Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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Diámetro: | 4 pulgadas (100m m) | Rango de espesor: | 0.5mm~1.5m m |
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Roughness de la superficie (polidas): | ≤0.5nm | Transmisibilidad @193nm: | >el 93% |
CTE (20-300°C): | 0.55×10−6/°C | El paralelismo: | ≤3μm |
Resaltar: | Rango de espesor de cuarzo personalizado,Wafer de cuarzo de Ra0 |
ZMSH se especializa en obleas de cuarzo de 4 pulgadas fabricadas con precisión, para aplicaciones optoelectrónicas, semiconductoras y MEMS de alto rendimiento. A diferencia de los formatos más pequeños, las obleas de cuarzo de 4 pulgadas proporcionan una superficie extendida para la integración de múltiples capas, lo que permite la producción escalable de dispositivos avanzados. Las características principales incluyen: - ¿ Qué?
1Material: Silicio fundido de alta pureza (SiO2) con un contenido de hidroxilo (OH−) < 50 ppm y impurezas metálicas < 0,1 ppm, lo que garantiza una pérdida óptica muy baja. - ¿ Qué?
2. Dimensiones: diámetros y espesores personalizados (100.00 mm ± 0,25 mm) (0,525 ∼1,200 mm, TTV ≤ 10 μm). - ¿ Qué?
3. Formas: geometrías circulares, cuadradas o irregulares con aberturas no estándar, bordes escalonados o espesor de gradiente.
4. acabado superficial: superficies ultra-lisas (Ra ≤ 1,0 nm) para una dispersión mínima de la luz.
Parámetro | Especificación |
Diámetro | 100Se aplicarán las siguientes medidas: |
Rango de espesor | 0.525-1,200 mm |
Variación total del grosor (TTV) |
≤ 10 μm (300 mm de diámetro) 4 |
Roughness de la superficie (Ra) | ≤ 1,0 nm |
Transmisibilidad ultravioleta |
> 92% @ 185 ∼ 3500 nm 1 |
Coeficiente de expansión térmica (CTE) |
0.55×10−6/°C (20−300°C) 1 |
Resistencia (350°C) | > 7 × 107 Ω·cm |
1Superioridad óptica.
Transmisión de amplio espectro: >92% de transmitancia desde 185 nm (UV) hasta 3500 nm (IR), ideal para litografía UV y detección cuántica.
Baja expansión térmica: CTE de 0,55×10−6/°C (20°300°C), manteniendo la estabilidad dimensional hasta 1100°C.
2. Resiliencia mecánica y química
Alta dureza: en la escala de Mohs 7, resistente a la abrasión y al choque mecánico.
Resistencia al ácido: 30 veces mayor durabilidad que la cerámica, adecuada para ambientes químicos agresivos.
3- Rendimiento eléctrico.
Aislamiento: Resistividad >7 × 107 Ω · cm (350 ° C), minimizando la capacitancia parasitaria en circuitos de alta frecuencia.
Compatibilidad SAW: Optimizado para filtros de onda acústica de superficie (SAW) con ángulos de corte precisos (por ejemplo, 34,33 ° para el corte FC).
1Dispositivos MEMS avanzados.
Sensores de presión, giroscopios y cabezas de impresión de inyección de tinta que aprovechan obleas de 4 pulgadas para la integración de múltiples capas y la estabilidad térmica.
- ¿ Qué?
2Sistemas optoelectrónicos
Diodos láser UV, colimadores de fibra óptica y componentes LiDAR que requieren rutas ópticas de baja pérdida.
3Embalaje de semiconductores
Substratos de embalaje a nivel de obleas (WLP) para sensores de imagen CMOS y RFIC, que admiten tecnología TSV (Through-Silicon Via).
- ¿ Qué?
4Tecnologías Cuánticas.
Substratos para centros de vacío de nitrógeno de diamante (NV) y qubits superconductores, que se benefician de una densidad de defecto ultrabaja.
- ¿ Qué?
Ofrecemos personalización a gran escala para obleas de cuarzo de 4 pulgadas, incluyendo:
1. Mecanizado de precisión: torneado CNC de diamantes para una precisión dimensional < 1 μm.
2Tratamientos superficiales: revestimientos AR (< 0,5% de reflexión), películas hidrofóbicas (ángulo de contacto con el agua > 150°).
3. Rapid Prototyping: 57 días para las muestras, que soportan geometrías híbridas (por ejemplo, agujeros a través + muescas).
1P: ¿Por qué usar obleas de cuarzo de 4 pulgadas?
R: Las obleas de cuarzo de 4 pulgadas ofrecen un equilibrio entre rentabilidad y precisión, ideales para sensores MEMS, filtros ópticos y envases de semiconductores con espesor personalizable (0,5 ‰ 1).5 mm) y una rugosidad superficial muy baja (Ra ≤ 0).5 nm).
2P: ¿Qué industrias utilizan obleas de cuarzo de 4 pulgadas?
R: Son críticos en dispositivos MEMS, sistemas de fibra óptica y fabricación avanzada de semiconductores, aprovechando la sílice fundida de alta pureza y la excepcional estabilidad térmica (CTE 0.55 × 10 - 6 ° C).
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Persona de Contacto: Mr. Wang
Teléfono: +8615801942596