4H-N tipo de sustrato SiC 10x10mm Wafer para electrónica de potencia

4H-N Tipo de sustrato SiC 10 × 10 mm Wafer pequeño Forma y dimensiones personalizables

La pequeña oblea SiC 10×10 es un producto semiconductor de alto rendimiento desarrollado sobre la base del carburo de silicio (SiC) de la tercera generación de materiales semiconductores.Fabricados utilizando procesos de transporte físico de vapor (PVT) o deposición química de vapor a alta temperatura (HTCVD), ofrece dos opciones de politipo: 4H-SiC o 6H-SiC. Con una tolerancia dimensional controlada dentro de ± 0,05 mm y una rugosidad de superficie Ra < 0,5 nm,el producto está disponible en versiones dopadas de tipo N y tipo P, que cubre un rango de resistividad de 0,01-100Ω·cm. Cada oblea es sometida a rigurosas inspecciones de calidad,incluida la difracción de rayos X (XRD) para ensayos de integridad de la red y la microscopía óptica para la detección de defectos de superficie, garantizando el cumplimiento de las normas de calidad de los semiconductores.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

SiC Substrato 10×10 mm Principales características técnicas

• Gestión térmica excepcional:SiC Substrato 10×10 mm conductividad térmica de hasta 490 W/m·K, tres veces superior al silicio, reduciendo significativamente la temperatura de funcionamiento del dispositivo y mejorando la fiabilidad del sistema.

• Propiedades eléctricas superiores:SiC Substrato de 10×10 mm resistencia del campo de descomposición de 2-4 MV/cm, diez veces mayor que la del silicio, soportando un funcionamiento de mayor voltaje; velocidad de deriva de saturación de electrones alcanza 2×10^7 cm/s,lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta frecuencia.

• Extrema adaptabilidad al medio ambiente:SiC Substrate 10 × 10 mm mantiene un rendimiento estable a temperaturas de hasta 600 °C, con un bajo coeficiente de expansión térmica de 4,0 × 10^-6/K,garantizar la estabilidad dimensional en condiciones de alta temperatura.

• Performance mecánica excepcional:Dureza de Vickers de 28-32GPa, resistencia a la flexión superior a 400MPa y resistencia al desgaste excepcional, SiC Substrato 10×10mm ofrece una vida útil 5-10 veces más larga que los materiales convencionales.

• Servicios de personalización:Soluciones personalizadas de sustrato de SiC de 10 × 10 mm disponibles para la orientación cristalina (por ejemplo, 0001, 11-20), grosor (100-500 μm) y concentración de dopaje (10^15-10^19 cm^-3) según los requisitos del cliente.

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Áreas de aplicación del núcleo del sustrato de SiC 10 × 10 mm

 

1.Los sistemas de propulsión de vehículos de nueva energía:El sustrato SiC de 10×10 mm se utiliza en MOSFET y diodos SiC de grado automotriz, mejorando la eficiencia del inversor en un 3-5% y ampliando el rango de conducción del EV.

 

 

2.Infraestructura de comunicación 5G:El sustrato de SiC de 10 × 10 mm sirve como sustrato para amplificadores de potencia de RF (PA de RF), apoyando aplicaciones de banda de ondas milimétricas (24-39 GHz) y reduciendo el consumo de energía de la estación base en más del 20%.

 

 

3.Equipo de red inteligente:Substrato de SiC de 10 × 10 mm aplicado en sistemas de corriente continua de alto voltaje (HVDC) para transformadores de estado sólido y interruptores, mejorando la eficiencia de transmisión de energía.

 

 

4.Automatización industrial:El sustrato de SiC de 10 × 10 mm permite accionamientos de motores industriales de alta potencia con frecuencias de conmutación superiores a 100 kHz, reduciendo el tamaño del dispositivo en un 50%.

 

 

5.Electrónica aeroespacial:El sustrato de SiC de 10 × 10 mm cumple los requisitos de fiabilidad para los sistemas de alimentación por satélite y los sistemas de control de motores de aeronaves en entornos extremos.

 

 

6.Dispositivos optoelectrónicos de gama alta:El sustrato de SiC de 10 × 10 mm es el material ideal para los LED UV, los diodos láser y otros componentes optoelectrónicos.