suministrados por Japón.La demanda interna de equipos de corte / adelgazamiento por láser se estima en alrededor de 1.000 unidades en función del número de unidades de corte de alambre y de la capacidad prevista de carburo de silicioActualmente, las empresas nacionales como Han's Laser, Delong Laser, y Jiangsu General han invertido enormes cantidades de dinero en el desarrollo de productos relacionados,pero aún no se ha aplicado ningún equipo comercial nacional maduro en las líneas de producción.   Ya en 2001, the team led by Academician Zhang Rong and Professor Xiu Xiangqian from Nanjing University developed a laser exfoliation technology for gallium nitride substrates with independent intellectual property rightsEn el último año, hemos aplicado esta tecnología al corte y adelgazamiento con láser de carburo de silicio de gran tamaño.Hemos completado el desarrollo de equipos prototipo y corte de proceso de investigación y desarrollo, logrando el corte y adelgazamiento de obleas de carburo de silicio semi-isolantes de 4-6 pulgadas y el corte de lingotes de carburo de silicio conductores de 6-8 pulgadas.El tiempo de corte para 6-8 pulgadas de carburo de silicio semi-aislante es de 10-15 minutos por rebanadaEl tiempo de corte de una sola pieza para lingotes de carburo de silicio conductores de 6-8 pulgadas es de 14-20 minutos por pieza, con una pérdida de una sola pieza de menos de 60um.Se estima que la tasa de producción puede incrementarse en más del 50%Después de cortar, moler y pulir, los parámetros geométricos de las obleas de carburo de silicio cumplen con las normas nacionales.Los resultados de la investigación también muestran que el efecto térmico durante el corte por láser no tiene una influencia significativa en la tensión y los parámetros geométricos del carburo de silicioUtilizando este equipo, también realizamos un estudio de verificación de viabilidad sobre la tecnología de corte de cristales individuales de diamante, nitruro de galio y óxido de galio.     Como líder innovador en la tecnología de procesamiento de obleas de carburo de silicio, ZMSH ha tomado la delantera en el dominio de la tecnología central de corte por láser de carburo de silicio de 8 pulgadas.A través de su sistema de modulación láser de alta precisión desarrollado de forma independiente y tecnología de gestión térmica inteligente, ha logrado con éxito un gran avance en la industria al aumentar la velocidad de corte en más del 50% y reducir la pérdida de material a menos de 100 μm.Nuestra solución de corte por láser emplea láseres de pulso ultravioleta ultra corto en combinación con un sistema óptico adaptativo, que puede controlar con precisión la profundidad de corte y la zona afectada por el calor, asegurando que el TTV de la oblea se controle dentro de 5μm y que la densidad de dislocación sea inferior a 103cm−2,proporcionar un apoyo técnico fiable para la producción en masa a gran escala de sustratos de carburo de silicio de 8 pulgadasEn la actualidad, esta tecnología ha pasado la verificación de grado automotriz y se está aplicando industrialmente en los campos de la nueva energía y la comunicación 5G.       El siguiente es el tipo de ZMSH SiC 4H-N & SEMI:               * Por favor, póngase en contacto con nosotros para cualquier preocupación de derechos de autor, y los abordaremos rápidamente.