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película fina de LT LN de 4inch 100m m para el dispositivo de la SIERRA para el dispositivo electrónico

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película fina de LT LN de 4inch 100m m para el dispositivo de la SIERRA para el dispositivo electrónico

Ampliación de imagen : película fina de LT LN de 4inch 100m m para el dispositivo de la SIERRA para el dispositivo electrónico

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	zmkj
Número de modelo:	LT-001

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	25pcs
Precio:	by case
Detalles de empaquetado:	Películas del ANIMAL DOMÉSTICO o caso del casstle 25pcs por el sitio de limpieza de 100 grados
Tiempo de entrega:	15-30days
Capacidad de la fuente:	5000pcs/month

Contacto

Descripción detallada del producto

Materiales:	Solo cristal LiTaO3	Industria:	la oblea de semiconductor, vio la oblea, oblea óptica
Uso:	5G, dispositivo de la SIERRA, vidrio óptico,	color:	amarillo, rojo, negro
tamaño:	4inch	orientación:	Campo común de Y-42°
Resaltar:	obleas finas del tantalato del litio 4inch , Obleas del niobato del litio del dispositivo de la SIERRA , oblea de 4inch LiNbO3

película fina de LT LN de 4inch 100m m para el dispositivo de la SIERRA para el dispositivo electrónico

¿Para cuál es el niobato LN del litio utilizó?

Debido a sus altos coeficientes electrópticos, niobato del litio se utiliza para los moduladores ópticos de la amplitud y de la fase, células de Pockels, moduladores de la Q-transferencia del laser. Propiedades ópticas no lineales del niobato del litio permitir su uso para los osciladores paramétricos ópticos y los amplificadores paramétricos para una gama de longitud de onda ancha.

Especificación

Orientación	36°Y-cut±0.2°	42°Y-cut±0.2°	X-cut±0.2°
Diámetro	100±0.3m m,
1r del plano	32±2mmperpendicular a X-axis±0.2°		32±2m m, perpendicular a 112°Y±0.2°
2o del plano	10±2m m CW270°from 1r DE	10±2m m CW315°from 1r DE	10±2m m CW315° o 270°from 1r DE
Grueso	200~250±25um, 300-350±25um, 500±25um o por modificado para requisitos particulares
Superficie delantera	“+”, Ra<1nm,
Superficie trasera	GC#1000, GC#2000 traslapó
LTV	<1um, zona de at5x5mm
ARCO	≤25um

Exhibición del producto

película fina de LT LN de 4inch 100m m para el dispositivo de la SIERRA para el dispositivo electrónico 0

FAQ

Q. ¿Usted tiene acción de la oblea o de lingotes?

sí, 3inch aslike, obleas comunes de los substratos del tamaño 4inch están en la acción.

Q. ¿Dónde localizan a su compañía?
Nuestra compañía situada en Shangai, China. la fábrica está en la ciudad de Wuxi.

¿Q. cuánto tiempo tomará para conseguir los productos?
Tomará generalmente 1~4 semanas para procesar y entonces entrega.

Es depender de la cantidad y del tamaño de los productos.

Q: ¿Cómo sobre término y entrega de la paga?

T/T 50%deposit y parte izquierda antes de la entrega por el MANDO.

etiqueta:

Persona de Contacto: Mr. Wang

Teléfono: +8615801942596

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Tamaño:: 3 pulgadas 4 pulgadas 6 pulgadas 8 pulgadas

El espesor:: 300-1000nm

Orientación:: Corte en el eje X, Corte en el eje Y, Corte en el eje Z

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película fina del X-corte LN 400nm LiNbO3 de 4inch 6inch en el substrato de silicio

Materiales: Solo cristal LiTaO3

industria: la oblea de semiconductor, vio la oblea, oblea óptica

Uso: 5G, dispositivo de la SIERRA, vidrio óptico,

Color: amarillo, rojo, negro

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