Chip SiC para electrónica avanzada de carburo de silicio

Resumen del producto:

El sustrato rectangular de carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor avanzado de cristal único diseñado para cumplir con los estrictos requisitos de la electrónica de potencia moderna, los dispositivos optoelectrónicos,y aplicaciones de alta frecuenciaEl SiC es reconocido por su excelente conductividad térmica, su amplio intervalo de banda electrónica y su excepcional resistencia mecánica, lo que lo hace ideal para su uso en entornos extremos.como las altas temperaturasEste sustrato de SiC se utiliza comúnmente en laboratorios de I + D, desarrollo de prototipos y fabricación de dispositivos especializados.

Proceso de fabricación de chips de sustrato de carburo de silicio (SiC)

La producción de sustratos de carburo de silicio (SiC) implica técnicas avanzadas de crecimiento de cristales como el transporte físico de vapor (PVT) o la sublimación.

• Preparación de la materia prima:El polvo de SiC ultrapuro se coloca en un crisol de grafito de alta densidad para su sublimación.

• Crecimiento cristalino:A temperaturas superiores a 2.000 °C, el material de SiC se sublima y recondensa en un cristal de semilla para formar una gran bola de SiC de un solo cristal.

• El corte de lingotes:Las sierras de alambre de diamante se utilizan para cortar la bola en obleas delgadas o astillas en formas rectangulares.

• Las condiciones de producción y de producción de los productos incluidos en el presente anexo son:La planarización de la superficie garantiza un espesor uniforme y elimina las marcas de corte.

• Polishing químico mecánico (CMP):El sustrato es pulido hasta obtener un acabado liso como un espejo, adecuado para la deposición de la capa epitaxial.

• Dopaje opcional:El doping de tipo N o P está disponible para ajustar las propiedades eléctricas según las necesidades de la aplicación.

• Aseguramiento de la calidadLas pruebas rigurosas de la planitud, la densidad de defectos y el grosor garantizan el cumplimiento de los estándares de semiconductores.

Propiedades materiales del carburo de silicio (SiC)

El SiC está disponible principalmente en estructuras cristalinas 4H-SiC y 6H-SiC, cada una optimizada para aplicaciones específicas:

• 4H-SiC:Proporciona una mayor movilidad de electrones y es ideal para la electrónica de potencia de alto voltaje como los MOSFET y los diodos Schottky.

• 6H-SiC:Ideal para aplicaciones de RF y microondas, ofreciendo una menor pérdida de potencia en operaciones de alta frecuencia.

Las principales ventajas de los sustratos de SiC incluyen:

• Amplia banda de separación:Aproximadamente 3,2 ∼ 3,3 eV, ofreciendo un alto voltaje de ruptura y eficiencia en dispositivos de potencia.

• Conductividad térmica:3.0·4.9 W/cm·K, lo que garantiza una excelente disipación de calor en aplicaciones de energía.

• Resistencia mecánica:Dureza de Mohs de ~9.2, lo que hace que el SiC sea altamente resistente al desgaste.

Aplicaciones de los chips de sustrato rectángulo de carburo de silicio (SiC)

• Electrónica de potencia:Ideal para MOSFETs, IGBTs y diodos Schottky utilizados en trenes motrices de vehículos eléctricos, sistemas de almacenamiento de energía y conversión de energía.

• Dispositivos de alta frecuencia y RF:Perfecto para sistemas de radar, comunicaciones por satélite y estaciones base 5G.

• Optomecánica:Adecuado para LEDs UV, diodos láser y fotodetectores debido a su excelente transparencia UV.

• Aeroespacial y Defensa:Permite el funcionamiento en entornos propensos a la radiación y a altas temperaturas.

• Investigación académica e industrial:Excelente para desarrollar nuevos materiales, prototipos y dispositivos.

Las especificaciones técnicas:

Opciones de personalización:

• Dimensiones personalizadas:Disponible en una variedad de tamaños y formas, incluyendo formatos rectangulares personalizados.

• Perfiles de dopaje:Dopaje tipo N o tipo P disponible para prestaciones eléctricas personalizadas.

• Tratamientos de superficie:Polido de una sola o dos caras, así como capas epitaxiales personalizadas.

Embalaje y entrega:

• Embalaje:Soluciones de embalaje personalizadas para garantizar una entrega segura.

• Tiempo de entrega:Normalmente dentro de los 30 días posteriores a la confirmación del pedido.

FAQ Chips de sustrato rectangular de carburo de silicio (SiC)

• P1: ¿Por qué elegir sustratos de SiC sobre el silicio tradicional?
  SiC ofrece un rendimiento térmico superior, una mayor resistencia a la degradación y pérdidas de conmutación significativamente más bajas en comparación con el silicio, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta eficiencia y alta potencia.

• P2: ¿Pueden estos sustratos estar provistos de capas epitaxiales?
  Sí, ofrecemos opciones de epitaxia preparadas y personalizadas para aplicaciones de alta potencia, RF u dispositivos optoelectrónicos.

• P3: ¿Puede personalizar las dimensiones y el dopaje?
  Los tamaños personalizados, los perfiles de dopaje y los tratamientos superficiales están disponibles para satisfacer las necesidades específicas de la aplicación.

• P4: ¿Cómo funcionan los sustratos de SiC en condiciones extremas?
  Los sustratos de SiC mantienen la integridad estructural y la estabilidad eléctrica a temperaturas superiores a 600 °C, lo que los hace adecuados para ambientes adversos como la industria aeroespacial, la defensa,y aplicaciones industriales de alta potencia.

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