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2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de germanio sustratos de semiconductores obleas personalizadas CZ <100> <110> <111>

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2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de germanio sustratos de semiconductores obleas personalizadas CZ <100> <110> <111>

2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111>
2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111> 2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111> 2inch 3inch 4inch Germanium Substrates Semiconductor Wafers Custom CZ <100><110><111>

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Datos del producto:
Lugar de origen: China.
Nombre de la marca: ZMSH
Certificación: rohs
Número de modelo: Substratos de germanio
Pago y Envío Términos:
Tiempo de entrega: Entre 2 y 4 semanas
Condiciones de pago: T/T
Contacto
Descripción detallada del producto
Materiales para la fabricación:: Solo cristal de GE Diámetro:: 0.5~150m m
El espesor:: 0.5 mm Tipo de vehículo:: Tipo N/Tipo P/No dopado
Superficie:: Polido/accionado Resistencia:: 0.1 ~ 60 ohm.cm
Industria:: substratos del semiconductor, dispositivo, óptico
Resaltar:

Substratos de germanio semiconductores

,

Tamaños personalizados Substratos de germanio

,

Formas a medida Substratos de germanio

Descripción del producto

2 pulgadas 3 pulgadas 4 pulgadas de germanio sustratos de semiconductores obleas personalizadas CZ <100> <110> <111>

El germanio de alta pureza es dopado con elementos trivalentes (por ejemplo, indio, galio, boro) para obtener semiconductores de germanio de tipo P.y elementos pentavalentes (eLos semiconductores de germanio de tipo N, con alta movilidad de electrones y alta movilidad de agujeros.Se pueden utilizar sustratos de germanio de alta calidad en la fotovoltaica concentrada (CPV), paneles solares para el espacio exterior y aplicaciones de diodos emisores de luz (LED) de alto brillo.

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Características

- La constante de red es mayor que la del silicio, lo que favorece la construcción de heterostructuras.

- La alta movilidad de los electrones, aproximadamente 3 veces mayor que la del silicio, favorece la fabricación de dispositivos electrónicos de alta velocidad.

- El pequeño ancho de banda (0,67 eV) lo hace adecuado para aplicaciones de detección fotoeléctrica infrarroja y de emisión.

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Es más sensible a la radiación y es adecuado para equipos electrónicos sensibles a la radiación.

La tecnología de procesamiento es relativamente compleja y su coste es elevado.

Parámetros técnicos

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Aplicaciones

1Electrónica analógica y de RF de alta frecuencia: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; equipos electrónicos en la banda de frecuencia de microondas, como el radar y las comunicaciones.

2Detección y emisión fotoeléctrica infrarroja: detector infrarrojo, termómetro; diodos emisores infrarrojos, diodos láser.

3Equipos electrónicos sensibles a la radiación: Heterostructura de semiconductores compuestos: Sistema de aviónica aeroespacial; plantas de energía nuclear y equipos electrónicos en el campo militar.

4. Heterostructura de semiconductores compuestos: materiales de sustrato para compuestos III-V como GaAs, InP, etc.; células solares de estructura heterogénea, diodos láser, etc.

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Nuestros servicios

1Fabricación y venta directa.

2Citas rápidas y precisas.

3Responderemos en 24 horas laborales.

4. ODM: diseño personalizado es disponible.

5Velocidad y entrega preciosa.

Preguntas frecuentes

1. P: ¿Cómo se paga?
A:100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, pago seguro y comercio
Aseguramiento en y etc..

2.P: ¿Puedo personalizar los productos según mis necesidades?
R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones para sus componentes ópticos
basado en sus necesidades.

3.P: ¿Cuál es su MOQ?
R: (1) Para el inventario, el MOQ es de 3pcs.
(2) Para productos personalizados, el MOQ es de 25pcs.

etiqueta:

Single Tray Sapphire Parts,

2inch Sapphire Wafer,

Sapphire Wafer Single Packaging

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