Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica

Substrato de SiC 4H-N de espesor 350um utilizado en material semiconductor de optoelectrónica

Descripción del producto

Los sustratos de SiC son materiales clave en el campo de la tecnología de semiconductores, que ofrecen propiedades únicas y aplicaciones prometedoras.El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda ancha conocido por su excelente, propiedades térmicas y mecánicas.

Los sustratos 4H-N SiC son típicamente semiconductores de tipo n, donde los dopantes de nitrógeno (N) introducen el exceso de electrones en la red cristalina,con una capacidad de transmisión superior a 20 W,Estos sustratos encuentran aplicaciones en electrónica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y optoelectrónica debido a su alta movilidad electrónica y baja resistencia.

Por otro lado, los sustratos de SiC también pueden exhibir un comportamiento semi-aislante, lo que los hace ideales para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.Las propiedades semi-aislantes surgen de defectos intrínsecos o de un dopaje intencional con impurezas de nivel profundo.Estos sustratos se utilizan ampliamente en dispositivos de alta potencia de radiofrecuencia (RF), electrónica de microondas y sensores de entornos hostiles.

La fabricación de sustratos de SiC de alta calidad implica técnicas de crecimiento avanzadas como el transporte físico de vapor (PVT), la deposición química de vapor (CVD) o la epitaxia por sublimación.Estas técnicas permiten un control preciso de la estructura cristalina del materialLas propiedades únicas del SiC, combinadas con los procesos de fabricación precisos, permiten a los materiales de alta precisión, como el carbono y el carbono, obtener una mayor calidad de vida y una mayor concentración de dopantes.hacer que los sustratos de SiC sean muy valiosos para una variedad de aplicaciones de semiconductores.

Parámetro del producto

Naturaleza del producto

Los sustratos 4H-N SiC presentan conductividad de tipo n debido a la presencia de dopantes de nitrógeno, que proporcionan electrones en exceso para la conducción electrónica.
Los sustratos de SiC demuestran un comportamiento semi-aislante, caracterizado por una alta resistividad y una conducción electrónica mínima, que es esencial para ciertas aplicaciones electrónicas y optoelectrónicas.

• Bandgap: Los sustratos de SiC tienen una banda ancha, generalmente alrededor de 3,0 eV, lo que permite su uso en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia y aplicaciones optoelectrónicas.
• Conductividad térmica: Los sustratos de SiC poseen una alta conductividad térmica, lo que permite una disipación eficiente del calor generado durante el funcionamiento del dispositivo.Esta propiedad es crucial para mantener la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.
• Propiedades mecánicas: Los sustratos de SiC presentan excelentes propiedades mecánicas, incluida una alta dureza, rigidez e inertitud química.Estas propiedades las hacen resistentes al desgaste mecánico y a la corrosión, garantizando la fiabilidad a largo plazo del dispositivo en condiciones de funcionamiento adversas.
• Estructura cristalina: Los sustratos de SiC tienen una estructura cristalina hexagonal (4H politipo), que influye en sus propiedades electrónicas y el rendimiento del dispositivo.La estructura de cristal 4H proporciona una alineación específica de banda electrónica y movilidad de portadores adecuados para varios dispositivos semiconductores.
• Morfología superficial:Los sustratos de SiC suelen tener una morfología superficial lisa con baja densidad de defectos,facilitar el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad y la fabricación de dispositivos de alto rendimiento.
• Estabilidad química: Los sustratos de SiC presentan una alta estabilidad química, lo que los hace resistentes a la degradación cuando se exponen a entornos corrosivos o productos químicos reactivos.Esta propiedad es ventajosa para aplicaciones que requieren fiabilidad y estabilidad del dispositivo a largo plazo.

Presentación del producto

Pregunta y respuesta
¿Cuál es la diferencia entre 4H-SiC y 6H-SiC?

Todos los otros politipos de SiC son una mezcla de la unión de zinc-blenda y wurtzita.6H-SiC está compuesto por dos tercios de enlaces cúbicos y un tercio de enlaces hexagonales con una secuencia de apilamiento de ABCACB.