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2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente

  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - Standing GaN Single Crystal Material
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - Standing GaN Single Crystal Material
Lugar de origen China
Nombre de la marca zmkj
Número de modelo GaN-no-polar
Cantidad de orden mínima 1PC
Precio by case
Detalles de empaquetado sola caja de la oblea en sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega 2-4 semanas
Condiciones de pago L / C, T / T
Datos del producto
Material Solo cristal de GaN Método HVPE
Tamaño 10x10m m, 5x5m m Grueso 350um
Industria LD, llevado, dispositivo del laser, detector, Superficie cante o el lado doble poliseed
Grado para el LD Tipo GaN Substrates libre no polar
Alta luz

substrato gan

,

plantilla gan
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Descripción de producto

plantilla de los substratos de 2inch GaN, oblea para LeD, oblea semiconductora para el ld, plantilla de GaN, oblea del mocvd GaN, substratos libres por tamaño modificado para requisitos particulares, oblea tamaño pequeño para el LED, oblea 10x10m m, 5x5m m, oblea de 10x5m m GaN, substratos libres no polares de GaN del nitruro del galio de GaN de GaN del nitruro del galio del mocvd de GaN (uno-avión y m-avión)

 

Característica de la oblea de GaN 

Producto  Substratos del nitruro del galio (GaN)
Descripción de producto: La plantilla de Saphhire GaN se presenta el método de (HVPE) de la epitaxia de la fase de vapor del hidruro de Epitxial. En el proceso de HVPE, el ácido produjo por la reacción GaCl, que a su vez se reacciona con amoníaco al derretimiento del nitruro del galio de la producción. La plantilla epitaxial de GaN es una manera rentable de substituir el substrato del solo cristal del nitruro del galio.
Parámetros técnicos:
Tamaño 2" redondo; ± 2m m de 50m m
Colocación de producto ± <0001> 1,0 de C-AXIS.
Tipo de la conductividad N-tipo y P-tipo
Resistencia R <0>
Tratamiento superficial (cara del GA) SEGÚN LO crecido
RMS <1nm>
Superficie disponible > el 90%
Especificaciones:

 

Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 30 micrones, zafiro;

Película epitaxial de GaN (avión) de C, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro;

Película epitaxial de GaN (avión) de R, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro;

Película epitaxial de GaN (avión) de M, N-tipo, 2" * 5 micrones de zafiro.

Película de AL2O3 + de GaN (N-tipo Si dopado); Película de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnesio dopado)

Nota: según la orientación y el tamaño especiales del enchufe de la demanda de los clientes.
Empaquetado del estándar: bolso limpio 1000 sitio limpio, 100 o solo empaquetado de la caja

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 0

Uso 

GaN se puede utilizar en muchas áreas tales como pantalla LED, detección de alta energía y proyección de imagen,
Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exhibición de la proyección del laser, dispositivo de poder, etc.
  • Almacenamiento de la fecha
  • Iluminación económica de energía
  • Exhibición a todo color del fla
  • Laser Projecttions
  • Dispositivos electrónicos de gran eficacia
  • Dispositivos de alta frecuencia de la microonda
  • La detección de alta energía y se imagina
  • Nueva tecnología del hidrógeno del solor de la energía
  • Detección del ambiente y medicina biológica
  • Banda del terahertz de la fuente de luz

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 1 
 
Especificaciones:

  Substratos libres no polares de GaN (uno-avión y m-avión)
Artículo GAN-FS-uno GAN-FS-m
Dimensiones 5.0mm×5.5m m
5.0mm×10.0m m
5.0mm×20.0m m
Tamaño modificado para requisitos particulares
Grueso 330 µm del ± 25
Orientación ± 1° del uno-avión ± 1° del m-avión
TTV µm ≤15
ARCO µm ≤20
Tipo de la conducción N-tipo
Resistencia (300K) < 0="">
Densidad de dislocación Menos que 5x106 cm-2
Superficie usable > el 90%
Polaco Superficie delantera: Ra < 0="">
Superficie trasera: Tierra fina
Paquete Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, en solos envases de la oblea, bajo atmósfera del nitrógeno.

 

 

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 2

2.ZMKJ proporciona la oblea de GaN a la industria de la microelectrónica y de la optoelectrónica en el diámetro 2" a 4".

Las obleas epitaxiales de GaN son crecidas por HVPE o el método del MOCVD, se puede utilizar como substrato ideal y excelente para el dispositivo el de alta frecuencia, de la velocidad y de poder más elevado. Actualmente podemos ofrecer a GaN la oblea epitaxial para el uso fundamental de la investigación y del desarrollo de productos del dispositivo, incluyendo la plantilla de GaN, AlGaN

e InGaN. Además de GaN estándar basado oblea, usted es agradable discutir su estructura de capa del epi.
 
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material permanente 3

Etiquetas:

plantilla gan

substrato gan

plantilla del aln

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