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Oblea del GaAs
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| Lugar de origen | CHINA |
| Nombre de la marca | zmsh |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | Oblea de 6INCH GaAs |
estructura del monoclinal del substrato del óxido del galio de 10x10m m
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El cristal de estado estacionario del óxido del galio tiene una estructura del monoclinal con dos aviones de la hendidura (100) y (001). Por lo que el proceso del crecimiento, el proceso del crecimiento (de los 100) cristales cristalinos del óxido del galio de la fase es más fácil de crecer, mientras que el proceso del crecimiento (de los 001) cristales requiere control de proceso extremadamente alto. Bajo mismas condiciones de proceso, la calidad superficial y la producción (de las 001) superficies son mejores, y (las 100) superficies se hienden y están rotas fácilmente, haciéndola difícil alcanzar el proceso eficiente y alto de la calidad superficial. Del lado del uso, (los 001) óxidos cristalinos principal del galio de la fase son más convenientes para el uso de los dispositivos de semiconductor del poder, así que es difícil controlar el crecimiento (de los 001) cristales cristalinos principal del óxido del galio de la fase, pero tiene gran valor industrial, o no tiene el proceso del crecimiento (de los 001) óxidos cristalinos principal de gran tamaño del galio de la fase, lado del uso del mercado del óxido del galio será extremadamente difícil promover el proceso.
Antes de introducir el óxido del galio (Ga2O3), déjeme introducir otro término: materiales anchos del semiconductor del hueco de banda.
La anchura de hueco de banda es un parámetro característico importante del semiconductor. Según la diversa estructura de banda de los materiales del semiconductor, los materiales del semiconductor se pueden dividir en dos tipos: hueco de banda amplio y hueco de banda estrecha. Si es la anchura de hueco de banda del material del semiconductor menos que 2.3eV, se llama un semiconductor de banda estrecha del hueco. Si es la anchura de hueco de banda del material del semiconductor mayor o igual 2.3eV, se llama un semiconductor del hueco de la banda ancha. Cuanto más grande es la anchura del bandgap de un material del semiconductor, cuanto del mayor es la energía requerida para sus electrones a la transición a la banda de conducción, y así cuanto del más alta es la temperatura y el voltaje que el material puede soportar, es decir, menos fácil es convertirse en un conductor.
Los materiales anchos del semiconductor del hueco de banda son muy convenientes para la producción de resistencia de radiación, el de alta frecuencia, el poder más elevado y los dispositivos electrónicos integrados de alta densidad, que tienen buena resistencia de radiación y estabilidad química, alta velocidad saturada de la deriva del electrón y conductividad termal, las propiedades eléctricas excelentes y otras características. Estos últimos años, se espera que los materiales anchos del semiconductor del hueco de banda rápidamente que se convierten tienen perspectivas amplias del uso en la iluminación del semiconductor, una nueva generación de comunicación móvil, rejilla elegante, tránsito del tren de alta velocidad, nuevos vehículos de la energía, productos electrónicos de consumo y otros campos, y se conviertan en los nuevos materiales dominantes que apoyan el desarrollo de la información, de la energía, del transporte, de la defensa nacional y de otras industrias. La investigación y desarrollo de la tecnología relacionada de los materiales del semiconductor de ancho-Gap se está convirtiendo en una nueva montaña estratégica en la industria global del semiconductor.
| Orientación | 100 | 100 | 100 |
| Doping | UID | Magnesio | FE |
| parámetro eléctrico |
1×1017~3×1018cm-3 |
≥1010Ω·cm
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≥1010Ω·cm
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arco segundo |
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| densidad de dislocación | cm2s <1×105 | cm2s <1×105 | cm2s <1×105 |
SOBRE NUESTRO ZMKJ
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