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Sustrato de carburo de silicio 4H para electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV

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November 20, 2025
Conexión De Categoría: Sic substrato
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Etiquetas:
#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
Escrito: En este video, exploramos el sustrato de carburo de silicio 4H, mostrando su estructura de cristal único de alta pureza y su densidad de defectos ultrabaja. Vea cómo destacamos sus aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV, junto con su pulido CMP de precisión y rendimiento térmico.
Características De Productos Relacionados:
  • Material monocristalino 4H-SiC de alta pureza con densidad de defectos ultrabaja.
  • Pulido CMP de precisión para superficies listas para epitaxia con Ra ≤ 0.5 nm.
  • Excelente conductividad térmica (490 W/m*K) y capacidad para altas temperaturas (hasta 600 °C).
  • Propiedades eléctricas estables con una resistividad de 0.01-0.1 Ω*cm.
  • Alta resistencia mecánica con una dureza Vickers de 28-32 GPa.
  • Ideal para electrónica de potencia, dispositivos de RF y optoelectrónica UV.
  • Disponible en tamaños, espesores y niveles de dopado personalizables.
  • Adecuado para I+D, creación de prototipos y producción a pequeña escala.
FAQ:
  • ¿Cuál es la principal ventaja del 4H-SiC en comparación con el 6H-SiC?
    El 4H-SiC ofrece una mayor movilidad de electrones, menor resistencia en estado de conducción y un rendimiento superior en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia, lo que lo convierte en el material preferido para MOSFETs y diodos.
  • ¿Proporcionan sustratos de SiC conductores o semi-aislantes?
    Sí, ofrecemos 4H-SiC conductor tipo N para electrónica de potencia y 4H-SiC semi-aislante para aplicaciones de RF, microondas y detectores UV, con niveles de dopaje personalizables.
  • ¿Se puede usar el sustrato directamente para epitaxia?
    Sí, nuestros sustratos de 4H-SiC preparados para epitaxia presentan superficies de cara Si pulidas con CMP y baja densidad de defectos, adecuados para el crecimiento epitaxial por MOCVD, CVD y HVPE de capas de GaN, AlN y SiC.
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