| Nombre De La Marca: | ZMSH |
| MOQ: | 10 |
| Tiempo De Entrega: | 2-4 SEMANAS |
| Condiciones De Pago: | T/T |
Este componente cerámico de carburo de silicio personalizado cuenta con una geometría de placa circular con un borde escalonado mecanizado con precisión.La estructura escalonada permite un posicionamiento axial preciso e integración estable en cámaras de proceso de semiconductores y sistemas térmicos avanzados.
Fabricado con cerámica SiC de alta pureza, el componente ofrece una excelente resistencia a altas temperaturas, exposición al plasma, corrosión química y choque térmico.La superficie se deja sin pulir intencionalmente, ya que el componente está diseñado para un uso funcional y estructural en lugar de aplicaciones ópticas o electrónicas.
Los usos típicos incluyen cubiertas de cámara, tapas de revestimiento, placas de soporte,y componentes estructurales de protección en equipos de fabricación de semiconductores donde la estabilidad dimensional a largo plazo y la fiabilidad del material son críticas.
![]()
![]()
Material cerámico de carburo de silicio de alta pureza
Diseño de bordes escalonados para posicionar y ensamblar con precisión
Superficie de tierra sin pulir optimizada para el rendimiento funcional
Excelente estabilidad térmica y baja deformación térmica
Resistencia superior al plasma, a los productos químicos y a los gases corrosivos
Alta resistencia mecánica y rigidez
Apto para ambientes de vacío y procesos limpios
Dimensiones y geometrías personalizadas disponibles
| Parámetro | Especificación |
|---|---|
| El material | Carburo de silicio (SiC) |
| La pureza | ≥ 99% (típico) |
| Densidad | 3.10 ️ 3,20 g/cm3 |
| Dureza | ≥ 2500 HV |
| Fuerza de flexión | ≥ 350 MPa |
| Modulo elástico | -410 GPa |
| Conductividad térmica | 120 200 W/m·K |
| Coeficiente de expansión térmica (CTE) | -4,0 × 10−6 /K |
| Temperatura máxima de trabajo | > 1600°C (en atmósfera inerte) |
| Temperatura máxima de funcionamiento (aire) | -1400 °C |
| Resistencia eléctrica | Alto (grado de aislamiento disponible) |
| Finalización de la superficie | No pulido |
| La superficie es plana | Disponible una tolerancia personalizada |
| Condición del borde | Las demás partidas de las máquinas de la partida 9403 |
| Compatibilidad con el medio ambiente | Vacío, plasma y gases corrosivos |
Nota: Los parámetros pueden variar según el grado de SiC, el método de formación y los requisitos de mecanizado.
Las cámaras de proceso de semiconductores (CVD, PECVD, LPCVD, sistemas de grabado)
Capaces para cámaras y tapas de revestimiento
Placas de soporte estructural en equipos de alta temperatura
Componentes cerámicos que se enfrentan al plasma o que están adyacentes al plasma
Sistemas avanzados de procesamiento al vacío
Partes estructurales de cerámica a medida para equipos de semiconductores y optoelectrónicos
Diámetro exterior y grosor personalizados
Alturas y anchos de escalones personalizados
Las partidas de las partidas 1 y 2 de las partidas 2 y 3 de las partidas 3 y 4 de las partidas 4 y 5 de las partidas 4 y 5 de las partidas 4 y 5 de las partidas 5 y 6 de las partidas 5 y 6 de las partidas 5 y 6 de las partidas 5 y 6 de las partidas 6 y 7 de las partidas 6 y 7 de las partidas 6 y 7
Mecanizado según dibujos o muestras del cliente
Se apoya la producción de pequeños lotes, prototipos y en volumen
A: ¿Qué quieres decir?
Este componente se utiliza principalmente como parte cerámica estructural o funcional, como una cubierta de cámara, placa de soporte o tapa de revestimiento, en equipos de semiconductores y procesos de alta temperatura.El diseño escalonado permite un posicionamiento preciso y un montaje estable dentro de las estructuras del equipo.
A: ¿Qué quieres decir?
La superficie sin pulir es intencional. Este componente no se utiliza para funciones ópticas o electrónicas, sino para fines estructurales y de protección.Las superficies del suelo son suficientes y a menudo se prefieren para mejorar la estabilidad mecánica y reducir el costo de fabricación en aplicaciones de cámara de proceso.
A: ¿Qué quieres decir?
Sí, el carburo de silicio ofrece una excelente resistencia a la erosión del plasma y la corrosión química, por lo que es adecuado para aplicaciones frente al plasma o adyacentes al plasma en cámaras de proceso de semiconductores.
A: ¿Qué quieres decir?
El material y el proceso de fabricación son compatibles con ambientes de vacío.La cerámica SiC presenta una baja desgasificación y mantiene la estabilidad dimensional en condiciones de vacío y ciclo térmico.
A: ¿Qué quieres decir?
El diámetro exterior, el grosor, la altura del escalón, el ancho del escalón y las características de los bordes se pueden personalizar según los dibujos del cliente o los requisitos de la aplicación.
A: ¿Qué quieres decir?
Se puede proporcionar un acabado de superficie opcional, incluido el rectificado o pulido fino, a petición. También pueden estar disponibles recubrimientos según la aplicación y el entorno de operación.
A: ¿Qué quieres decir?
Este tipo de componente cerámico de SiC se utiliza comúnmente en la fabricación de semiconductores, optoelectrónica, sistemas de vacío avanzados y equipos de procesamiento industrial de alta temperatura.