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Oblea de arseniuro de galio (GaAs) dopada con Zn de 2 pulgadas para aplicaciones de diodos láser y LED

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December 29, 2025
Conexión De Categoría: Oblea del GaAs
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Etiquetas:
#oblea del arseniuro del indio #oblea del gaas #substrato laalo3
Escrito: ¿Se pregunta cómo se compara este material semiconductor de alto rendimiento con otras opciones? En este vídeo, proporcionamos un recorrido detallado de la oblea de arseniuro de galio (GaAs) dopada con Zn de 2 pulgadas, que muestra sus características clave y su proceso de fabricación. Verá cómo su método de crecimiento de cristales VGF y el dopaje con zinc brindan propiedades estables de tipo p, lo que lo hace ideal para la fabricación de LED, diodos láser y dispositivos optoelectrónicos. También demostraremos las superficies pulidas de la oblea, las opciones de orientación y los controles de calidad que garantizan un rendimiento confiable tanto en entornos de investigación como de producción.
Características De Productos Relacionados:
  • Fabricado utilizando el método de crecimiento de cristales Vertical Gradient Freeze (VGF) para una estructura cristalina de alta calidad.
  • El dopaje con zinc proporciona características eléctricas de tipo p estables y uniformes para un rendimiento confiable del dispositivo.
  • Cuenta con orientación de cristal (100) con opciones para desorientación de 2°, 6° o 15° (110).
  • Ofrece una concentración de portador controlada que oscila entre (0,3 - 1,0) × 10¹⁸ cm⁻³ para propiedades eléctricas consistentes.
  • Proporciona una baja densidad de picaduras de grabado de ≤ 5000 cm⁻² y una alta movilidad Hall de 1500 - 3000 cm²/V*s.
  • Incluye acabados superficiales pulidos (P/P o P/E) con estricto control de planitud, curvatura y deformación para un procesamiento avanzado.
  • Admite planos de orientación opcionales, configuraciones de muescas y marcado láser en la parte posterior para una identificación flexible.
  • Adecuado para uso directo en procesos de crecimiento epitaxial MBE o MOCVD con baja contaminación de partículas.
FAQ:
  • ¿Esta oblea de GaAs es adecuada para la fabricación de diodos láser y LED?
    Sí. Las características eléctricas tipo p dopadas con Zn, combinadas con una orientación (100) y una concentración controlada de portadores, respaldan una emisión de luz estable y un rendimiento consistente del dispositivo en la fabricación de LED y diodos láser.
  • ¿Se puede utilizar esta oblea directamente para el crecimiento epitaxial?
    Sí. La oblea se suministra con superficies pulidas, baja contaminación de partículas y un estricto control de planitud, lo que permite su uso directo en procesos de crecimiento epitaxial MBE o MOCVD.
  • ¿Se pueden personalizar las especificaciones de las obleas para diferentes requisitos del proceso?
    Sí. Opciones como planos de orientación, configuración de muescas, marcado láser en la parte posterior, acabado de superficie y parámetros eléctricos seleccionados se pueden ajustar a pedido para satisfacer las necesidades específicas de equipos y procesos.
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