2' 4' InP Wafer Indio Fosfuro Wafer Substrato semiconductor 350um 650um
Descripción deWafer InP:
Los chips InP (fosfuro de indio) son un material semiconductor comúnmente utilizado para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento como fotodiodos, láseres y sensores fotoeléctricos.
- Estructura de cristal: los chips InP adoptan una estructura de cristal cúbico con una estructura de red altamente ordenada.
- Brecha de energía: los chips InP tienen una pequeña brecha de energía directa de aproximadamente 1,35 eV, que es un material semiconductor en el rango de luz visible.
- Índice de refracción: el índice de refracción de una oblea InP varía con la longitud de onda de la luz y es de aproximadamente 3,17 en el rango visible.
- Conductividad térmica: InP tiene una alta conductividad térmica de aproximadamente 0,74 W/(cm·K).
- Movilidad de electrones: los chips InP tienen una alta movilidad de electrones de aproximadamente 5000 cm^2/(V·s).
- Tamaño del chip: Los chips InP generalmente se suministran en forma de chip redondo y pueden variar en diámetro de unos pocos milímetros a varias pulgadas.
- Características superficiales: La superficie del chip InP suele ser tratada especialmente para mejorar su planitud y limpieza.
Características delOjal InP:
El chip InP (fosfuro de indio) se utiliza ampliamente en el campo de los dispositivos optoelectrónicos como el material de sustrato de los dispositivos semiconductores.
- Diferencia de energía directa: Los chips InP tienen una pequeña brecha de energía directa (alrededor de 1,35 eV), lo que les permite absorber y emitir señales de luz en el rango visible de manera eficiente.
- Alta movilidad de electrones: Los chips InP tienen una alta movilidad de electrones (aproximadamente 5000 cm ^ 2 / (((V · s))), lo que los hace mostrar excelentes propiedades eléctricas en dispositivos electrónicos de alta velocidad.
- Fuerte efecto fotoeléctrico: Los chips InP tienen un fuerte efecto fotoeléctrico, lo que los hace mostrar un excelente rendimiento en dispositivos como fotodetectores y fotodiodos.
- Estabilidad y fiabilidad: Los chips InP tienen una buena estabilidad térmica y propiedades eléctricas, lo que les permite trabajar en ambientes de alta temperatura y alto campo eléctrico.
- Técnicas de preparación extensas: las obleas InP se pueden cultivar mediante una variedad de técnicas de preparación, como la deposición de vapor químico metálico-orgánico (MOCVD) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
Parámetros técnicos deWafer InP:
| Punto de trabajo |
Parámetro |
OMS |
| El material |
En el P |
|
| Tipo de conducción/Dopant |
S-C-N/S |
|
| Grado |
¡ Qué tonto! |
|
| Diámetro |
100.0 +/- 0.3 |
En el caso de los |
| Orientación |
(100) +/- 0,5° |
|
| Área gemelada lamellar |
área de cristal único útil con orientación (100) > 80% |
|
| Orientación plana primaria |
Se trata de un proyecto de investigación de la Comisión. |
En el caso de los |
| Duración plana primaria |
32.5+/-1 |
|
| Orientación plana secundaria |
El número de personas afectadas |
|
| Duración plana secundaria |
18+/-1 |
|
Las aplicaciones deWafer InP:
El chip InP (fosfuro de indio), como material de sustrato de dispositivos semiconductores, tiene excelentes propiedades fotoeléctricas y eléctricas.Las siguientes son algunas de las principales áreas de aplicación de los materiales de sustrato de chips InP:
- Comunicación óptica: se puede utilizar para fabricar transmisores de luz (como láseres) y receptores de luz (como fotodiodos) en sistemas de comunicación de fibra óptica.
- Detección y detección ópticas: Los fotodetectores basados en chips InP pueden convertir eficientemente señales ópticas en señales eléctricas para comunicación óptica, medición óptica,análisis espectral y otras aplicaciones.
- Tecnología láser: Los láseres basados en el INP se utilizan ampliamente en comunicación óptica, almacenamiento óptico, liDAR, diagnóstico médico y procesamiento de materiales.
- Circuitos integrados optoelectrónicos: los chips InP pueden utilizarse para fabricar circuitos integrados optoelectrónicos (OEics),que es la integración de dispositivos optoelectrónicos y dispositivos electrónicos en el mismo chip.
- Células solares: los chips InP tienen una alta eficiencia de conversión fotoeléctrica, por lo que se pueden utilizar para fabricar células solares eficientes.
Preguntas frecuentes:
P1: ¿Cuál es el nombre de la marcaWafer InP?
A1: ElFósforo de indioes hecho por ZMSH.
P2: ¿Cuál es el diámetro de laFósforo de indio?
A2: El diámetro deFósforo de indioes 2'', 3'', 4''.
P3: ¿Dónde está elFósforo de indio¿De dónde?
A3: ElFósforo de indioes de China.
P4: ¿Es elFósforo de indio¿Con certificación ROHS?
R4: Sí, elFósforo de indioes certificado ROHS.
P5: ¿CuántosFósforo de indio¿Puedo comprar waffles a la vez?
A5: La cantidad mínima de pedido de laFósforo de indioEs de 5 piezas.
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