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lado doble de los substratos del arseniuro de galio de las obleas del GaAs del dopante de 2inch Si pulido para el LED
  • lado doble de los substratos del arseniuro de galio de las obleas del GaAs del dopante de 2inch Si pulido para el LED
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Lugar de origen CHINA
Nombre de la marca zmsh
Certificación ROHS
Número de modelo Oblea de 6INCH GaAs
Detalles del producto
Material:
Monocristal GaAs
Industria:
oblea del semicondutor para el ld o llevada
Uso:
el substrato del semiconductor, llevó el microprocesador, ventana de cristal óptica, substratos del
Método:
CZ
Tamaño:
2inch~6inch
Grueso:
0.425m m
Superficie:
CMP/grabado al agua fuerte
dopado:
Si-dopado
MOQ:
10pcs
Grado:
grado de la investigación/grado simulado
Alta luz: 

obleas del GaAs del dopante de 2inch Si

,

Obleas pulidas laterales dobles del GaAs

,

Substratos del arseniuro de galio del LED

Descripción de producto

lado doble de los substratos del arseniuro de galio de las obleas del GaAs del dopante de 2Inch Si pulido para el uso del LED
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Oblea del GaAs

 

El arseniuro de galio es un compuesto integrado por el galio metálico y el arsénico semimetálico en el ratio atómico 1: 1. Tiene un lustre metálico gris y su estructura cristalina es tipo de la esfalerita. El arseniuro de galio había sido sintetizado ya en 1926. Sus propiedades del semiconductor fueron confirmadas en 1952. Los dispositivos hicieron de los materiales del arseniuro de galio tienen la buena respuesta de frecuencia, la velocidad y alta temperatura de funcionamiento, que pueden cubrir las necesidades de la optoelectrónica integrada. Es actualmente el material optoelectrónico más importante, pero también el material microelectrónico más importante después del material del silicio, es conveniente para la fabricación de dispositivos y de circuitos de alta frecuencia, de alta velocidad.

 

Uso
En el campo de la microelectrónica, los circuitos digitales de alta velocidad del arseniuro de galio, los circuitos monolíticos de la microonda, los circuitos integrados fotoeléctricos, y los transistores de efecto de campo de alta potencia desarrollados por tecnología plana de uno mismo-asignación directa de la implantación de ion en el arseniuro de galio semi-aislado como matriz tienen las características de la resistencia de la velocidad rápida, el de alta frecuencia, del bajo consumo de energía y de radiación, que están no sólo de gran importancia en defensa nacional. Es más ampliamente utilizada en la construcción económica civil y nacional. En el campo de comunicaciones, los materiales semi-aislados del arseniuro de galio se utilizan principalmente en los dispositivos de comunicación de alta frecuencia, conducidos por el mercado inalámbrico civil de la comunicación estos últimos años, especialmente el mercado del teléfono móvil, el tamaño de mercado de los materiales semi-aislados del arseniuro de galio también están creciendo rápidamente.
 
Detalle de la especificación
Tipo/导电类型/掺杂元素 del dopante Semi-aislado P-Type/Zn N-Type/Si N-Type/Si
应用 del uso Eletronic micro LED Diodo láser
长晶方式 del método del crecimiento VGF
直径 del diámetro 2", 3", 4", 6"
晶向 de la orientación (100) ±0.5°
厚度 del grueso (µm) 350-625um±25um
参考边 de OF/IF Los E.E.U.U. EJ o muesca
载流子浓度 de la concentración de portador - (0.5-5) *1019 (0.4-4) *1018 (0.4-0.25) *1018
电阻率 de la resistencia (ohmio-cm) >107 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3 (1.2-9.9) *10-3
电子迁移率 de la movilidad (cm2/V.S.) >4000 50-120 >1000 >1500
位错密度 de la densidad de la echada del grabado de pistas (/cm2) <5000><5000><5000><500>
平整度 de TTV [P/P] (µm) <5>
平整度 de TTV [P/E] (µm) <10>
翘曲度 de la deformación (µm) <10>
表面加工 acabado superficial P/P, P/E, E/E

 

 

 

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SOBRE NUESTRO ZMKJ

ZMKJ localiza en la ciudad de Shangai, que es la mejor ciudad de China, y se funda nuestra fábrica
en la ciudad de Wuxi en 2014. Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, substratos
y custiomized parts.components de cristal óptico ampliamente utilizado en la electrónica, la óptica,
optoelectrónica y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales
y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares
y servicios para sus proyectos del R&D.
Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestro
buenos reputatiaons. también podemos proporcionar tan algunos otros substratos de los materiales como gusto:
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Empaquetado – Logistcs
Las preocupaciones de Worldhawk por cada uno detallan del paquete, limpieza, tratamiento antiestático, por electrochoque.
¡Según la cantidad y la forma del producto, tomaremos un diverso proceso de empaquetado!
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FAQ –
Q: ¿Qué usted puede suministrar logística y coste?
(1) aceptamos a DHL, Fedex, TNT, UPS, el ccsme, SF y por el MANDO
 y condición de la paga del depósito del 50%, el 50% antes de entrega.
 
Q: ¿Cuál es plazo de expedición?
Para el inventario: la entrega es 5 días laborables después de orden.
Para los productos modificados para requisitos particulares: la entrega es 2 o 3 workweeks después de orden.
 

Q: ¿Cuál es el MOQ?
(1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.
(2) para los productos modificados para requisitos particulares, el MOQ es 10pcs-30pcs.
Q: ¿Usted tiene informe de inspección para el material?
Podemos suministrar el informe de detalle para nuestros productos.

 

Etiquetas:

oblea del arseniuro del indio,

oblea del gaas,

substrato laalo3

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