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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - Standing GaN Single Crystal Material

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

  • Alta luz

    substrato gan

    ,

    plantilla gan

  • Material
    Solo cristal de GaN
  • Método
    HVPE
  • Tamaño
    10x10m m, 5x5m m
  • Grueso
    350um
  • Industria
    LD, llevado, dispositivo del laser, detector,
  • Superficie
    cante o el lado doble poliseed
  • Grado
    para el LD
  • Tipo
    GaN Substrates libre no polar
  • Lugar de origen
    China
  • Nombre de la marca
    zmkj
  • Número de modelo
    GaN-no-polar
  • Cantidad de orden mínima
    1PC
  • Precio
    by case
  • Detalles de empaquetado
    sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
  • Tiempo de entrega
    2-4 semanas
  • Condiciones de pago
    L / C, T / T

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

Plantilla de sustratos de GaN de 2 pulgadas, oblea de GaN para LED, oblea de nitruro de galio semiconductor para ld, plantilla de GaN, oblea de GaN mocvd, sustratos de GaN independientes de tamaño personalizado, oblea de GaN de tamaño pequeño para LED, oblea de nitruro de galio mocvd 10x10 mm, 5x5 mm, GaN de 10x5 mm oblea, sustratos de GaN independientes no polares (plano a y plano m)

 

Característica de la oblea de GaN

Producto Sustratos de nitruro de galio (GaN)
Descripción del producto: Se presenta la plantilla Saphhire GaN Método de epitaxia en fase de vapor de hidruro epitxial (HVPE).En el proceso HVPE, el ácido producido por la reacción GaCl, que a su vez reacciona con amoníaco para producir nitruro de galio, se derrite.La plantilla de GaN epitaxial es una forma rentable de reemplazar el sustrato monocristalino de nitruro de galio.
Parámetros técnicos:
Tamaño 2 "redondo; 50 mm ± 2 mm
Posicionamiento del producto Eje C <0001> ± 1,0.
Tipo de conductividad tipo N y tipo P
Resistividad R <0,5 ohmios-cm
Tratamiento superficial (cara Ga) como crecido
RMS <1nm
Superficie disponible > 90%
Especificaciones:

 

Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, 2 "* 30 micras, zafiro;

Película epitaxial de GaN (plano C), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras;

Película epitaxial de GaN (R Plane), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras;

Película epitaxial de GaN (M Plane), tipo N, zafiro de 2 "* 5 micras.

película de AL2O3 + GaN (Si dopado de tipo N);Película AL2O3 + GaN (Mg dopado tipo P)

Nota: según demanda del cliente orientación y tamaño especial del enchufe.

Embalaje estándar: 1000 salas limpias, 100 bolsas limpias o embalaje de caja individual

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Solicitud

GaN se puede usar en muchas áreas, como pantallas LED, detección e imágenes de alta energía,
Pantalla de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.

  • Pantalla de proyección láser, dispositivo de alimentación, etc.
  • Almacenamiento de fecha
  • Iluminación de bajo consumo
  • Pantalla plana a todo color
  • Proyecciones láser
  • Dispositivos electrónicos de alta eficiencia
  • Dispositivos de microondas de alta frecuencia
  • Detección de alta energía e imagine
  • Nueva energía solor tecnología de hidrógeno
  • Medio ambiente Detección y medicina biológica
  • Banda de terahercios de la fuente de luz

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Especificaciones:

 

Especificación de la plantilla de GaN

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Archivo de especificación de GaN independiente de 2~4 pulgadas
Artículo GaN-FS-CU-C50 GaN-FS-CN-C50 GaN-FS-C-SI-C50
 Dimensiones mi 50,8 mm ± 1 mm
 Espesor 350 ± 25 horas
 Área de superficie utilizable >90%
Orientación Plano C (0001) fuera de ángulo hacia el eje M 0,35°± 0,15°
 Plano de orientación (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
Piso de Orientación Secundaria (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0 mm
TTV (Variación de espesor total) < 15 horas
BAY < 20 hs
 Tipo de conducción tipo N tipo N Semiaislante (dopado con Fe)
 Resistividad (3O0K) < 0,1 Q・cm < 0,05 Q・cm >106Q・cm
Densidad de dislocación Desde 1x105cm-2a 3x106cm-2
 Pulido Superficie frontal: Ra < 0,2 nm (pulido);o < 0,3 nm (pulido y tratamiento superficial para epitaxia)
Superficie posterior: 0,5~1.5pmetro;opción: 1~3 nm (molienda fina);< 0,2 nm (pulido)
Paquete Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en contenedores de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno.
 
Talla Sustratos de GaN de 4”
Artículo GaN-FS-N
Tamaño de las dimensiones Ф 100,0 mm ± 0,5 mm
Espesor del sustrato 450 ± 50 micras
Orientación del sustrato Eje C (0001) hacia el eje M 0,55± 0,15°
Polaco SSP o DSP
Método HVPE
ARCO <25UM
TTV <20um
Aspereza <0.5nm
resistividad 0.05ohm.cm
dopante Si
(002) FWHM&(102) FWHM
<100arco
Cantidad y tamaño máximo de agujeros
y pozos
Grado de producción ≤23@1000 um; Grado de investigación≤68@1000um
grado ficticio≤112@1000um
Área utilizable nivel de P>90%;Nivel R> 80%: Nivel D> 70% (exclusión de defectos de borde y macro)

 

  Sustratos de GaN independientes no polares (plano a y plano m)
Artículo GaN-FS-a GaN-FS-m
Dimensiones 5,0 mm × 5,5 mm
5,0 mm × 10,0 mm
5,0 mm × 20,0 mm
Tamaño personalizado
Espesor 330 ± 25 micras
Orientación plano a ± 1° plano m ± 1°
TTV ≤15 micras
ARCO ≤20 micras
Tipo de conducción tipo N
Resistividad (300K) < 0,5 Ω·cm
Densidad de dislocación Menos de 5x106cm-2
Área de superficie utilizable > 90%
Pulido Superficie frontal: Ra < 0,2 nm.Epi-ready pulido
Superficie trasera: tierra fina
Paquete Envasado en un ambiente de sala limpia de clase 100, en contenedores de oblea individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno.

 

 

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2.ZMKJ proporciona oblea de GaN a la industria de la microelectrónica y la optoelectrónica con un diámetro de 2" a 4".

Las obleas epitaxiales de GaN se cultivan mediante el método HVPE o MOCVD, se pueden utilizar como sustrato ideal y excelente para dispositivos de alta frecuencia, alta velocidad y alta potencia.Actualmente podemos ofrecer obleas epitaxiales de GaN para investigación fundamental y desarrollo de productos de dispositivos, incluida la plantilla de GaN, AlGaN

e InGaN.Además de la oblea estándar basada en GaN, le invitamos a discutir su estructura de capa epi.
 
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