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Corte por láser de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadas y 8 pulgadas para preparación epitaxial

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May 28, 2024
Palabra Clave: Sic substrato
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Etiquetas:
#sic oblea #sic substrato #substrato del carburo de silicio
Descripción del vídeo:
Descubra el avanzado sustrato de carburo de silicio (SiC) en tamaños de 6 y 8 pulgadas, diseñado para corte por láser y preparación epitaxial. Las obleas de alto rendimiento de Coherent mejoran la eficiencia del dispositivo, reducen los costos y respaldan la I+D para la producción en masa. Las opciones personalizables incluyen capas epiteliales gruesas, dopaje a medida y estructuras complejas para una funcionalidad óptima.
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