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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

Name: 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: GaN-no-polar
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: China

Nombre de la marca: zmkj

Número de modelo: GaN-no-polar

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1PC

Precio: by case

Detalles de empaquetado: sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados

Tiempo de entrega: 2-4 semanas

Condiciones de pago: L / C, T / T

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                substrato gan, plantilla gan
                              

Material:	Solo cristal de GaN	Método:	HVPE
Tamaño:	10x10m m, 5x5m m	Grueso:	350um
Industria:	LD, llevado, dispositivo del laser, detector,	Superficie:	cante o el lado doble poliseed
Grado:	para el LD	Tipo:	GaN Substrates libre no polar

Material:	Solo cristal de GaN
Método:	HVPE
Tamaño:	10x10m m, 5x5m m
Grueso:	350um
Industria:	LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
Superficie:	cante o el lado doble poliseed
Grado:	para el LD
Tipo:	GaN Substrates libre no polar

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes de tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED, oblea de nitruro de galio mocvd 10x10 mm, 5x5 mm, GaN de 10x5 mm oblea, sustratos de GaN independientes no polares (plano a y plano m)

Característica de la oblea de GaN

Producto

Sustratos de nitruro de galio (GaN)

Descripción del Producto:

Se presenta la plantilla Saphhire GaN Método de epitaxia en fase de vapor de hidruro epitxial (HVPE).En el proceso HVPE, el ácido producido por la reacción GaCl, que a su vez reacciona con amoníaco para producir nitruro de galio, se derrite.La plantilla de GaN epitaxial es una forma rentable de reemplazar el sustrato monocristalino de nitruro de galio.

Parámetros técnicos:

Tamaño	2 "redondo; 50 mm ± 2 mm
Posicionamiento del producto	Eje C <0001> ± 1,0.
Tipo de conductividad	tipo N y tipo P
Resistividad	R <0,5 ohmios-cm
Tratamiento superficial (cara Ga)	como crecido
RMS	<1nm
Superficie disponible	> 90%

Especificaciones:

Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2 "* 30 micras, zafiro;

Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras;

Película epitaxial de GaN (R Plane), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras;

Película epitaxial de GaN (M Plane), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras.

película de AL2O3 + GaN (Si dopado de tipo N);Película AL2O3 + GaN (Mg dopado tipo P)

Nota: según demanda del cliente orientación y tamaño especial del enchufe.

Embalaje estándar:

1000 salas limpias, 100 bolsas limpias o embalaje de caja individual

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 0

Solicitud

GaN se puede usar en muchas áreas, como pantallas LED, detección e imágenes de alta energía,
Pantalla de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.

Pantalla de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
Almacenamiento de fecha
Iluminación de bajo consumo
Pantalla plana a todo color
Proyecciones láser
Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
Dispositivos de microondas de alta frecuencia
Detección de alta energía e imagine
Nueva energía solor tecnología de hidrógeno
Medio ambiente Detección y medicina biológica
Banda de terahercios de la fuente de luz

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 1

Especificaciones:

Especificación de la plantilla de GaN

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 2

Archivo de especificación de GaN independiente de 2~4 pulgadas

Artículo	GaN-FS-CU-C50	GaN-FS-CN-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Dimensiones	mi 50,8 mm ± 1 mm
Espesor	350 ± 25 horas
Área de superficie utilizable	> 90%
Orientación	Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35° ± 0,15°
Plano de orientación	(1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
Piso de Orientación Secundaria	(11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm
TTV (Variación de espesor total)	< 15 horas
ARCO	< 20 hs
Tipo de conducción	tipo N	tipo N	Semiaislante (dopado con Fe)
Resistividad (3O0K)	< 0,1 Q・cm	< 0,05 Q・cm	>106 Q・cm
Densidad de dislocación	De 1x105 cm-2 a 3x106 cm-2
Pulido	Superficie frontal: Ra < 0,2 nm (pulido);o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
	Superficie trasera: 0,5 ~ 1,5 pm;opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Paquete	Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en contenedores de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno.

tamaño	Sustratos de GaN de 4”
Artículo	GaN-FS-N
Tamaño de las dimensiones	Ф 100,0 mm ± 0,5 mm
Espesor del sustrato	450 ± 50 micras
Orientación del sustrato	Eje C (0001) hacia el eje M 0,55± 0,15°
Polaco	SSP o DSP
Método	HVPE
ARCO	<25UM
TTV	<20um
Aspereza	<0.5nm
resistividad	0.05ohm.cm
dopante	Si
(002) FWHM&(102) FWHM	<100arco
Cantidad y tamaño máximo de agujeros y pozos	Grado de producción ≤23@1000 um; Grado de investigación ≤68@1000 um
Cantidad y tamaño máximo de agujeros y pozos	Grado simulado ≤112@1000 um
Área utilizable	nivel de P>90%;Nivel R> 80%: Nivel D> 70% (exclusión de defectos de borde y macro)

	Sustratos de GaN independientes no polares (plano a y plano m)
Artículo	GaN-FS-a	GaN-FS-m
Dimensiones	5,0 mm × 5,5 mm
	5,0 mm × 10,0 mm
	5,0 mm × 20,0 mm
	Tamaño personalizado
Espesor	330 ± 25 micras
Orientación	plano a ± 1°	plano m ± 1°
TTV	≤15 micras
ARCO	≤20 micras
Tipo de conducción	tipo N
Resistividad (300K)	< 0,5 Ω·cm
Densidad de dislocación	Menos de 5x106 cm-2
Área de superficie utilizable	> 90%
Pulido	Superficie frontal: Ra < 0,2 nm.Epi-ready pulido
	Superficie trasera: tierra fina
Paquete	Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en contenedores de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno.

2.ZMKJ proporciona oblea de GaN a la industria de la microelectrónica y la optoelectrónica con un diámetro de 2" a 4".

Las obleas epitaxiales de GaN se cultivan mediante el método HVPE o MOCVD, se pueden utilizar como sustrato ideal y excelente para dispositivos de alta frecuencia, alta velocidad y alta potencia.Actualmente podemos ofrecer obleas epitaxiales de GaN para investigación fundamental y desarrollo de productos de dispositivos, incluida la plantilla de GaN, AlGaN

e InGaN.Además de la oblea estándar basada en GaN, le invitamos a discutir su estructura de capa epi.

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 4

Tags:

Substrato de N-GaAs VCSEL Epiwafer 6 pulgadas Gallio Arsenuro Wafer 2 pulgadas < 100> < 110> Para dispositivos optoelectrónicos

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N-GaAs sustrato VCSEL epiwafer de 6 pulgadas orientación GaAs 100 111 longitud de onda 940nm para Gigabit Ethernet

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Oblea del nitruro del galio

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Zafiro Windows óptico

Oblea de silicio de IC

Piezas del zafiro

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Piedra preciosa sintética

Equipo del semiconductor

Oblea LiNbO3

Oblea del GaAs

Oblea del fosfuro de indio

Zafiro sintético Rod

Placa del cuarzo fundido

substrato de cerámica

Envoltura del laboratorio

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

substrato gan

plantilla gan

plantilla gan,

substrato gan,

plantilla del aln

8INCH 12INCH 6INCH GaN-En-Si EPI-WAFERS para el uso del RF LED del poder

10x10mm 10x15mm 001 Óxido de galio substrato de GaO Mg doping Ga2O3 Oblea de nitruro de galio

Substrato de N-GaAs VCSEL Epiwafer 6 pulgadas Gallio Arsenuro Wafer 2 pulgadas < 100> < 110> Para dispositivos optoelectrónicos

N-GaAs sustrato VCSEL epiwafer de 6 pulgadas orientación GaAs 100 111 longitud de onda 940nm para Gigabit Ethernet

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4 pulgadas GaN-on-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pulgadas 8 pulgadas Dureza 9.0 Mohs para potencia RF LED

4'' 200nm AlScN en obleas de silicio SSP DSP Substrato epitaxial para dispositivos LED

4' 6' AIN en sustratos de silicio SSP DSP semiconductor Wafers 100nm 200nm capa

GaN-EN-silicio de la oblea del nitruro del galio de 300m m para el poder LED micro

10x15m m transparente 001 uso de GaO Substrate For LED del óxido del galio de la orientación

10x15m m 100 orientación del substrato 100 del GaAS del óxido del galio de la orientación con el FE doparon

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