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Oblea del fosfuro de indio
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| Lugar de origen | China. |
| Nombre de la marca | ZMSH |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | Substratos de InSb-Te |
| Concentración alta de portadores | Tiene una mayor conductividad eléctrica y baja resistividad en dispositivos electrónicos. |
| Alta movilidad de los portadores | Describe los portadores en un material para moverse bajo un campo eléctrico. |
| Determinar la naturaleza | El dopaje con telurio puede aumentar el calor de los materiales cristalinos InSb. |
| Absorción de luz | El dopaje con telurio puede cambiar las uniones de banda de los cristales InSb. |
| Emisión de luz | El Te-doped InSb puede ser estimulado para producir emisión de luz mediante excitación externa o inyección de electrones. |
| Compatibilidad | El sustrato InSb dopado con TE tiene una buena compatibilidad de red con otros semiconductores. |
| Estabilidad térmica | El dopaje con telurio puede mejorar la estabilidad térmica de los materiales InSb. |
| Propiedad óptica | El dopaje con telurio también tiene un cierto efecto sobre las propiedades ópticas de los materiales InSb |
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Parámetro |
En el caso de los productos de la categoría N2O, se utilizará la fórmula N2O. |
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Método de crecimiento |
CZ |
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Agentes de superación |
El |
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Orientación |
(111) +/- 0,5° |
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Ángulo de orientación |
No incluido |
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Redondeamiento de los bordes |
0.25 |
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Diámetro |
50.5 +/- 0.5 |
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El grosor |
510+/-25 |
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De orientación |
EJ[01-1]+/- 0,5° |
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DE longitud |
16+/-2 |
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Orientación del IF |
EJ[01-1]+/- 0,5° |
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IF longitud |
8+/-1 |
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CC |
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Movilidad |
En caso de que la entidad no cumpla las condiciones siguientes: |
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EPD-AVE |
≤ 50 |
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TTV |
≤ 10 años |
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Las condiciones de venta |
≤ 10 años |
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- ¿Qué quieres decir? |
≤ 10 años |
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La velocidad warp. |
≤ 15 años |
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Superficie delantera |
Las demás: |
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Superficie lateral trasera |
Las demás: |
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El pachaging |
Las demás partidas |
1Dispositivos electrónicos de alta velocidad: los cristales InSb dopados con telurio también tienen potencial en dispositivos electrónicos de alta velocidad.
2Dispositivos de estructura cuántica: Los cristales InSb dopados con Te pueden usarse para preparar dispositivos de estructura cuántica, como
Pozos cuánticos y dispositivos de puntos cuánticos.
3Dispositivos optoelectrónicos: Los cristales de InSb dopados con Te pueden utilizarse para preparar diversos dispositivos optoelectrónicos, tales como:
Las demás máquinas y aparatos para la fabricación de productos del capítulo 85
4Detector infrarrojo: los cristales InSb dopados con Te pueden utilizarse para preparar detectores infrarrojos de alto rendimiento.
El dopaje con telurio puede aumentar la concentración y la movilidad de los portadores.
5Los cristales InSb dopados con Te también tienen potencial de aplicación en el campo de los láseres infrarrojos.
La estructura de banda de los cristales INSB puede realizar el trabajo de los láseres infrarrojos.
P: ¿Cuál es el nombre de marca deTe-InSb?
A: El nombre de marca deTe-InSbes ZMSH.
P: ¿Qué es la certificación deTe-InSb?
A: La certificación deTe-InSbes ROHS.
P: ¿Cuál es el lugar de origen deTe-InSb?
A: El lugar de origen deTe-InSbes China.
P: ¿Cuál es el MOQ deTe-InSb a la vez?
R: El MOQ deTe-InSbes 25 piezas a la vez.
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